ラドデバイス株式会社
最終更新日：2011-12-05 18:05:50.0
OPTO DIODE社製 IRD Siフォトダイオード
基本情報OPTO DIODE社製 IRD Siフォトダイオード
OPTO DIODE - IRD Siフォトダイオード
★特長★
‐ 対応波長感度領域*：0.04nm〜1100nm (エネルギー領域：1.12eV〜30KeV)
* モデルによって対応領域が異なりますので、ご注意下さい。
‐ 100％内部量子効率（Q.E.), 耐放射線性, 高ダイナミックレンジ
‐ 較正可能：米NIST・独PTB・（産業技術総合研究所**）
** 波長によっては対応できません。
★シリーズ★
‐AXUVシリーズ：SiO2層6−8nm・100%Q.E.
フォトン検出領域（0.04nm〜1100nm）
低エネルギー エレクトロン・イオン
‐UVGシリーズ：SiO2層40−150nm・100％Q.E.
フォトン検出領域（130nm〜1100nm）
‐SXUVシリーズ：metal silicide層
高フラックスフォトン及びUV/EUVパルス光源・
高エネルギー密度>0.1μJ/cm2パルス検出用
OPTO DIODE社 XUV−UV検出用Siフォトダイオード
OPTO DIODE(旧IRD)社は米NIST・LLNL他研究機関と共同で、軟Ｘ線〜ＵＶ領域において内部量子効率がほぼ100％のSiフォトダイオードを開発しました。
取扱い易く、小型のSiフォトダイオードは、高光エネルギー研究分野のみならず、エレクトロン・イオンの領域においても期待されています。 （詳細を見る）
取扱会社 OPTO DIODE社製 IRD Siフォトダイオード
（１）海外研究機関・ベンチャー企業の技術・製品紹介及び提供 新しい技術・ユニークなデバイス紹介・提供、並びに、それに伴う調査活動を継続して行います。 （２）製品を有効且つ適切にご使用いただくためのフォロー・サービス 製品を正しく理解・使用いただくために、性能／特性データ・周辺機器／備品／保管方法等、常に情報の充実を図ります。 （３）提供者・使用者の顔が見える関係作り 生産者（提供者）、使用者の顔が見え、声が届く関係作りを通して、製品・技術の進歩に貢献します。
OPTO DIODE社製 IRD Siフォトダイオードへのお問い合わせ
お問い合わせ内容をご記入ください。
