クロスライトソフトウェアインク日本支社
最終更新日:2020-05-12 11:44:16.0
GaN基板LEDの3D TCADシミュレーション(3D TCAD Simulation of GaN-based LED)
基本情報GaN基板LEDの3D TCADシミュレーション(3D TCAD Simulation of GaN-based LED)
プロセス/デバイスシミュレーション統合環境(TCAD)でのLED 3Dシミュレーション事例
プロセスシミュレーター(CSuprem)とデバイスシミュレーター(APSYS)を統合したTCADで多重量子井戸(MQW)構造LEDの解析を紹介。ポテンシャル、電流密度、温度とキャリア分布をシミュレートし結果を3Dで表示。デバイス断面構造の設定にはGUIインターフェイスを持ったLayerBuilder(標準付属)を使用。電極などレイアウトパターンは、GDSフォーマット対応の、MaskEdior(標準付属)で作成。これらの情報をもとに、CSupremで3Dメッシュとドーピングプロファイルを生成。デバイスシミュレーター(APSYS)で、電気的な特性(IQEなど)と熱的特性をシミュレーション。また、オプション機能のオプトウィザード(Optowizard)を用いて、光線追跡(raytracing)またはFDTDによる光抽出が可能。
半導体デバイス用汎用2D/3D有限要素解析・設計ソフトAPSYS
<主な特徴>
■半導体デバイス用の汎用2D/3D有限要素解析・設計ソフトウェア
■半導体レーザを除くほとんど全てのデバイス設計・解析に適用可能
(半導体レーザは別製品LASTIPとPICS3Dでシミュレーションが可能)
■シリコン、化合物から成るデバイスの設計に用いることが可能
<多様な物理モデルや機能>
■電流-電圧(I-V)特性
■ポテンシャル、電場、電流の2次元分布
■流体力学モデルにおけるホット・キャリア温度の2次元分布
■熱輸送モデルで用いられる格子温度の2次元分布
■様々なバイアス条件のもとでのバンド図
■任意の周波数帯における交流微小信号応答解析の結果
■荷電子混合モデルを用いた量子井戸のサブバンド
■半導体中の深いレベルにトラップされた不純物占有数と密度の2次元分布
■光検出器などの光デバイスの2次元光学場分布
■LEDの自己放出スペクトルの電流依存性
■FDTDインターフェイス
■その他機能や詳細については、カタログダウンロード
もしくはお問い合わせ下さい。
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GaN基板LEDの3D TCADシミュレータ
プロセスシミュレーター(CSuprem)とデバイスシミュレーター(APSYS)を統合したTCADで多重量子井戸(MQW)構造LEDの解析を紹介。ポテンシャル、電流密度、温度とキャリア分布をシミュレートし結果を3Dで表示。デバイス断面構造の設定にはGUIインターフェイスを持ったLayerBuilder(標準付属)を使用。電極などレイアウトパターンは、GDSフォーマット対応の、MaskEdior(標準付属)で作成。これらの情報をもとに、CSupremで3Dメッシュとドーピングプロファイルを生成。デバイスシミュレーター(APSYS)で、電気的な特性(IQEなど)と熱的特性をシミュレーション。また、オプション機能のオプトウィザード(Optowizard)を用いて、光線追跡(raytracing)またはFDTDによる光抽出が可能。 (詳細を見る)
【動画】半導体デバイス用2D/3D解析・設計ソフトAPSYS
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