CMP受託加工　総合カタログ

当カタログは、CMP及びウェハ直接接合試作・量産、それに伴う
プロセスの移管を行うD-processの総合カタログです。

CMP受託加工をはじめ、ウエーハ接合受託加工やシード層形成・
めっき受託加工などについて詳しく掲載しております。

【掲載内容（抜粋）】
■CMP受託加工
■ウエーハ接合受託加工
■シード層形成・めっき受託加工
■その他プロセス受託加工
■バックグラインディング（薄片化）・ラッピング/ダイアモンドポリッシング
■エッジ処理・ダイシング

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。 （詳細を見る）

当社では『接合前CMP受託加工』を承っております。

接合前CMPの加工実績の一例として、半導体及び化合物半導体で使われる材料
Si、Cu、W、Ta、TaN、SiO2、TEOS、GaAs、SiC、GaN、InP
同種接合及びこれら相互の異種材料接合が可能です。

CMP受託加工でお客様のウェーハを処理する以前に、多数の自社実験から
裏付けされた確かな技術でお客様のニーズにお応え致します。

【加工実績一例】
■単結晶酸化物
・LiNbO3、LiTaO3、Al2O3(サファイア)など
■多結晶材料
・Poly-Si,SiC,Al2O3/YAGなど
■金属
・Au、Pt、Ag、Cu、Ti、TiN、Ni、W、Al、Sn、Pb、Znなど
■セラミクッス
・アルミナ、フェライト、ジルコニア

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当社では『TSV CMP受託加工』を承っております。

通常の半導体用Cu CMPに用いられるCu slurryに対して
10倍近くの加工速度を確保しているスラリーを用いたCMPプロセスを
適用しているため短時間に処理を終えることができます。

当社のCMP受託加工では、超高速Cu CMPの確立により
超高精度且つ低価格を実現しております。

【特長】
■加工時間を短縮
■加工精度の向上にも寄与
■超高速Cu CMPプロセス
■ディッシングを極限まで低減
■超高精度且つ低価格を実現

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