株式会社パウデック
最終更新日：2019-04-11 12:02:11.0
ウエハ 開発サービス
基本情報ウエハ 開発サービス
ELO(epitaxial lateral overgrowth)にも対応！
当社では、GaN、Sapphire、SiC基板上へのMOCVDによるエピ成長に
対応できるウエハを開発しております。
高周波デバイスをはじめ、パワーデバイス、照明など
様々な用途にご利用頂けます。
ご要望の際はお気軽にご連絡ください。
【特長】
■低欠陥密度
■表面平坦性
■4inch以上の大面積化が可能
※詳しくは、お気軽にお問い合わせください。
ウエハ 開発サービス
当社では、GaN、Sapphire、SiC基板上へのMOCVDによるエピ成長に
対応できるウエハを開発しております。
高周波デバイスをはじめ、パワーデバイス、照明など
様々な用途にご利用頂けます。
ご要望の際はお気軽にご連絡ください。
【特長】
■低欠陥密度
■表面平坦性
■4inch以上の大面積化が可能
※詳しくは、お気軽にお問い合わせください。 （詳細を見る）
取扱会社 ウエハ 開発サービス
■窒化ガリウム系半導体エピ基板の開発および生産 GaN結晶成長 ・ AlGaN/GaN GaN-HEMT基板 ・ GaN/サファイア GaN-テンプレート基板 ・ AlGaN/サファイア 紫外線センサ基板 ■窒化ガリウム系パワーデバイス開発受託 ・ パワートランジスタ、パワーダイオード
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