アイスモス・テクノロジー・ジャパン株式会社
最終更新日：2023-08-02 13:22:49.0
スーパージャンクションMOSFETカタログ2023
基本情報スーパージャンクションMOSFETカタログ
スーパージャンクション MOSFET は、ほとんどの電源アプリケーションに適用可能で省エネを促進する重要なデバイスです。
スーパージャンクションMOSFET
『スーパージャンクションMOSFET』は、高耐圧の
スーパージャンクション技術が使われている当社のパワーMOSFETです。
シリコンのMOSFETとMEMSプロセス技術の融合で、
世界的ベストインクラスのパフォーマンスをお届けします。
MEMS技術で独自の製造技術を発展させ、
より小寸法へ展開することで、高パフォーマンスでコストメリットのある
MOSFETをご提供いたします。
【特長】
■高耐圧600V以上
■耐高dv/dt
■高耐アバランシェ特性
■高ピーク電流特性
■増相互コンダクタンス特性 など
※詳しくはPDFをダウンロードして頂くか、お問い合わせください。 （詳細を見る）
ICE47N60W N-チャンネル・デバイス
『ICE47N60W N-チャンネル・デバイス』は、IceMOSで評判の高い
スーパージャンクションMOSFETです。
高パフォーマンス・パワー・システム用に設計され、世界中の
AC/DC、DC/DC、およびDC/AC回路などに使用されています。
【特長】
■TO247パッケージ
■低オン抵抗
■超低ゲート電荷重
■耐高dv/dt
■高いUIS特性
■耐高ピーク電流
■増相互コンダクタンス・パフォーマンス
※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
※英語版カタログをダウンロードいただけます。 （詳細を見る）
スーパージャンクションMOSFETカタログ2023Ver
『スーパージャンクションMOSFET』は、高耐圧の
スーパージャンクション技術が使われている当社のパワーMOSFETです。
シリコンのMOSFETとMEMSプロセス技術の融合で、
世界的ベストインクラスのパフォーマンスをお届けします。
MEMS技術で独自の製造技術を発展させ、
より小寸法へ展開することで、高パフォーマンスでコストメリットのある
MOSFETをご提供いたします。 （詳細を見る）
取扱会社 スーパージャンクションMOSFETカタログ
【取扱品目】 ■技術シリコン基板の製造、ファウンドリーサービス SOI = Silicon on Insulator SiSi = Silicon Silcon bonded MEMS = Microelectromechanical Systems DSOI= Double SOI DSP=Double Sided Polished CSOI=Cavity SOI Thin SOI TSOI=Trench SOI TSV=Through-Silicon Vias ■スーパージャンクションMOSFET(>600V,>650V) 特長: 低オン抵抗 超低ゲート電荷量 耐高dv/dt特性 高耐アバランシェ特性 耐高ピーク電流特性 増相互コンダクタンス特性 アプリケーション: 産業用電源、充電器 データセンター、サーバー、クラウド、PC、Tablet 屋内外の電灯 : HID 、LED電灯 LED TV Driver ,動力電源 太陽光発電 HV,EV 充電器
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