スーパージャンクションMOSFETカタログ2023Ver アイスモス・テクノロジー・ジャパン

スーパージャンクション MOSFET は、ほとんどの電源アプリケーションに適用可能で省エネを促進する重要なデバイスです。

『スーパージャンクションMOSFET』は、高耐圧の
スーパージャンクション技術が使われている当社のパワーMOSFETです。

シリコンのMOSFETとMEMSプロセス技術の融合で、
世界的ベストインクラスのパフォーマンスをお届けします。

MEMS技術で独自の製造技術を発展させ、
より小寸法へ展開することで、高パフォーマンスでコストメリットのある
MOSFETをご提供いたします。

基本情報スーパージャンクションMOSFETカタログ2023Ver

【特長】
■高耐圧600V以上
■耐高dv/dt
■高耐アバランシェ特性
■高ピーク電流特性
■増相互コンダクタンス特性　など

※詳しくはPDFをダウンロードして頂くか、お問い合わせください。

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用途／実績例	Fly-back(for power lower than 100W), Half bridge ZVS fly-back (for power between 60 to 300W) LLC(for 150W to 400W) phase shift Full bridge ZVS(for 400W up) LLC full bridge(for 1000W up single output)

カタログスーパージャンクションMOSFETカタログ2023Ver

取扱企業スーパージャンクションMOSFETカタログ2023Ver

アイスモス・テクノロジー・ジャパン株式会社

【取扱品目】 ■技術シリコン基板の製造、ファウンドリーサービス SOI = Silicon on Insulator SiSi = Silicon Silcon bonded MEMS = Microelectromechanical Systems DSOI= Double SOI DSP=Double Sided Polished CSOI=Cavity SOI Thin SOI TSOI=Trench SOI TSV=Through-Silicon Vias ■スーパージャンクションMOSFET(>600V,>650V) 特長: 低オン抵抗超低ゲート電荷量耐高dv/dt特性高耐アバランシェ特性耐高ピーク電流特性増相互コンダクタンス特性アプリケーション: 産業用電源、充電器データセンター、サーバー、クラウド、PC、Tablet 屋内外の電灯 : HID 、LED電灯 LED TV Driver ,動力電源太陽光発電 HV,EV　充電器