高耐圧　Super Junction MOSFET　アプリケーションガイドREV5

アイスモス・テクノロジーのICE20N60 は20A,600VのTO220 パッケージ です。
【特長】
■TO220パッケージ
■低オン抵抗
■超低ゲート電荷重
■耐高dv/dt
■高いUIS特性
■耐高ピーク電流
■増相互コンダクタンス・パフォーマンス （詳細を見る）

アイスモス・テクノロジーのICE20N60Bは20A,600VのTO263-2L, D2PAK パッケージです。
【特長】
■TO263-2L (D2PAK)パッケージ
■低オン抵抗
■超低ゲート電荷重
■耐高dv/dt
■高いUIS特性
■耐高ピーク電流
■増相互コンダクタンス・パフォーマンス （詳細を見る）

アイスモス・テクノロジーのICE22N60Bは22A,600VのTO-263(D2PAK) パッケージ です。

【特長】
■TO263-2L (D2PAK)パッケージ
■低オン抵抗
■超低ゲート電荷重
■耐高dv/dt
■高いUIS特性
■耐高ピーク電流
■増相互コンダクタンス・パフォーマンス

 （詳細を見る）

アイスモス・テクノロジーのICE20N60FPは20A,600Vのフルパックデバイスです。

【特長】
■TO220 Fullpakパッケージ
■低オン抵抗
■超低ゲート電荷重
■耐高dv/dt
■高いUIS特性
■耐高ピーク電流
■増相互コンダクタンス・パフォーマンス

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
※英語版カタログをダウンロードいただけます。 （詳細を見る）

『スーパージャンクションMOSFET』は、高耐圧の
スーパージャンクション技術が使われている当社のパワーMOSFETです。

シリコンのMOSFETとMEMSプロセス技術の融合で、
世界的ベストインクラスのパフォーマンスをお届けします。

MEMS技術で独自の製造技術を発展させ、
より小寸法へ展開することで、高パフォーマンスでコストメリットのある
MOSFETをご提供いたします。 （詳細を見る）

『ICE47N60W N-チャンネル・デバイス』は、IceMOSで評判の高い
スーパージャンクションMOSFETです。

高パフォーマンス・パワー・システム用に設計され、世界中の
AC/DC、DC/DC、およびDC/AC回路などに使用されています。

【特長】
■TO247パッケージ
■低オン抵抗
■超低ゲート電荷重
■耐高dv/dt
■高いUIS特性
■耐高ピーク電流
■増相互コンダクタンス・パフォーマンス

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
※英語版カタログをダウンロードいただけます。 （詳細を見る）

アイスモス・テクノロジーのICE11N70FPは11A,700VのTO220Fullpak パッケージ です。

【特長】
■TO220 FullPakパッケージ
■低オン抵抗
■超低ゲート電荷重
■耐高dv/dt
■高いUIS特性
■耐高ピーク電流
■増相互コンダクタンス・パフォーマンス

 （詳細を見る）

アイスモス・テクノロジーのICE15N73FPは15A,730VのTO220Fullpak パッケージ です。

【特長】
■TO220 FullPakパッケージ
■低オン抵抗
■超低ゲート電荷重
■耐高dv/dt
■高いUIS特性
■耐高ピーク電流
■増相互コンダクタンス・パフォーマンス

 （詳細を見る）