ICE20N60FP 20A,600V Power MOSFET アイスモス・テクノロジー・ジャパン

★在庫あり！即日出荷可能！電源メーカーに採用実績のある、電源マネージメントの省電力化に貢献するパワーMOSFETです。

アイスモス・テクノロジーのICE20N60FPは20A,600Vのフルパックデバイスです。

【特長】
■TO220 Fullpakパッケージ
■低オン抵抗
■超低ゲート電荷重
■耐高dv/dt
■高いUIS特性
■耐高ピーク電流
■増相互コンダクタンス・パフォーマンス

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
※英語版カタログをダウンロードいただけます。

関連リンク - https://jp.icemostech.com/superjunction-mosfet-gen…

基本情報ICE20N60FP 20A,600V Power MOSFET

データシートは
弊社のHome Pageよりpdfをダウンロードできます。

価格情報	USDまたは日本円にてお取引日本セールスまで、お気軽にお問合せ下さい。
納期	2・3日 ※14K 在庫　香港より出荷いたします。
型番・ブランド名	ICE20N60FP
用途／実績例	標準スイッチング電源に採用例：100W Power supply 入力90Vac to 264Vac　、4A 4ms max /115Vac, 2Arms max/230Vac Inrush 40A max/115Vac,80A max/230Vac 出力　24V , Peak load 6.25A

カタログICE20N60FP 20A,600V Power MOSFET

取扱企業ICE20N60FP 20A,600V Power MOSFET

アイスモス・テクノロジー・ジャパン株式会社

【取扱品目】 ■技術シリコン基板の製造、ファウンドリーサービス SOI = Silicon on Insulator SiSi = Silicon Silcon bonded MEMS = Microelectromechanical Systems DSOI= Double SOI DSP=Double Sided Polished CSOI=Cavity SOI Thin SOI TSOI=Trench SOI TSV=Through-Silicon Vias ■スーパージャンクションMOSFET(>600V,>650V) 特長: 低オン抵抗超低ゲート電荷量耐高dv/dt特性高耐アバランシェ特性耐高ピーク電流特性増相互コンダクタンス特性アプリケーション: 産業用電源、充電器データセンター、サーバー、クラウド、PC、Tablet 屋内外の電灯 : HID 、LED電灯 LED TV Driver ,動力電源太陽光発電 HV,EV　充電器