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      • プローブに原子を採用した表面分析装置(CAICISSの発展版) 製品画像

        プローブに原子を採用した表面分析装置(CAICISSの発展版)

        結晶方位・極製は15分で一目瞭然!帯電の影響がなく安定した表面分析が可能!飛行時間型原子散乱表面分析装置【依頼分析賜ります!】

        『TOFLAS-3000』は、金属、半導体、絶縁体などの固体表面の結晶構造および 元素分析を同時に行うことができる原子散乱表面分析装置です。 本装置は同軸型直衝突イオン散乱分光法(CAICIS…

      • クラスター真空成膜・評価装置紹介 製品画像

        クラスター真空成膜・評価装置紹介

        測定・研究したい要素をそのまま!お客様のニーズに合致させることが可能なプラットフォーム!

        『クラスター真空成膜システム』は、試料自動搬送システム、サンプル交換室、 サンプルストッカー室、スパッタ室に加え誘電率・磁性測定、ホール測定装置 などの分析機を備えた評価室から構成されます。 …

      • 飛行時間型原子散乱表面分析装置『TOFLAS-3000』 製品画像

        飛行時間型原子散乱表面分析装置『TOFLAS-3000』

        結晶方位・極製は15分で一目瞭然!帯電の影響がなく安定した表面分析が可能!

        『TOFLAS-3000』は、金属、半導体、絶縁体などの固体表面の結晶構造および 元素分析を同時に行うことができる原子散乱表面分析装置です。 本装置は同軸型直衝突イオン散乱分光法(CAICIS…

      • RHEEDユニット『PHD-30K-034』 製品画像

        RHEEDユニット『PHD-30K-034』

        30kV対応かつコンパクトな制御電源!1Pa台まで使用可能な差動排気設計

        『PHD-30K-034』は、超真空下で加速収束された電子線を基板に照射し、 表面キャラクタリゼーションを行うための反射高速電子線回析システムです。 コンパクトサイズでICF34フランジマウン…

      • コンパクトレーザーMBE装置『PAC-LMBE』 製品画像

        コンパクトレーザーMBE装置『PAC-LMBE』

        扱いやすいデザインで各種成膜条件の制御が容易!6種類のターゲットが使用できます

        『PAC-LMBE』は、拡張性の高い超高真空レーザーMBE(PLD)システムです。 基板加熱ユニットとして、赤外線ランプ加熱と半導体レーザー加熱の いずれかを選択可能。6種類のターゲットが使用…

      • モバイルコンビレーザーMBE装置『MC-LMBE』 製品画像

        モバイルコンビレーザーMBE装置『MC-LMBE』

        スキャニングRHEEDを標準装備!モーター駆動コンビナトリアルマスクを2枚を装着

        『MC-LMBE』は、操作性の高いコンパクトな超高真空レーザーMBE(PLD) システムです。 1200℃まで加熱可能な半導体レーザー基板加熱ユニットを搭載。 モーター駆動コンビナトリアルマ…

      • 真空薄膜形成装置や表面分析装置 長年培った真空技術がこの一冊に! 製品画像

        真空薄膜形成装置や表面分析装置 長年培った真空技術がこの一冊に!

        長年培った真空技術!真空機器関連及び理化学機器における製品ラインアップ!

        真空機器・装置、理化学機器・装置においてグローバルな視野を持ち、 常に時代の先端を見つめ、新しい技術と商品ニーズを先取りし、 ユーザー様の役に立つ製品を提供し続けている、株式会社パスカルの 総合…

      • 表面分析機器『TOFLAS-3000』 製品画像

        表面分析機器『TOFLAS-3000』

        電気的に中性な原子ビームを採用!帯電の問題を解決した表面分析機器

        『TOFLAS-3000』は、入射プローブとしてイオンではなく電気的に中性な 原子ビームを用いた飛行時間型原子散乱表面分析装置です。 本製品を使用することにより、半導体,金属のみならず絶縁体表…

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