Si半導体とは物性が異なるため、故障解析も新たな手法が必要となります！
当社では、短波⻑レーザを⽤いたSiCデバイスのOBIRCH解析を
行っております。
SiCは従来のSi半導体と比べ、エネルギーロスの少ないパワーデバイス
であり注目を集めていますが、Si半導体とは物性が異なるため、
故障解析も新たな手法が必要となります。
短波長レーザを用いたSiC-SBDの裏面OBIRCH解析では、SiC
ショットキーバリアダイオードに局所的に溶融破壊を起こし、
疑似リークを発生させました。
IR-OBIRCH解析では確認できなかった擬似リーク箇所が、
GL-OBIRCH解析では明瞭に観察できていました。
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基本情報短波長レーザを用いたSiCデバイスのOBIRCH解析
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カタログ短波長レーザを用いたSiCデバイスのOBIRCH解析
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