SiCデバイスの前加工→リーク箇所特定→物理解析/成分分析までスルー対応!
当社では、『SiCデバイスの裏⾯発光解析』を行っております。
SiCは従来のSi半導体と比べ、エネルギーロスの少ない
パワーデバイスであり注目を集めていますが、Si半導体とは
物性が異なるため、故障解析も新たな手法が必要となります。
SiC MOSFET裏面発光解析事例では、海外製SiC MOSFETをESDにより、
G-(D,S)間リークを作製、発光解析にて、リーク箇所を示す多数の
発光を検出。
発光箇所をTEM観察したところ、SiO2膜の破壊、SiC結晶にダメージが
認められました。
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基本情報SiCデバイスの裏面発光解析
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