株式会社アイテス SiCデバイスの裏面発光解析

SiCデバイスの前加工→リーク箇所特定→物理解析/成分分析までスルー対応!

当社では、『SiCデバイスの裏⾯発光解析』を行っております。

SiCは従来のSi半導体と比べ、エネルギーロスの少ない
パワーデバイスであり注目を集めていますが、Si半導体とは
物性が異なるため、故障解析も新たな手法が必要となります。

SiC MOSFET裏面発光解析事例では、海外製SiC MOSFETをESDにより、
G-(D,S)間リークを作製、発光解析にて、リーク箇所を示す多数の
発光を検出。

発光箇所をTEM観察したところ、SiO2膜の破壊、SiC結晶にダメージが
認められました。

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基本情報SiCデバイスの裏面発光解析

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カタログSiCデバイスの裏面発光解析

取扱企業SiCデバイスの裏面発光解析

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株式会社アイテス

【解析・信頼性評価事業】  ■電子部品各種データ収集から故障解析までの解析・評価  ■研究開発・製造における原材料評価および特性評価 【検査装置開発事業】  ■太陽光パネル検査・測定器の開発・販売 【電子機器修理事業】  ■産業用機器およびパソコンの修理 【ウェハー加工事業】  ■ウェハー加工サービスおよび販売

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