FIB-SEMによる半導体の拡散層観察アイテス

他手法より短納期！FIB-SEMによる形状観察と、拡散層観察の両方を実施できます！

当社では、『FIB-SEMによる半導体の拡散層観察』を行っております。

FIB法による断面作製とSEM観察によって半導体の拡散層を可視化、
形状評価を行いました。

SEMのInlens 検出器によって内蔵電位の違いを可視化した事例では
内蔵電位によりN型とP型領域で発生する二次電子のエネルギーに差が発生。

それによって生まれる軌道の差をSEMの検出器で検出します。

【特長】
■FIB-SEMによる形状観察と、拡散層観察の両方を実施することが可能
■他手法より短納期で対応
■濃度は10E16まで検出可能
■PN界面が可視化されるが、N+/N-,及びP+/P-の濃度差は検出不可

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

基本情報FIB-SEMによる半導体の拡散層観察

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

価格帯	お問い合わせください
納期	お問い合わせください
用途／実績例	※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。