SiSi　ウエハーソリューションアイスモス・テクノロジー・ジャパン

リークが小さく、高品質で、ワープも小さく、低い欠陥密度！費用対効果が高い材料としてご提供

半導体デバイスを製造するお客様には、Silicon-Silicon張り合わせ
ウエハーを従来の厚エピや反転エピなど、パワーデバイスや
PiNダイオード用に従来つかわれていたような材料にとって代わる、
費用対効果が高い材料として提供いたします。

直接ウエハーをボンディングする技術を使うと、様々な単結晶シリコンを
含むシリコン基板を作ることができます。

これらの抵抗レンジは1mΩ-cmから10kΩ-cmとなります。

【特長】
■NタイプやPタイプの素材でオリエンテーション方向のアレンジ可能
■リークが小さく、高品質で、ワープも小さく、低い欠陥密度
■層の厚みのばらつきも+/-0.5um以下に抑える事が可能
■高濃度から低濃度の遷移レベルもお客様のアプリケーションに
　応じて鋭く、もしくはソフトなどに調整が可能

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

関連リンク - https://jp.icemostech.com/sisi-wafers.html

基本情報SiSi　ウエハーソリューション

【その他特長】
■高い品質
■低コスト
■低い欠陥密度
■膜の均一性がよい
■マルチレイヤ―
■鋭い濃度遷移レベル
■10kΩ-cmまでの抵抗率
■界面品質がよい（高解像サム検査による）

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

価格帯	お問い合わせください
納期	お問い合わせください
用途／実績例	【用途】 ■高耐圧PINダイオード ■RF減衰器 ■光検出器 ■X線検出器 ■IR赤外線センサー ■高耐圧パワーデバイス ■エピ材からの置き換え ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

取扱企業SiSi　ウエハーソリューション

アイスモス・テクノロジー・ジャパン株式会社

【取扱品目】 ■技術シリコン基板の製造、ファウンドリーサービス SOI = Silicon on Insulator SiSi = Silicon Silcon bonded MEMS = Microelectromechanical Systems DSOI= Double SOI DSP=Double Sided Polished CSOI=Cavity SOI Thin SOI TSOI=Trench SOI TSV=Through-Silicon Vias ■スーパージャンクションMOSFET(>600V,>650V) 特長: 低オン抵抗超低ゲート電荷量耐高dv/dt特性高耐アバランシェ特性耐高ピーク電流特性増相互コンダクタンス特性アプリケーション: 産業用電源、充電器データセンター、サーバー、クラウド、PC、Tablet 屋内外の電灯 : HID 、LED電灯 LED TV Driver ,動力電源太陽光発電 HV,EV　充電器