EBSD（電子線後方散乱回折法）を利用した結晶解析とはクオルテック

試料表面で生じる電子線後方散乱回析により金属など結晶性材料の結晶方位・粒径・歪み分布などに関する情報を取得することが出来ます。

EBSD分析とは、SEM（走査電子顕微鏡）と組み合わせて、金属結晶粒子の方位、微粒子化を解析する事で、問題点を顕在化させ、
設計・プロセス・材料の改善や、品質トラブルの未然防止に役立てることが出来ます。
また、信頼性試験と組み合わせることにより、評価初期段階での歪み発生箇所の解明、破壊メカニズムの解明などに役立ちます。

【マッピングの例】
■IQマップ
　パターンの良否により結晶性の良し悪しを表します。
　IQ値は試料断面加工の精度良否の指標として用いられます。
■IPF（結晶方位）マップ
　試料座標系を設定し、結晶面がその方向に向いているかを表したものです。
■Grainマップ
　基準方位差を指定し、隣り合う測定点同士の方位差が基準より大きく、粒子として閉じていれば、
　異なる結晶粒とみなし、異なる色を付けます。
■KAMマップ
　微視的方位変化、局所方位差を表します。
■GRODマップ
　Grainマップで定義された粒子1つ1つに対し、微小な方位変化を求め、
　印加されている残留応力を粒子毎に求める場合に用いります。

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基本情報EBSD（電子線後方散乱回折法）を利用した結晶解析とは

【分析事例】
■信頼性試験におけるはんだクラック発生、脆弱箇所の特定
信頼性試験の経過に伴い、結晶方位がずれて、クラックが進行していきます。
方位変化とクラックの進展は同時期に発生し相関が見られます。
また局所的に応力印加される場所を特定することにより破壊箇所の予測が可能となります。

■はんだ冷却条件による構造変化の可視化
はんだフィレットの結晶の初期状態は、リフロー後の冷却条件によって変化します。
EBSD分析では、このようにフィレット形成初期の状態を評価し、信頼性試験の結果との相関をとることが可能となります。

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