【故障解析事例】静電気破壊の再現実験クオルテック

プラズマFIB装置を用いて断面を観察！広く破壊されている様子が確認された事例

RC-IGBT（Reverse-Conducting IGBT）を用いた、故障解析事例をご紹介します。

今回はシステムレベルの規格として広く用いられるIEC61000-4-2に倣って、
人体からの放電を模擬したESD破壊の再現実験を行いました。

チップ表面の観察後に、ロックイン発熱解析を行い、微小な故障箇所を特定。

プラズマFIB装置を用いて断面を観察した結果、表面のクレーターから、
トレンチゲート及びその直下のコレクタ領域まで広く破壊されている様子が
確認されました。

【故障解析　手順】
■初動調査（外観観察、電気的特性測定）
■非破壊検査（X線観察、超音波顕微鏡など）
■故障箇所特定（ロックイン発熱解析、IR-OBIRCHなど）
■物理解析（断面研磨、SEMなど）
■詳細解析（FIB、FE-SEM／EDS、STEMなど）

※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

基本情報【故障解析事例】静電気破壊の再現実験

【半導体チップの故障原因】
■IGBT製造上の問題
・ゲート絶縁膜破壊
・接合リーク
■実装、使用上の問題
・静電気破壊
・アバランシェ破壊など

※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

価格帯	お問い合わせください
納期	お問い合わせください
用途／実績例	※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。