株式会社ハイテック・システムズ ICP-RIE『SI 500』
- 最終更新日：2023-06-16 15:37:48.0
- 印刷用ページ
高選択性エッチング！ICPソースと基板電極間の間隔調整によるラジカル供給の最適化
『SI 500』は、ICPパワーによるイオン密度の制御のICP-RIEです。
独自のPTSA200ICPソースによる10＾12[イオン/cm3]の
高いプラズマ密度により高エッチレートを実現。
また、バイアスパワーによるイオンエネルギーの制御で
低ダメージエッチングとなっております。
【特長】
■ICPパワーによるイオン密度の制御
■バイアスパワーによるイオンエネルギーの制御
■ICPソースと基板電極間の間隔調整によるラジカル供給の最適化
■低ダメージエッチング
■高選択性エッチング
※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
基本情報ICP-RIE『SI 500』
※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
| 価格情報 | ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。 |
|---|---|
| 納期 | お問い合わせください |
| 用途／実績例 | ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。 |
カタログICP-RIE『SI 500』
取扱企業ICP-RIE『SI 500』
-
-
中古 半導体製造装置/FPD製造装置の買取及び販売 中古部品と補器の買取及び販売 半導体/FPD生産ラインの移設とリファービッシュ 新規 海外製先端デバイス製造装置/研究開発装置の販売及びサポート ・Veeco ・PLASMIONIQUE ・scia Systems ・NEOCERA ・ANNEALSYS ・JIACO ・SENTECH
ICP-RIE『SI 500』へのお問い合わせ
お問い合わせ内容をご記入ください。
