株式会社ハイテック・システムズ ICPECVD『SI 500 D』
- 最終更新日：2023-06-16 15:43:55.0
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ICPパワーによるイオン密度の制御！低温成膜、低ダメージ、高コンフォマリティーを実現
『SI 500 D』は、ICPパワーによるイオン密度の制御のICPECVDです。
独自のPTSA200ICPソースによる10＾12[イオン/cm3]の高いプラズマ密度により
低温成膜、低ダメージ、高コンフォマリティーを実現
ご用命の際は、当社へお気軽にご相談ください。
【特長】
■ICPパワーによるイオン密度の制御
■オプションのバイアスパワーによるイオンエネルギーの制御
■リアクター圧力、分離されたガス供給ラインとICPソースと基板電極間の
間隔調整によるプロセスの最適化
※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
基本情報ICPECVD『SI 500 D』
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| 価格帯 | お問い合わせください |
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| 用途／実績例 | ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。 |
カタログICPECVD『SI 500 D』
取扱企業ICPECVD『SI 500 D』
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