主に半導体リソグラフィ用途に13.5nmのEUV光源が用いられます！
EUVは、極端紫外光のことで、Extreme Ultravioletの略称です。
主に半導体リソグラフィ用途に13.5nmのEUV光源が用いられ、
従来のArFエキシマレーザー(193nm)に比べより微細なパターンが
描写可能です。
EUVは物質への吸収率が極めて高く透過型の光学系(レンズ)を
使用できないため、反射光学系(ミラー)を用いる必要があります。
【特長】
■物質への吸収率が極めて高い
■透過型の光学系(レンズ)を使用できないため、反射光学系(ミラー)を
用いる必要がある
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