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熱応答性・柔軟性に優れた薄型発熱体『シリコンラバーヒーター』
PR【1枚から製作可能】柔軟性があるので軽量化、小型化が実現!さまざまな形…
オーエムヒーターが取り扱う標準タイプの「シリコンラバーヒーター」を ご紹介します。 丸型、三角、台形、穴あきなど複雑な形状も、手ごろな価格で1枚から 製作でき短納期にも対応。 ヒーター厚はわずか1.5mmなので熱応答性に大変優れています。 今までの金属ヒーターに代わる柔軟性のある薄形の面状発熱体です。 【特長】 ■複雑な形状も、手ごろな価格で1枚から製作でき短納期にも対応...
メーカー・取り扱い企業: オーエムヒーター株式会社
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PR深部体温の上昇を検知し知らせることで、熱中症を未然に防ぐウェアラブルデ…
暑熱下のリスクを検知して、熱中症になる前にアラームとLEDとバイブレーションでお知らせする ウェアラブルデバイスです。 通信・充電不要、使い捨てによる使いやすさに非常に好評をいただいております。 新モデル「熱中対策ウォッチ カナリアPlus」は旧モデル「熱中対策ウォッチ カナリア」からお客様からの声を反映した新モデルとなります。 主な変更点 ・バイブレーション機能の追加 ・3~4...
メーカー・取り扱い企業: Biodata Bank株式会社
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Intel(R) eDRAM の詳細にわたる構造解析レポートです
ICの中での最高のパフォーマンスを持つバージョンはGT3eです。 【特徴】 ■GT3e:メタル9層、22nm TriGate トランジスタテクノロジで埋込型DRAMも構成されている ■シリコンソース・ドレインがNMOSトランジスタに使われ、SiGe が PMOS トランジスタに使われている 詳しくはお問い合わせ、またはカタログをダウンロードしてください。...
メーカー・取り扱い企業: テックインサイツジャパン株式会社(TechInsights)
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レポート ValleyView Atom Z3740 Soc
Intel Atom 23740 プロセッサーの詳細な構造解析レポート…
【特徴】 ■23740は9層メタル、デュアル・ゲートダイエレクトリック、22nm Socプロセスで製造されている ■デバイス:最小90nmピッチのHKMG FinFETトランジスタ ■シリコン拡散層部分:NMOSトランジスタに使われ、SiGeがPMOSトランジスタに使われる 詳しくはお問い合わせ、またはカタログをダウンロードしてください。...
メーカー・取り扱い企業: テックインサイツジャパン株式会社(TechInsights)
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フラッシュメモリーの 詳細なメモリー構造解析レポート
m ノード MLC NAND フラッシュメモリー) の詳細構造解析です。 本デバイスは 3 層メタル構造プロセス (第 1、2 金属層: W、第 3 金属層:Al)、ポリサイド製制御ゲート、ポリシリコン製の浮遊ゲートを使用して製造されています。メモリーアレイは、32nm のビット線ピッチおよび 38nm のワード線ピッチを特徴としています。 エアギャップが採用されており、隣接セル間のクロストー...
メーカー・取り扱い企業: テックインサイツジャパン株式会社(TechInsights)
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20 nm HKMG Qualcomm Gobiの詳細構造解析です。
MDM9235 は、10 層のメタライゼーション(9-Cu、1-Al) を使用して TSMC により製造され、20 nm ノード、high-k メタルゲート (HKMG) トランジスターがバルクシリコン基板上にゲート長プロセスで製造されています。 90 nm の最小コンタクテッドゲートピッチが特長です。 【特徴】 ○重要なデザインとマニュファクチャリング革新の理解 ○適切な情報に基づ...
メーカー・取り扱い企業: テックインサイツジャパン株式会社(TechInsights)
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