• バックアップ電源 瞬低保護装置「ボルテージサグプロテクター」 製品画像

    バックアップ電源 瞬低保護装置「ボルテージサグプロテクター」

    PR瞬時停電された1秒以内に様々な電源の問題を完全に解決!半導体、LCD、…

    ボルテージサグプロテクターは、半導体、LCD、自動車、化学、医療分野を含む様々な産業分野に適用可能です。無停電電源供給のために伝統的に使用してきたバッテリー蓄電方式の無停電電​​源装置(UPS)とは異なり、瞬時停電された1秒以内に様々な電源の問題を完全に解決することができます。既存のデバイスの電気使用量80%削減することができる。 【特長】 ■落雷、着氷雪、台風による瞬間的停電及び電圧低下...

    メーカー・取り扱い企業: アローズエンジニアリング株式会社

  • 【シロキサンフリー】半導体チップ搬送ケース『ゲルベースVタイプ』 製品画像

    【シロキサンフリー】半導体チップ搬送ケース『ゲルベースVタイプ』

    PR半導体チップや精密デバイスなどを振動から守り 安全に保管・搬送!シロキ…

    ★電子機器トータルソリューション展に出展します★ JPCA Show 2024 2024/4/24(水)~26(金) 10:00-17:00 パシフィコ横浜 展示ホール 小間番号:6H-10 ゲルベースは半導体チップや精密デバイスなど細かな部品の工場内、工程内搬送、海外搬送用として使用できます。 搬送時は振動から精密部品を守り、また半導体等部品のデバイス固定用としても大活躍。 粘...

    メーカー・取り扱い企業: 株式会社エクシール 本社

  • 技術情報誌 202102-03 XAFSによる半導体中の状態評価 製品画像

    技術情報誌 202102-03 XAFSによる半導体中の状態評価

    技術情報誌The TRC Newsは、研究開発、生産トラブルの解決、品…

    【要旨】 半導体へのドーパント添加は、電気特性を制御する上で非常に重要な技術であり、添加によるキャリア発生のメカニズムは固体物理の理論に基づいて理解されているが、ドーパント元素における直接的な化学状態や配位環境の...

    メーカー・取り扱い企業: 株式会社東レリサーチセンター

  • 技術情報誌 202001-02 酸化ガリウムの結晶構造解析 製品画像

    技術情報誌 202001-02 酸化ガリウムの結晶構造解析

    技術情報誌The TRC Newsは、研究開発、生産トラブルの解決、品…

    【要旨】 酸化ガリウム(Ga2O3)は次世代パワー半導体材料として注目を集めており、近年研究が盛んになってきている。半導体デバイスの信頼性、特性改善にはプロセス技術の最適化が必要であり、その評価方法が重要となる。本稿ではエピタキシャル膜の品質評価に必要...

    メーカー・取り扱い企業: 株式会社東レリサーチセンター

  • 技術情報誌 202304-03 分離膜のナノ貫通孔径の選択的測定 製品画像

    技術情報誌 202304-03 分離膜のナノ貫通孔径の選択的測定

    水銀透過法の概要及び既存手法との比較事例を通じて、水銀透過法が機能層の…

    生産トラブルの解決、品質管理等のお役に立つ分析技術の最新情報です。 【要旨】 サステナブルな社会の実現において、優れた透過性能を持つ膜による省エネで低コストな分離・精製技術の開発がエネルギー、半導体、医療など様々な分野で期待されている。膜の透過性能は細孔構造に支配されるため、高度化した細孔構造を評価するための技術が重要となる。ここでは、東レリサーチセンターが独自に開発した水銀透過法の概要、及...

    メーカー・取り扱い企業: 株式会社東レリサーチセンター

  • 技術情報誌 201903-01 最先端SIMS分析装置 製品画像

    技術情報誌 201903-01 最先端SIMS分析装置

    技術情報誌The TRC Newsは、研究開発、生産トラブルの解決、品…

    メージング測定を行うことが可能である。本稿では、NanoSIMS 50Lの装置の特徴と分析事例を紹介する。 【目次】 1.はじめに 2.分析装置の概要 3.毛髪断面の分析事例 4.SiC半導体デバイスの分析事例 5.まとめ...

    メーカー・取り扱い企業: 株式会社東レリサーチセンター

  • 技術情報誌 201901-02 ナノメートルスケール局所構造解析 製品画像

    技術情報誌 201901-02 ナノメートルスケール局所構造解析

    技術情報誌The TRC Newsは、研究開発、生産トラブルの解決、品…

    よるSiO2/SiC界面応力解析 4.まとめ 【図表】 図1 近接場光を利用したラマン分光法 図2 AFM(Atomic Force Microscope)位相像、チューブの存在状態(S:半導体型、M:金属型)、各チューブのRBMスペクトル 図3 AFM-Ramanスペクトル、D/G比分布 図4 交点のAFM-Ramanスペクトル 図5 近接場ラマンの光学系 図6 SiO2/Si...

    メーカー・取り扱い企業: 株式会社東レリサーチセンター

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