• 国交省仕様タイプD準拠PoEスイッチ【ST13512PW/D】 製品画像

    国交省仕様タイプD準拠PoEスイッチ【ST13512PW/D】

    PR国交省標準仕様を満たした12ポートPoEスイッチ!期待寿命15年、高負…

    本製品は、PoE(Power over Ethernet)給電対応インテリジェント イーサネットスイッチングハブ製品です。 10BASE-T/100BASE-TX/1000BASE-Tメタル 8 ポートと 100BASE-FXもしくは1000BASE-SX/LX に対応したSFP 4 ポートを有しています。 寒冷地など寒暖差の激しい場所での使用実績多数。 国交省の指定標準仕様を...

    メーカー・取り扱い企業: 株式会社リョウセイ

  • オフロード向け自動化製品・SW開発 製品画像

    オフロード向け自動化製品・SW開発

    PR世界最大級の自動車部品メーカによる開発のお手伝い!オンロードで培った量…

    当社は、オフロード向け自動化製品をコントロールユニット~ゲートウェイ~自動運転技術~環境認識まで、製品供給&SW開発を開発者様のニーズに合わせてご対応致します。 8か国・14拠点があるため、拠点に合わせた(MaaS)を含めたサポートが可能。1発モノ試作やPoCにも対応でき、またデモを実施しております。 「既存製品・車両をそのままに、低予算・短期で自動化技術を盛り込みたい」 「時代の流...

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    メーカー・取り扱い企業: ボッシュエンジニアリング株式会社

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    RF パワートランジスタ

    高出力、高利得、高効率低ノイズを特長とするハイパワートランジスターは、…

    るハイパワートランジスターは 1Ghzまで使用可能で、通信衛星、ECMトランジスター、レーダー無線機などに 適しています。 【製品ラインアップ】 ■28V RF MOSFET's ■12V RF MOSFET's ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。...

    メーカー・取り扱い企業: アスコット株式会社

  • パワートランジスタ『CGD65B130SH2』 製品画像

    パワートランジスタ『CGD65B130SH2』

    事実上すべてのゲートドライバーとコントローラーチップが利用可能!

    『CGD65B130SH2』は、独自の材料を活用したエンハンスメントモード GaNオンシリコンパワートランジスタです。 GaNの特性により、高電流、高耐圧を実現し、広範囲の電圧と 高いスイッチング周波数に対応。 デバイスは、大きな銅領域に直接はんだ付けできます。 グランドプレーンを強化し、熱性能を向上させ、熱設計を簡素化します。 【特長】 ■簡単設計 ■高信頼性 ■6...

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    メーカー・取り扱い企業: SUPREME COMPONENTS INTERNATIONAL

  • パワートランジスタ『CGD65A130SH2』 製品画像

    パワートランジスタ『CGD65A130SH2』

    無負荷状態でのデバイス損失がゼロに近くなる!高電流、高耐圧を実現

    『CGD65A130SH2』は、独自の材料を活用したエンハンスメントモード GaNオンシリコンパワートランジスタです。 ICeGaNゲート技術により、事実上すべてのゲートドライバーと コントローラーチップが利用可能。グランドプレーンを強化し、 熱性能を向上させ、 熱設計を簡素化します。 また、デバイスは、大きな銅領域に直接はんだ付けできます。 【特長】 ■簡単設計 ■高...

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    メーカー・取り扱い企業: SUPREME COMPONENTS INTERNATIONAL

  • パワートランジスタ『CGD65A130S2』 製品画像

    パワートランジスタ『CGD65A130S2』

    互換性を実現するICeGaNゲート技術!ゲートドライバーとコントローラ…

    『CGD65A130S2』は、エンハンスメント モードのGaNオンシリコン パワートランジスタです。 電流検出機能を内蔵することにより別個の電流検出抵抗が不要。 外付けがないのでセンス抵抗が必要な場合は、デバイスを直接接続可能。 グランドの広い銅領域にはんだ付けされているため、平面、 熱性能の向上、熱設計を簡素化し、高周波をサポートする DFN 8x8 SMDパッケージです。 ...

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    メーカー・取り扱い企業: SUPREME COMPONENTS INTERNATIONAL

  • パワートランジスタ『CGD65B130S2』 製品画像

    パワートランジスタ『CGD65B130S2』

    高周波をサポートするDFN 5x6 SMDパッケージ!平面、熱性能の向…

    『CGD65B130S2』は、エンハンスメント モードのGaNオンシリコン パワートランジスタです。 幅広い電子機器のスイッチング周波数に対して、互換性を実現する ICeGaNゲート技術には、事実上すべてのゲートドライバーと コントローラーチップを搭載。 グランドの広い銅領域にはんだ付けされているため、 平面、熱性能の向上、熱設計を簡素化します。 【特長】 ■簡単設計 ...

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    メーカー・取り扱い企業: SUPREME COMPONENTS INTERNATIONAL

  • パワー半導体専業メーカー:Potens(ポテンツ) 製品画像

    パワー半導体専業メーカー:Potens(ポテンツ)

    お客様ニーズに応じた技術サポートを実施するパワー半導体専業メーカーで日…

    他社からの置き換えをお考えの方・低オン抵抗品をお探しの方・パッケージラインナップが豊富なメーカーをお探しの方がおられましたらお気軽にお問い合わせ下さい。 【特長】 ・豊富なパッケージ品種と12Vから1,500Vまでの幅広い耐圧製品で950品種以上を展開 ・産業や車載など幅広い用途に対応 ・IGBTはHalf Bridge品をご用意 ・SiCは量産開始、GaNは2024年量産開始予定...

    メーカー・取り扱い企業: ミカサ商事株式会社

  • 高出力IR光源 HISbasic 製品画像

    高出力IR光源 HISbasic

    TO-39/TO-5パッケージの黒体放射源

    Infrasolid社のHISbasicシリーズはリフレクタ構造により高効率の放射を実現した、黒体放射に近い放射特性を持つTO-39/TO-5パッケージエミッタです。 広い波長範囲で幅広い用途に対応可能です。 放射素子温度が600℃と低いため、長寿命です。 他のCANタイプ、SMDエミッタの取り扱いもございます。 詳しくは弊社担当まで。...波長範囲:2-12 um パッケージ:TO-39 ...

    メーカー・取り扱い企業: オプトシリウス株式会社

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