防爆スポットクーラー　DGR-1A/3A-SP/SPS

PR産業安全技術協会（TIIS）検定合格品でゾーン１（第一類危険箇所）とゾ…

防爆スポットクーラーは、危険場所のうちゾーン１（第一類危険箇）とゾーン2（第二類危険箇所）で使えます。 電源は三相200V、単相100Vの2種類。 冷媒回路は内圧防爆構造、制御回路は耐圧防爆構造、ユニットの装置はすべて防爆構造。 装置下部にドレンタンクを装備。 オプションにて電源コードの長さの変更可能(標準3ｍ)本体の移動や固定に便利なキャスター・ストッパー付きです。 【特徴】 ○ゾーン１（第一...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社大同工業所 楠根工場

工業用高精細レンズシリーズ『ZEISS Dimension』

PR4/3型の大型エリアセンサに対応。超高分解能で細部まで高精細な画像を撮…

工業用高精細レンズシリーズ『ZEISS Dimension』は、 最大4/3型のイメージセンサー用に設計されており、2μmの分解能を実現。 広角レンズでもディストーションの発生が極小で、 基板実装や大判印刷物の検査・画像計測などに活躍します。 「Pregius S」技術を搭載した、第4世代SONY CMOSセンサ （ピクセルピッチ2.74μmの1.2型25MPセンサ）にも対応して...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社ケンコー・トキナー 本社

【解析事例】E面T分岐導波管の電磁界解析

解析モジュール"PHOTO-WAVEjω"を使用！解析結果から散乱行列…

レーダー等の信号処理に用いられるT字型の導波管に対して、それぞれの ポートから入力された電磁波がどのような分布になるか、有限要素法による 解析を行いました。 E面T分岐導波管に3つのポートを設定。対称性から1/2モデルで作成するので XY平面上は自然境界、それ以外の側面には対称境界条件を付します。 結果、計算で求められたS31とS13の絶対値はそれぞれ0.644と0.631であり...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社フォトン

ウェハ表面解析

短時間で測定データの収集が可能！前処理が不要で、試料の再利用ができます

当社は、KLA-Tencor社製「カンデラCS-10V」による、ウェハ表面解析 を受託いたします。 カンデラでは、微小欠陥を画像データとして検出可能。欠陥の発生マップと 個別欠陥状況の双方が観察できます。 対象材料はサファイア、SiC、GaN、他化合物半導体で、適用サイズは φ2インチ～φ6インチ ウェハ（t1mm以下）となっております。 【特長】 ■短時間で測定データの...

メーカー・取り扱い企業： シンコー株式会社

【解析事例】HTLV-1クロナリティ解析

高感度かつ非常に再現性が高いデータが得られる！HTLV-1クロナリティ…

当社が行ったRAIS法によるランダムインテグレーション解析サービスの 事例をご紹介します。 HTLV-1(ヒトT細胞白血病ウイルス)は主にCD4陽性T細胞に感染し、 そのプロウイルスが宿主ゲノムにランダムに挿入します。 現在、成人T細胞白血病の診断にはサザンブロット法(HTLV-1クロナリティ解析)を 用いたHTLV-1感染細胞の白血病化(モノクローナル増殖)の検出が必須とされて...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社ファスマック

『RAISING法によるランダムインテグレーション解析サービス』

国立感染症研究所との共同研究により開発。 外来DNAの挿入位置の決定…

『RAISING法』は、ゲノム中の外来DNAの挿入位置を検出する方法です。 少ないDNA量で再現性の高い測定結果がスピーディーに得られます。 ウイルスゲノム挿入部位、ウイルスベクター挿入部位、 創薬ターゲットとなりうる融合遺伝子の検索、 ゲノム編集におけるオフターゲットノックインなど、 外来DNAのホストゲノム上の挿入位置の同定ができます。 【特長】 ■目的・ターゲットにあわ...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社ファスマック

【解析事例】動物培養細胞、植物細胞の挿入部位の決定

RAISING法によるランダムインテグレーション解析を行った事例を追加…

当社が行ったRAIS法によるランダムインテグレーション解析サービスの 事例をご紹介します。 アグロバクテリウム法により挿入したシロイヌナズナのT-DNA タグライン、およびレトロウイルスベクターを挿入したマウス培養細胞に対してRAISING法を行い、サンガー法による挿入部位配列の確認、ならびに次世代シーケンス解析から得られた解読配列を元にゲノム配列へマッピングを行いました。 結果とし...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社ファスマック

【解析事例】臨界状態モデルを考慮した超伝導体の磁場解析

使用ソフトウェアは「PHOTO-EDDY」！Jcが磁束密度に依存するよ…

超伝導体を表現するモデルとしては、臨界状態モデル、Kimモデルなどが 挙げられます。 臨界状態モデルは渦糸に働くローレンツ力と超伝導体内部の不純物などによって 生じるピン止め力が釣り合っているとした物理モデルです。 「PHOTO-EDDY」では、構成方程式をユーザー側で指定することができ、 一定のJcだけでなく、Jcが磁束密度に依存するようなKimモデルも解析可能。 どのよ...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社フォトン