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PR低コストで高性能!画像の安定性を維持しながら高速なステップと整定を実現…
『DOF-5』は、光学イメージングアプリケーション向けに最適化された 低コストで高性能なナノポジショニングステージです。 移動量(5mm)と帯域幅(225Hz以上)が大きく、画像の安定性を維持しながら 高速なステップと整定を実現。 また、ボリュームディスカウントが利用可能です。 【特長】 ■高価な顕微鏡用ピエゾステージの代替品として登場 ■ボリュームディスカウントが利用可...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社キーストンインターナショナル
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汚染物質の少ないFZ法で製造された高品質・高純度・高抵抗のFZシリコン…
Cをおつけします。 仕様 方位: (1-1-1) ± 2 deg. 直径(mm) : 101,60 ± 0,20 長さ(mm) : 200 - 400 第一オリフラ(mm) : 30,5 - 34,5 (1-10) +/- 1 Deg. 第二オリフラ(mm) : N.A. タイプ: N-type/Phosphorous ライフタイム(microsec) : 1000 抵抗値...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社エナテック 東京本社
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2インチから12インチウェーハへの成膜が可能です。
株式会社エナテックのCZウェーハ 成膜加工は、膜種により2インチから450mmウェーハへの成膜が可能です。 酸化膜系:熱酸化、RTO、LP-TEOS、HDP-USG、P-TEOS、PSG、BPSG、BSG、LP-CVD、PE-CVD 窒化膜系: HCD-S...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社エナテック 東京本社
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直径30mm程度から8インチ、高ライフタイム、1万オームを超えるような…
ground 方位: (1-1-1) ± 2 deg. 直径(mm) : 101,60 ± 0,20 Ingot length (mm) : 200 - 400 第一OF(mm) : 30,5 - 34,5 (1-10) +/- 1 Deg. 第二OF(mm) : N.A. タイプ:N-type Lifetime(microsec) : 1000 抵抗値(ohm cm) 25°C...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社エナテック 東京本社
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小ロットからの対応可能です。特殊なエピ、多層エピなどにも出来るだけ対応…
イス向けや IC powerデバイス向けに使用されております。 *直径: 100-200 mm *Epi層ドーパント: Boron 、Phosphorous *Epi層抵抗値: 0.01-500 Ω/cm *Epi厚: 1-150 um *Stacking fault: 10 /cm2 以下 *Thickness Uniformity: 1% *Resistivity Unif...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社エナテック 東京本社
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直径3インチ、4インチ、6インチのSOSウェーハ(シリコンオンサファイ…
ピタキシャル成長させたウェーハです。 圧力センサーなど様々なデバイスに使用されています。また放射線に対する耐性が高いのが特徴です。 3インチ(76mm)、4インチ(100mm)、6インチ(150mm)のSOSウェーハをご紹介可能です。仕様によりますが8インチも対応可能な場合がありますので是非お問い合わせください。 エピ層のドーパントはN型はPhosphorous、P型は Boron...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社エナテック 東京本社
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