• ALD装置(原子層堆積装置)『P-300B』 製品画像

    ALD装置(原子層堆積装置)『P-300B』

    高品質のALD膜を作り出す!MEMS機器の生産や3Dオブジェクトの成膜…

     ・ウェハなし基板(特注ホルダー)  ・高アスペクト比サンプル(2500:1~) ■処理温度:50~500℃ ■標準処理  ・最小1桁秒までのサイクルタイムでバッチ処理が可能  ・AI2O3、SiO2、Ta2O5、HFO2、ZnO、TiO2、ZrO2、AIN、TiN およびメタル  ・<1% 1σバッチ内不均一性 (Al2O3、WIW、WTW、B2B、49点、5mm EE) ■...

    メーカー・取り扱い企業: PICOSUN JAPAN株式会社

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