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    【B-402対応】イーサネットスイッチングハブ ST13116M

    PR【電力用規格B-402対応】防塵性(ファンレス構造・通風孔レス構造)に…

    『ST13116M』は、電力用規格B-402に準拠した、防塵性(ファンレス構造・通風孔レス構造)に優れたギガビット対応インテリジェントL2スイッチングハブです。 一般的なインテリジェント機能(VLAN、経路切替機能、セキュリティ機能)および固有機能(装置自己監視、接点入出力など)を有しています。その他、RoHSをはじめ、電力規格B-402、接点入出力、装置自己監視機能(WDT)・NTP機能や...

    メーカー・取り扱い企業: 株式会社リョウセイ

  • パナソニック UV-B電球形蛍光灯 正しい使い方で効果を発揮!  製品画像

    パナソニック UV-B電球形蛍光灯 正しい使い方で効果を発揮! 

    PRイチゴのうどんこ病抑制に貢献。UV-B電球形蛍光灯の設置方法について …

    パナソニックのUV-B電球形蛍光灯は、ハウス内に吊るし、タイマー設定で夜中に3時間程度点灯することで、イチゴの重要病害であるうどんこ病の発生を抑制できるような便利な商品です。 一方で、作物に当たる紫外線は強すぎると葉焼けが発生し、弱すぎると病害抑制などの効果が期待できなくなるため、適切な強度に設定する必要があります。 作物に当たる紫外線の強さは、UV-B電球形蛍光灯の設置方法で大きく変わります...

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    メーカー・取り扱い企業: パナソニック ライティングデバイス株式会社

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    【分析事例】ビタミンB1・ビタミンB2の定量分析

    蛍光検出器付HPLC法(公定法)による含有量の検査

    豚肉や卵などの食品中にはビタミンB1(チアミン、HET)およびビタミンB2(リボフラビン)が豊富に含まれています。これらは多くの場合、リン酸エステル等の誘導体として存在しています。ビタミンB1、ビタミンB2の含有量は前処理として酵素...

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    メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST

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    【分析事例】ゲート電極から基板へのBの突き抜け量評価

    SSDP-SIMSによる測定面の凹凸・高濃度層の影響を避けた測定

    基板側からSIMS分析(SSDP-SIMS)を行うことで、表面の凹凸・スパッタに伴う表面側高濃度層からのノックオンの影響を受けない測定が可能です。ゲート電極(BドープPoly-Si)から基板へのボロンの突き抜け量を評価しました。基板側からの測定ではノックオンなどの影響が見られず、より正確な突き抜け量評価が可能であることがわかります。このように、バリアメタル...

    メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST

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    レーザー顕微鏡による表面形状評価_B0283

    レーザー顕微鏡

    レーザー顕微鏡による表面形状評価について紹介しています。...詳しくは資料をダウンロード、またはお問い合わせください。...

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    【分析事例】ビタミン剤のLC/MS/MS分析

    水溶性ビタミン5種(B1・B2・B6・B12・ナイアシン)の一斉分析

    水溶性ビタミンは体への機能によって約10種類に分けられます。例えば、ビタミンB1は同じ機能を持つ複数の成分(チアミン・ヒドロキシエチルチアミンおよびその類縁体)で構成され、それらの総量で含有量が決定されます。本事例ではマルチビタミンサプリメントをLC/MS/MSにて測定し、水...

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    メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST

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    【分析事例】極浅ドーパント分布の高精度分析

    高い再現精度で評価可能

    より、極浅い領域における不純物の深さ方向分布評価が必要とされています。正確な評価を行うためには、通常よりも低いエネルギー(1keV以下)の一次イオンビームを用いたSIMS分析が必要になります。今回、B+を低エネルギーでイオン注入したSiウエハを1keVの酸素イオンビームを用いて、日をまたいで、6回測定した結果から算出したBの面密度の相対標準偏差は3%以下であり、極浅い不純物分布評価においても通常...

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    【分析事例】NPT-IGBT中ドーパント調査

    イメージングSIMSによって局在する元素の評価が可能

    NPT-IGBTエミッタ側の50μm角の領域についてイメージングSIMS測定を行いました。図1に分析によって得られた11B,Asのイオンイメージを示します。11BとAsは同じ領域に注入されていることがわかります。...

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  • [TEM-EDX]エネルギー分散型X線分光法(TEM) 製品画像

    [TEM-EDX]エネルギー分散型X線分光法(TEM)

    EDXは、分析対象領域に電子線照射した際に発生する特性X線の、エネルギ…

    Dispersive X-ray Spectroscopyとも呼ばれます。 多くの場合、SEMまたはTEMに付属しており、本資料ではTEMに付属のEDXについて紹介します。 ・全元素範囲(B~U)の同時分析が可能(付属装置によりBeの検出も可) ・0.1nmφ~の細い電子線プローブで測定が可能 ・ドリフト補正機能を用いることで、面分析でサブnmの積層膜を分布像として識別可能 ・面...

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    【分析事例】Si系太陽電池のBSF層の評価

    断面イメージングSIMSにより面内分布のある不純物評価が可能

    表面に凹凸のある太陽電池について、凹凸の影響を避けて面内分布評価を行う方法として、断面加工試料をイメージングSIMSにより評価した事例を紹介します。断面SCMによりp+ Si層と判定された領域では、BとAlが高濃度存在することが分かりました。さらに、ラインプロファイルを用いてドーパント分布を濃度変換し、面内の不均一の度合いを数値化しました。太陽電池以外にもパワーデバイスなどの深い接合評価、トレン...

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    【分析事例】垂直入射法による深さ方向分解能の向上

    SIMS:二次イオン質量分析法

    調査しました(図1)。斜入射法においては、クレータ底面の粗れにより深さ方向分解能の向上に限界があることがわかります(図2)。 (2)垂直入射法による深さ方向分解能の向上 垂直及び斜入射法におけるBピーク(δドープ試料)の半値幅と一次イオンエネルギーの関係を図3に示します。斜入射法では分解能の向上に限界のあった一次イオンエネルギー1keV以下の領域において、垂直入射法では分解能の向上が達成され...

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    【分析事例】有機EL素子中不純物の深さ方向分析

    有機EL素子を深さ方向分解能よく評価

    しながら、陰極側から直接分析しても、陽極側からSSDP法*により分析しても、深さ方向分解能が低下し、界面から有機層への拡散を評価することは困難でした。(*SSDP法:裏面側からの分析。分析手法詳細編B0013参照。) そこで、特殊加工によって、陰極/有機層界面および有機層/陽極界面を露出させ、そこから有機層を分析することにより、有機層中を高い深さ方向分解能で評価することが可能になりました。...

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  • 【分析事例】汚染原因となる工程の調査 製品画像

    【分析事例】汚染原因となる工程の調査

    手袋由来の汚染の評価

    が何に起因するかを調べる必要があります。EDXでCが検出され、XPSで定量を行った付着物について、TOF-SIMSで分析を行いました。各工程で使用している標準試料の手袋と比較をしたところ、手袋A, Bと似た傾向が見られました。更に、標準試料の手袋をSiウエハに付着させて検証をしました。その結果、手袋Aに類似していることがわかりました。標準試料をSiウエハに付着させて検証することは有効な手段です。...

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    【分析事例】製剤中農薬原体のイメージング分析

    製剤中の農薬原体・無機成分の分布を可視化できます

    せる鉱物質もイメージングすることができます。今回、農薬原体の配合比率が異なる2種類の 製剤中の農薬原体や無機成分を可視化しました。製剤A(配合比率高)は農薬原体が製剤に広く分布していたのに対し、製剤B(配合比率低)では農薬原体は局在していました。...

    メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST

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    【分析事例】a-Si薄膜太陽電池中のドーパント濃度分布評価

    対象元素に応じて測定条件を選択

    フレキシブル薄膜Si太陽電池において、a-Si(アモルファスシリコン)中のドーパントの濃度分布を定量的に評価した事例をご紹介します。樹脂で封止されたサンプルを解体し、SIMS分析を行いました。 Bの分析(図3)では表面側の浅い箇所に存在するため、深さ方向分解能を高めて測定を行いました。 Pの分析(図4)ではa-Si中に多量のHが存在して質量干渉を起こすため、高質量分解能法によりH+Siを分...

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  • 【分析事例】フッ素系潤滑剤・高分子の同定 製品画像

    【分析事例】フッ素系潤滑剤・高分子の同定

    汚染成分を同定し、汚染発生工程を推定

    SIMSを用いて水はじきのよい場所に何が付着しているか分析を行いました。 各工程で使用しているフッ素系のオイルは、種類によってフラグメントパターンが異なることを利用し、指紋照合を行ったところ、工程Bのオイルに相当する物質が付着していることがわかりました。...

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    【分析事例】MEMS中ドーパントの三次元分布評価

    イメージングSIMSにより微小領域・微量元素の濃度分布を可視化できます

    市販品MEMSについて、BとAsの三次元イメージングSIMS測定を行いました(測定領域:75μm角、深さ:約1.5μm)。測定後のデータ処理により、任意断面・任意深さの面分布、任意領域の深さ方向分布、任意箇所のラインプロファ...

    メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST

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