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PR性能評価を低コスト・短納期で実施。試験計画から実施までトータルでサポー…
高性能モータの研究開発向け総合試験システム『EMoTS』を提供する当社では、 EV・HEV駆動用など電動モータの性能試験も受託しております。 受託試験場(弊社第2工場)では10kwから100kwまで各種試験機を揃えており、 お客さまの要求を伺いながら試験計画の立案だけでなく 試験治具の設計・製作などにも柔軟に対応可能。 希望される試験内容の確認後、供試モータを準備して頂くだけで ...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社テクニカルサポート
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PRADAS(先進運転支援システム)において欠かせない車載カメラ用ソケット…
自動車の信頼性や安全性を支える大切な要素になる為、開発時や量産時など各工程で適切な検査が必要です。 当社ではカメラモジュールをはじめセンサー/LED/車載・EVデバイス用の検査治具をカスタムで設計・製作致します。 【特徴】 ・モジュールの光学中心に合わせる「位置補正機構」の搭載が可能 ・多様なモジュールや形状に対応可能 ・PCB・FPC・BtoB等のコネクタへの適切なコンタクトをご提...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社SDK
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分析でEV開発のEVolutionを!
車載電池、デバイスをはじめとするEVに不可欠な部材に対して、好適な分析メニューをご提供します。...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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極浅い領域においてもドーパント分布・接合の評価が可能
デバイスの微細化により、極浅い領域における不純物の深さ方向分布評価の必要性が高まっています。 正確な評価を行うためには、通常よりも低いエネルギー(1keV以下)の一次イオンビームを用いたSIMS分析が必要になります。図1にBF2+ 1keV, P+ 1keV, As+ 1keVで注入されたSiウエハを一次イオンビームエネルギー250eV~300eVを用いて測定した例を示します。...詳しいデータ...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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XAFSは、物質にX線を照射することで得られる吸収スペクトルを解析する…
・試料中の着目元素周囲の局所構造(原子間距離、配位数)や化学状態(価数、配位構造)の評価が可能 ・環境(高温・高圧・雰囲気)を問わず、測定が可能 ・様々な試料形態(固体・液体・気体、薄膜、非晶質物質など)の測定が可能 ・適用可能な濃度範囲が広い(主成分元素から微量元素まで) ・非破壊測定 ・測定方法によっては、バルクだけでなく、表面敏感な測定も可能 ...物質にX線を照射するこ...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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電子が薄片試料を透過する際に原子との相互作用により失うエネルギーを測定…
EELS分析とは、電子が薄片試料を透過する際に原子との相互作用により失うエネルギーを測定する手法です。物質の構成元素や電子構造を分析することができます。 TEMに付属している元素分析装置(EDX)と比較して、下記の特徴があります。 ・EDXに比べて軽元素の感度が良い ・EDXに比べてエネルギー分解能が高い ・EDXに比べて空間分解能が高く、周辺情報を検出し難い ・元素によっては化学状...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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試料表面の組成の定性・定量や仕事関数評価に
UPSは、紫外光照射により放出される電子の運動エネルギー分布を測定し、試料極表面(数nm程度以下)の価電子状態に関する知見を得る手法です。その一方で、高いエネルギー分解能を利用して各種金属材料の仕事関数評価にも用いられています。 XPS分析と併せて測定が可能なため、試料表面組成の定性・定量や結合状態と仕事関数値との相関を調べることが可能です。...測定試料の仕事関数値よりも高いエネルギーを持...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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PL:PhotoLuminescence
フォトルミネッセンス法とは、物質に光を照射し、励起された電子が基底状態に戻る際に発生する光を 観測する方法です。得られる発光スペクトルから、様々な情報を得ることが可能です。 ・バンドギャップ約3.5eVまでのサンプルを励起することが可能 ・マッピング機能により、広範囲の情報を得ることが可能 ・約10Kまでの測定が可能 ・一般的に非破壊の測定であり、特殊な前処理が不要 ...フォトルミ...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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UPS:紫外光電子分光法
半導体では、価電子帯立ち上がり位置(VBM)と高束縛エネルギー側の立上り位置(Ek(min))より、イオン化ポテンシャルを求めることが可能です。 表面有機汚染除去程度のArイオンスパッタクリーニング後に測定を行っています。 ■価電子帯立ち上がり位置(VBM)の決定 価電子帯頂点近傍のスペクトルを直線で外挿し、バックグラウンドとの交点を求めます。 ■イオン化ポテンシャルの算出 イオン化ポ...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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