半導体レーザ・光デバイス用3Dシミュレーター　PICS3D

PR新たにクロスライト社のFDFDが加わり、FDTDより計算がかなり速く高…

＜主な特徴＞ ■共振器方向の効果が重要なデバイスの設計・解析に適しています ■モード結合理論と多層膜光学理論によりDFB,DBR,VCSELのような回折格子を 含むレーザダイオードが計算可能 ＜多様な物理モデルや機能＞ ■ウェーブガイド・グレーティングの結合係数（１次、２次のグレーティング） ■縦方向のキャリア密度分布、主・副縦モードについての光学利得と光強度 ■２次グレーテ...

メーカー・取り扱い企業： クロスライトソフトウェアインク日本支社

地上用トリプルジャンクション GaAs 太陽電池

セル厚が150±20μmの地上用トリプルジャンクション GaAs 太陽…

『地上用トリプルジャンクション GaAs 太陽電池』は、 セル面積が30.18cm2です。 基板材料は、GaInP/GaAs/Ge on Ge基板で、セル厚は150±20μm。 平均質量は、≦86mg/cm2(セル)です。 ...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社理経

GaAsレーザー電力変換ダイオード

波長領域810～860nmの単色光を電力に変換。各種センサ用電源やワイ…

GaAsレーザー電力変換ダイオードは、出力電圧3V～8Vで電力変換効率 60％以上の高性能な光電力変換ダイオードです。 この光学電力伝送は自由空間やオプティカルファイバで実施することが可能。 用途としては、ガルバニック絶縁、避雷保護、電磁干渉耐性を必要とする 各種センサ用電源やスマートフォンなどへのワイヤレス充電に使用できます。　 【特長】 ■GaAsを用いている ■出力電圧は...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社理経

集光型3接合 GaAs 太陽電池(3C44C 5.5mm)

5.6×6.0mm±0.1mmの集光型3接合 GaAs 太陽電池のご紹…

『集光型3接合 GaAs 太陽電池(3C44C 5.5mm)』は、 有効セル面積が5.5mm×5.5mm＝30.25mm2です。 基板材料は、InGaP/GaInAs/Ge on Ge基板で、寸法は5.6×6.0...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社理経

トリプルジャンクションGaAs太陽電池

人工衛星等の宇宙機に利用可能！多くの使用実績があります。

当製品は、数多くの人工衛星等の宇宙機に利用されている 高効率トリプルジャンクションGaAs太陽電池です。 これらの太陽電池を使用した太陽電池パネルも提供。 さらに、宇宙用フレキシブルGaAs太陽電池も提供しております。 【特長】 ■数多くの低軌道、静止軌道人工衛星、宇宙...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社理経

AZUR SPACE社のMP8: 高効率GaAsフォトダイオード

MP8はシリコンより50%高い効率を誇り、強固な組み立てと高温耐性を備…

ズ: 1.0 x 1.0 mm² - チップ厚さ: 450 µm ± 20 µm - ボンドパッドサイズ: 100 x 100 µm2 - ウェハーサイズ: 100 mm - 基板材料: GaAs - ARコーティング: TiOx/AlOx - 極性: 非P, フロントサイドカソード - フロント接触: 1.0 µm, Au仕上げ - バック接触: 1.0 µm, Au仕上げ チ...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社理経

地上用太陽電池セル及びCPVシステム

ソーラー無人航空機、ソーラーバイク、ソーラーボート等にも利用可能！

陽電池セル及びCPVシステム』は、標準サイズが3mm角、 5.5mm角及び10mm角です。 フラットパネル用の結晶シリコン太陽電池セル(平均効率約18～22％)、 シングルジャンクションGaAsフレキシブル太陽電池セル(平均効率26％)、 高効率トリプルジャンクションGaAs太陽電池セル(平均効率約32～35％)を 当社では取り扱っています。 カスタムサイズも提供可能。超軽量ソ...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社理経

VIPER RF Limited社のご紹介

航空宇宙・軍事・通信用途向で実績！VIPER RF Limited社製…

及び産業用途向けに採用実績を伸ばしております。 アンプ・スイッチ・フィルタの一体化など、ご希望の仕様に応じた カスタム品の設計・製造が可能です。 【主な製品】 ■HPA（GaN, GaAs）：１GHz～94GHz ■LNA（GaN, GaAs）：１GHz～94GHz ■Phase Shifter :１GHz～94GHz ■Up/Down Converter：１GHz～94GH...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社理経

AZUR SPACE社高効率光電変換器LPC-810-x-00

変換効率55%以上！過酷環境下デバイス駆動に理想的、電磁障害免疫と雷保…

× 1.82 mm² - アクティブエリア：直径1.5 mmの円 - チップ厚さ：0.460 mm ± 0.030 mm - ボンドパッドサイズ：0.2 × 0.2 mm² - 基板材料：GaAs - ARコーティング：空気に合わせたマッチング - 極性：非P、フロントサイドカソード - フロントコンタクト厚さ：≥ 1.0 µm、Au仕上げ - バックコンタクト厚さ：≥ 1.0 µ...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社理経

集光型3接合 GaAs 太陽電池(3C44C 10mm)

InGaP/GaInAs/Ge on Ge基板を使用したGaAs 太陽…

『集光型3接合 GaAs 太陽電池(3C44C 10mm)』は、 有効セル面積が10mm×10mm＝100mm2です。 基板材料はInGaP/GaInAs/Ge on Ge基板で、寸法は10.1×10.5mm±0...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社理経

地上用フレキシブルシングルジャンクション GaAs 太陽電池

平均質量は112mg(セル)で密度が114g/m2のGaAs 太陽電池…

『地上用フレキシブルシングルジャンクションGaAs 太陽電池』は、 平均質量が112mg(セル)です。 サイズは、50×19.6mm ±0.5で、密度は114g/m2。 受光面寸法は50×17.1mmです。 また、曲げ半径は＞5c...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社理経