• パワートランジスタ『CGD65A130SH2』 製品画像

    パワートランジスタ『CGD65A130SH2』

    無負荷状態でのデバイス損失がゼロに近くなる!高電流、高耐圧を実現

    『CGD65A130SH2』は、独自の材料を活用したエンハンスメントモード GaNオンシリコンパワートランジスタです。 ICeGaNゲート技術により、事実上すべてのゲートドライバーと コントローラーチップが利用可能。グランドプレーンを強化し、 熱性能を向上させ、 熱設計を簡素化します。 また、デバイスは、大きな銅領域に直接はんだ付けできます。 【特長】 ■簡単設計 ■高...

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    メーカー・取り扱い企業: SUPREME COMPONENTS INTERNATIONAL

  • パワートランジスタ『CGD65A055S2』 製品画像

    パワートランジスタ『CGD65A055S2』

    簡単設計、高信頼性!センス抵抗が必要な場合は、デバイスを直接接続可能

    『CGD65A055S2』は、エンハンスメント モードのGaNオンシリコン パワートランジスタです。 幅広い電子機器のスイッチング周波数に対して、互換性を実現する ICeGaNゲート技術には、事実上すべてのゲートドライバーと コントローラーチップを搭載。 電流検出機能を内蔵することにより別個の電流検出抵抗が不要になります。 【特長】 ■簡単設計 ■高信頼性 ■650V...

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    メーカー・取り扱い企業: SUPREME COMPONENTS INTERNATIONAL

  • パワートランジスタ『CGD65B240SH2』 製品画像

    パワートランジスタ『CGD65B240SH2』

    H2シリーズ ICeGaNで高度なNL3回路を搭載!無負荷状態でのデバ…

    『CGD65B240SH2』は、独自の材料を活用したエンハンスメントモード GaNオンシリコンパワートランジスタです。 当製品はICeGaNゲート技術により、事実上すべてのゲートドライバー とコントローラーチップが利用可能。デバイスは、大きな銅領域に 直接はんだ付けできます。 グランドプレーンを強化し、熱性能を向上させ、熱設計を簡素化します。 【特長】 ■簡単設計 ■高...

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    メーカー・取り扱い企業: SUPREME COMPONENTS INTERNATIONAL

  • パワートランジスタ『CGD65B130SH2』 製品画像

    パワートランジスタ『CGD65B130SH2』

    事実上すべてのゲートドライバーとコントローラーチップが利用可能!

    『CGD65B130SH2』は、独自の材料を活用したエンハンスメントモード GaNオンシリコンパワートランジスタです。 GaNの特性により、高電流、高耐圧を実現し、広範囲の電圧と 高いスイッチング周波数に対応。 デバイスは、大きな銅領域に直接はんだ付けできます。 グランドプレーンを強化し、熱性能を向上させ、熱設計を簡素化します。 【特長】 ■簡単設計 ■高信頼性 ■6...

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  • パワートランジスタ『CGD65A130S2』 製品画像

    パワートランジスタ『CGD65A130S2』

    互換性を実現するICeGaNゲート技術!ゲートドライバーとコントローラ…

    『CGD65A130S2』は、エンハンスメント モードのGaNオンシリコン パワートランジスタです。 電流検出機能を内蔵することにより別個の電流検出抵抗が不要。 外付けがないのでセンス抵抗が必要な場合は、デバイスを直接接続可能。 グランドの広い銅領域にはんだ付けされているため、平面、 熱性能の向上、熱設計を簡素化し、高周波をサポートする DFN 8x8 SMDパッケージです。 ...

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  • パワートランジスタ『CGD65B130S2』 製品画像

    パワートランジスタ『CGD65B130S2』

    高周波をサポートするDFN 5x6 SMDパッケージ!平面、熱性能の向…

    『CGD65B130S2』は、エンハンスメント モードのGaNオンシリコン パワートランジスタです。 幅広い電子機器のスイッチング周波数に対して、互換性を実現する ICeGaNゲート技術には、事実上すべてのゲートドライバーと コントローラーチップを搭載。 グランドの広い銅領域にはんだ付けされているため、 平面、熱性能の向上、熱設計を簡素化します。 【特長】 ■簡単設計 ...

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    メーカー・取り扱い企業: SUPREME COMPONENTS INTERNATIONAL

  • パワートランジスタ『CGD65B200S2』 製品画像

    パワートランジスタ『CGD65B200S2』

    幅広い電子機器のスイッチング周波数に対して、互換性を実現!

    『CGD65B200S2』は、エンハンスメント モードのGaNオンシリコン パワートランジスタです。 外付けがないのでセンス抵抗が必要な場合は、デバイスを直接接続可能。 グランドの広い銅領域にはんだ付けされているため、平面、熱性能の向上、 熱設計を簡素化します。 高周波をサポートするDFN 5x6 SMDパッケージです。 【特長】 ■簡単設計 ■高信頼性 ■650V-...

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