半導体レーザ・光デバイス用3Dシミュレーター　PICS3D

PR新たにクロスライト社のFDFDが加わり、FDTDより計算がかなり速く高…

＜主な特徴＞ ■共振器方向の効果が重要なデバイスの設計・解析に適しています ■モード結合理論と多層膜光学理論によりDFB,DBR,VCSELのような回折格子を 含むレーザダイオードが計算可能 ＜多様な物理モデルや機能＞ ■ウェーブガイド・グレーティングの結合係数（１次、２次のグレーティング） ■縦方向のキャリア密度分布、主・副縦モードについての光学利得と光強度 ■２次グレーテ...

メーカー・取り扱い企業： クロスライトソフトウェアインク日本支社

Nordic Bluetooth DK(開発キット)無料進呈

PR【先着8名】MDBT50Q-DB-33(nRF52833 BLEモジュ…

Bluetooth 5.2規格認証済み(QDID : 159932) MDBT50Q-DB-33を購入いただいたお客様先着8名様のみ。 Nordic Semiconductor社 Bluetooth ver.5.4対応の最新モデルnRF52833を搭載したBLEスタックモジュールの開発ボードです。 先着8名様に限り、MDBT53-DB-40を購入いただいたお客様にNordic nRF52833 D...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社フクミ

半導体プロセス＆デバイスシミュレータ「NovaTCAD」

2D/3Dのプロセスシミュレータとデバイスシミュレータを統合したクロス…

c-AlN(六方晶), etc.) ■シリコン (poly, SiGe, h-SiC(六方晶), a-Si(アモルファス), SiO2, etc.) ■金属 (metal(汎用), ITO, Cu, Ag, Fe, Zn, Cd, Al, Sn, Pb, etc.) ■絶縁体 (air(空気), vacuum(真空), TiO2, AlAs-oxide, sapphire, ...

メーカー・取り扱い企業： クロスライトソフトウェアインク日本支社

半導体レーザ・光デバイス用3Dシミュレーター　PICS3D

新たにクロスライト社のFDFDが加わり、FDTDより計算がかなり速く高…

c-AlN(六方晶), etc.) ■シリコン (poly, SiGe, h-SiC(六方晶), a-Si(アモルファス), SiO2, etc.) ■金属 (metal(汎用), ITO, Cu, Ag, Fe, Zn, Cd, Al, Sn, Pb, etc.) ■絶縁体 (air(空気), vacuum(真空), TiO2, AlAs-oxide, sapphire, ...

メーカー・取り扱い企業： クロスライトソフトウェアインク日本支社

CADによるGaN LEDの設計ツール

コンピュータ支援設計(CAD)によるGaN材料を用いたLEDの設計ツー…

分極の有無によるバンド、IQEドループ(IQE droop)をシミュレーション、分析。超格子(Super Lattice)のデザインについて紹介。InGaN LEDの典型的な2DシミュレーションやITO電極を持つLEDの完全3Dシミュレーションなどの例を紹介。...

メーカー・取り扱い企業： クロスライトソフトウェアインク日本支社

PICS3D(Fabry-Perot Edition)

2次元に特化した半導体レーザ向けデバイスシミュレーションプログラム(旧…

c-AlN(六方晶), etc.) ■シリコン (poly, SiGe, h-SiC(六方晶), a-Si(アモルファス), SiO2, etc.) ■金属 (metal(汎用), ITO, Cu, Ag, Fe, Zn, Cd, Al, Sn, Pb, etc.) ■絶縁体 (air(空気), vacuum(真空), TiO2, AlAs-oxide, sapphire, ...

メーカー・取り扱い企業： クロスライトソフトウェアインク日本支社

【動画】半導体レーザ用3Dデバイスシミュレーター　PICS3D

モード、光学利得、光強度、スペクトル、キャリア分布、バンド、波動関数な…

c-AlN(六方晶), etc.) ■シリコン (poly, SiGe, h-SiC(六方晶), a-Si(アモルファス), SiO2, etc.) ■金属 (metal(汎用), ITO, Cu, Ag, Fe, Zn, Cd, Al, Sn, Pb, etc.) ■絶縁体 (air(空気), vacuum(真空), TiO2, AlAs-oxide, sapphire, ...

メーカー・取り扱い企業： クロスライトソフトウェアインク日本支社

薄膜太陽電池のシミュレータ

薄膜太陽電池のデバイス解析ツール

ling)の特徴を、APSYSを用いて各物理モデル(physical models)や量子トンネリング(quantum tunneling)について紹介。a-Si, muC-Si, a-SiGeとITO/ZnOを使ってa-Siに対するモデルと材料の吸収特性(material absorption property)を説明。a-Si PIN太陽電池のモデリング結果として、二重接合(dual jun...

メーカー・取り扱い企業： クロスライトソフトウェアインク日本支社

【動画】PICS3D(Fabry-Perot Edition)

2次元に特化した半導体レーザ向けデバイスシミュレーションプログラム（旧…

c-AlN(六方晶), etc.) ■シリコン (poly, SiGe, h-SiC(六方晶), a-Si(アモルファス), SiO2, etc.) ■金属 (metal(汎用), ITO, Cu, Ag, Fe, Zn, Cd, Al, Sn, Pb, etc.) ■絶縁体 (air(空気), vacuum(真空), TiO2, AlAs-oxide, sapphire, ...

メーカー・取り扱い企業： クロスライトソフトウェアインク日本支社