クロスライトソフトウェアインク日本支社半導体プロセス＆デバイスシミュレータ「NovaTCAD」

最終更新日：2020-05-12 11:39:17.0
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2D/3Dのプロセスシミュレータとデバイスシミュレータを統合したクロスライト社のTCAD。無料試用版あり！

＜主な特徴＞
■半導体デバイス用の汎用2D/3D有限要素解析・設計ソフトウェア「APSYS」
■Stanford大学開発のSUPREMをクロスライトが独自に機能拡張した「CSUPREM」
■マスク編集ツール(GDSII可)
■デバイス断面構造の入力・編集ツール
■シミュレーション結果をグラフィカルに表示

＜デバイスシミュレーションのための多様な物理モデルや機能＞
■電流-電圧(I-V)特性
■ポテンシャル、電場、電流の2次元分布
■流体力学モデルにおけるホット・キャリア温度の2次元分布
■熱輸送モデルで用いられる格子温度の２次元分布
■様々なバイアス条件のもとでのバンド図
■任意の周波数帯における交流微小信号応答解析の結果
■荷電子混合モデルを用いた量子井戸のサブバンド
■半導体中の深いレベルにトラップされた不純物占有数と密度の２次元分布
■光検出器などの光デバイスの２次元光学場分布
■LEDの自己放出スペクトルの電流依存性

■その他機能や詳細については、カタログをダウンロードもしくはお問い合わせ下さい。
■試用版は「試用版お申込フォーム」からお申込みください。

基本情報半導体プロセス＆デバイスシミュレータ「NovaTCAD」

＜インターフェイス＞
■プロセスシミュレーションとデバイスシミュレーションがGUIを通して制御可能（マスクデータの編集機能、物理モデルやバイアス設定、結果の解析・表示機能、自動処理など）

＜材料マクロ (APSYS)＞
■化合物 (InGaAsNSb, AlGaAsSb, InAs, InAlAs, InP, InGaAlAs, etc.)
■窒化物 (GaN, InGaN, AlGaN, c-GaN(六方晶), c-AlN(六方晶), etc.)
■シリコン (poly, SiGe, h-SiC(六方晶), a-Si(アモルファス), SiO2, etc.)
■金属 (metal(汎用), ITO, Cu, Ag, Fe, Zn, Cd, Al, Sn, Pb, etc.)
■絶縁体 (air(空気), vacuum(真空), TiO2, AlAs-oxide, sapphire, etc.)
■有機物 (BPhen, BCzVBiドープCBP,CuPc, LiF, etc.)
■その他 (GaP, CdS, ZnTe, ZnSe, ZnS, etc.)

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納期	お問い合わせください
用途／実績例	＜適用デバイス・モデル＞ ■LDMOS ■LIGBT ■シリコン(ダイオード、JFET、NPNバイポーラ、TFT) ■CCD、CIS ■FDTD(2D/3D Lense、光検出器) ■HBT ■HEMT、FET ■LED(GaN MQW, QDot, OLED, RCLED.) ■デバイスと回路の混在シミュレーション ■NANDフラッシュメモリー ■NEGF(FINFET, HEMT, nanowire, NMOS) ■QWIP ■MESFET ■RTD ■ショットキートンネリング ■フォトニック結晶 ■光検出器 ■太陽電池 ■トンネル接合 ■TypeII型量子井戸光検出器など＜解析・プロット＞ ■物理量の空間分布 (ポテンシャル、キャリア密度、電流分布、バンド図、光モード分布、温度分布、多重量子井戸の波動関数、etc.) ■バイアス依存性 (L-I特性、I-V特性、電流と利得、電流と屈折率変化、etc.) ■スペクトル (モード利得、自然放出、屈折率変化、etc.) ■交流解析 (周波数特性、過渡解析、etc.)