電流導入端子

PR高真空、超高真空へ の電流導入端子です！

米国MPFプロダクト社の電流導入端子のご紹介です。 ■MIL丸型、C-Sub型のマルチピン、熱電対、高電流・高電圧タイプ、同軸タイプ等各種電流導入端子を取り扱っております。 ■電流導入端子と併せて使用するコネクタ、ケーブル等もお取り扱いがございます。 ■標準品のカスタマイズ（フランジの変更、ピン長さの変更等）にも対応しております。まずはお問い合わせ下さいませ。 ※詳しくはカタログを...

メーカー・取り扱い企業： 有限会社テクサム

USB/CANインターフェイス『Kvaser U100』

PR【納期1週間！】ガルバニック絶縁、IP67のシングルチャンネルCAN/…

『Kvaser U100』は、進化する自動車開発市場のニーズに真正面から対応する 強化されたガルバニック絶縁を備えた堅牢なシングルチャネルCAN/CANFD-USBインターフェイスです。 独自の電気回路の保護を強化し、防振、耐衝撃、落下防止のハウジング、高品質の ケーブルを利用して、CANインターフェース設計の新しい基準を確立。 J1939、CANopen、NMEA2000R、SocketCA...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社Renas

パワーデバイスの故障解析

ダイオード、MOS-FET、IGBT等のパワーデバイスの不良箇所特定・…

あらゆるサイズ・形状のダイオード・MOS FET・IGBT等の パワーデバイスに対し最適な前処理を行い 裏面IR-OBIRCH解析や裏面発光解析により不良箇所を特定し観察いたします。 ■解析の前処理－裏面研磨－ 　各種サンプル形態に対応します。 　Siチップサイズ：200um～15mm角 ■不良箇所特定－裏面IR-OBIRCH解析・裏面エミッション解析－ 　IR-OBIRCH...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社アイテス

『CSD15380F3』

20V N チャネル FemtoFET MOSFET『CSD15380…

『CSD15380F3』 は、20V、990mΩ、N-チャネルの FemtoFETMOSFETで、多くのハンドヘルドおよび モバイル・アプリケーション向けに、フットプリントを最小化するよう設計され、最適化されています。 容量が非常に小さいため、高速にスイッチングを実行できます。データライン・アプリケーションで 使用するとき、容量が低いことからノイズ・カップリングを最小に抑えられます。 ...

メーカー・取り扱い企業： 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社

【ディスクリート】IGBT　ラインアップ一覧

バイポーラデバイスの高耐圧・低オン抵抗！半導体に電圧を印加する3端子デ…

『IGBT』は、絶縁ゲートバイポーラトランジスタとも呼ばれ、 入力部がMOSFET構造、出力部がバイポーラー構造のトランジスタです。 MOSFETとバイポーラトランジスタの長所を両立させたような特性で、 MOSFETと同様に高速スイッチングが可能。 P-N-P-Nの4層からなる半導体素子により構成されて、数kVまでの 電力制御用途によく使われています。 【ラインアップ(抜粋...

メーカー・取り扱い企業： アールエスコンポーネンツ株式会社