株式会社アイテス パワーデバイスの故障解析

パワーデバイスの故障解析 http://www.ipros.jp/public/product/image/454/2000325037/IPROS3638934464014195102.png ・パッケージ状態・開封済みチップ・チップ単体・Wafer状態の裏面研磨  Siチップサイズ:200um~15mm ・IR-OBIRCH解析: ~100mA/10V ~100uA/25V まで対応          感度:数十pA          低倍最大視野:6.5mm角 ・エミッション解析: ~2kV まで対応           感度:数nA           低倍最大視野:6.5mm角 ・特定位置精度: ±0.3um、試料厚1.5um~0.1um ・機械研磨SEM観察: 大きな破壊箇所・異物・広範囲の観察 ・拡散層観察: TEM試料加工前に不良箇所近傍にて観察可能        構造により前処理が必要な場合あり ・FIB-SEM観察: クラック・形状異常・拡散層観察(~×50k) ・断面TEM観察: ゲート酸化膜の破壊・転位(~400k)   株式会社アイテス 分析解析・信頼性評価サービス 測定・分析 > 受託サービス > 受託解析 内容により御見積致します。
ダイオード、MOS-FET、IGBT等のパワーデバイスの不良箇所特定・観察を行います。

あらゆるサイズ・形状のダイオード・MOS FET・IGBT等の
パワーデバイスに対し最適な前処理を行い
裏面IR-OBIRCH解析や裏面発光解析により不良箇所を特定し観察いたします。

■解析の前処理-裏面研磨-
 各種サンプル形態に対応します。
 Siチップサイズ:200um~15mm角

■不良箇所特定-裏面IR-OBIRCH解析・裏面エミッション解析-
 IR-OBIRCH解析:~100mA/10V ~100uA/25V まで対応
 エミッション解析:~2kV まで対応
 *低抵抗ショート、微小リーク、高電圧耐圧不良など幅広い不良特性に対応

■リーク箇所のピンポイント断面観察-SEM・TEM-
 予測される不良に合わせてSEM観察・TEM観察を選択し
 リーク不良箇所をピンポイントで物理観察/元素分析を実施可能

基本情報パワーデバイスの故障解析

・パッケージ状態・開封済みチップ・チップ単体・Wafer状態の裏面研磨
 Siチップサイズ:200um~15mm

・IR-OBIRCH解析: ~100mA/10V ~100uA/25V まで対応
         感度:数十pA
         低倍最大視野:6.5mm角

・エミッション解析: ~2kV まで対応
          感度:数nA
          低倍最大視野:6.5mm角

・特定位置精度: ±0.3um、試料厚1.5um~0.1um

・機械研磨SEM観察: 大きな破壊箇所・異物・広範囲の観察

・拡散層観察: TEM試料加工前に不良箇所近傍にて観察可能
       構造により前処理が必要な場合あり

・FIB-SEM観察: クラック・形状異常・拡散層観察(~×50k)

・断面TEM観察: ゲート酸化膜の破壊・転位(~400k)
 

価格 内容により御見積致します。
価格帯 お問い合わせください
納期 お問い合わせください
※内容により異なります(特急対応あり)
用途/実績例 ・ボンディング起因の不良
 異物のアタック、応力によるクラック

・ICプロセス起因の不良
 各層パターンニング、ソースAl不良、異物混入、ゲート酸化膜破壊、転位

・FIB-SEMによる拡散層観察

カタログパワーデバイスの故障解析

取扱企業パワーデバイスの故障解析

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株式会社アイテス 分析解析・信頼性評価サービス

●電子部品の特性解析・信頼性技術  製品の高信頼性を支えるため、各種データの収集から故障解析まで一貫した解析・評価を行います。   ■環境寿命試験   ■故障解析   ■電気特性評価試験   ■電気特性評価試験   ■FIBによる半導体配線加工 ●部品・材料の物理的・化学的解析  研究開発・製造における原材料評価および特性評価を行います。  (物理分析)   ■組成分析   ■表面分析   ■形状観察   ■構造分析  (化学分析)   ■有機物分析   ■無機元素分析   ■イオン分析   ■微量不純物分析

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