株式会社アイテスパワーデバイスの故障解析

最終更新日：2019-11-07 14:17:13.0
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ダイオード、MOS-FET、IGBT等のパワーデバイスの不良箇所特定・観察を行います。

あらゆるサイズ・形状のダイオード・MOS FET・IGBT等の
パワーデバイスに対し最適な前処理を行い
裏面IR-OBIRCH解析や裏面発光解析により不良箇所を特定し観察いたします。

■解析の前処理－裏面研磨－
　各種サンプル形態に対応します。
　Siチップサイズ：200um～15mm角

■不良箇所特定－裏面IR-OBIRCH解析・裏面エミッション解析－
　IR-OBIRCH解析：～100mA/10V　～100uA/25V　まで対応
　エミッション解析：～2kV　まで対応
　＊低抵抗ショート、微小リーク、高電圧耐圧不良など幅広い不良特性に対応

■リーク箇所のピンポイント断面観察－SEM・TEM－
　予測される不良に合わせてSEM観察・TEM観察を選択し
　リーク不良箇所をピンポイントで物理観察/元素分析を実施可能

基本情報パワーデバイスの故障解析

・パッケージ状態・開封済みチップ・チップ単体・Wafer状態の裏面研磨
　Siチップサイズ：200um～15mm

・IR-OBIRCH解析：　～100mA/10V　～100uA/25V　まで対応
　　　　　　　　　感度：数十pA
　　　　　　　　　低倍最大視野：6.5mm角

・エミッション解析：　～2kV　まで対応
　　　　　　　　　　感度：数nA
　　　　　　　　　　低倍最大視野：6.5mm角

・特定位置精度：　±0.3um、試料厚1.5um～0.1um

・機械研磨SEM観察：　大きな破壊箇所・異物・広範囲の観察

・拡散層観察：　TEM試料加工前に不良箇所近傍にて観察可能
　　　　　　　構造により前処理が必要な場合あり

・FIB-SEM観察：　クラック・形状異常・拡散層観察（～×50k）

・断面TEM観察：　ゲート酸化膜の破壊・転位（～400k）
　

価格情報	内容により御見積致します。
納期	お問い合わせください ※内容により異なります（特急対応あり）
用途／実績例	・ボンディング起因の不良　異物のアタック、応力によるクラック・ICプロセス起因の不良　各層パターンニング、ソースAl不良、異物混入、ゲート酸化膜破壊、転位・FIB-SEMによる拡散層観察