【車載・EV】デバイス用テストソケット

PRADAS(先進運転支援システム)において欠かせない車載カメラ用ソケット…

自動車の信頼性や安全性を支える大切な要素になる為、開発時や量産時など各工程で適切な検査が必要です。 当社ではカメラモジュールをはじめセンサー/LED/車載・EVデバイス用の検査治具をカスタムで設計・製作致します。 【特徴】 ・モジュールの光学中心に合わせる「位置補正機構」の搭載が可能 ・多様なモジュールや形状に対応可能 ・PCB・FPC・BtoB等のコネクタへの適切なコンタクトをご提...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社ＳＤＫ

USB/CANインターフェイス『Kvaser U100』

PR【納期1週間！】ガルバニック絶縁、IP67のシングルチャンネルCAN/…

『Kvaser U100』は、進化する自動車開発市場のニーズに真正面から対応する 強化されたガルバニック絶縁を備えた堅牢なシングルチャネルCAN/CANFD-USBインターフェイスです。 独自の電気回路の保護を強化し、防振、耐衝撃、落下防止のハウジング、高品質の ケーブルを利用して、CANインターフェース設計の新しい基準を確立。 J1939、CANopen、NMEA2000R、SocketCA...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社Renas

【分析事例】白色LEDのフォトルミネッセンス分析

白色LED中のチップ、蛍光体の発光特性の確認

白色LEDは長寿命・省エネルギーであるため、近年需要が照明用途を中心に急激に増加しています。 白色LEDは青色の半導体チップを電気によって発光させ、その発光によって周囲の蛍光体（主に黄色）を光らせることに...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】GaN系LED構造中MgのSSDP-SIMS分析

裏面側からGaN系LED構造中の不純物プロファイルを取得可能

GaN系LEDにおいて、ドーパント元素であるMgが活性層まで拡散することにより発光効率が低下すると言われております。 本資料ではGaN系LED構造試料において、表面側及びサファイア基板側(裏面側)からSIMS...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】深紫外LED中Mgの深さ方向濃度分析

様々なAl組成のAlGaN中不純物の定量が可能です

SIMS分析で不純物濃度を求めるためには、分析試料と同じ組成の標準試料を使うことが必要です。紫外LEDやパワーデバイスに使われているAlGaNについて、様々なAl組成のAlGaN標準試料を取りそろえることで、MSTではより精度の高い不純物の定量が可能です。 市販深紫外LEDを解体後、SIMS分析...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】テクスチャ付きGaN系LEDの元素分布評価

凹凸のある構造でも平坦化加工により深さ方向分布評価が可能

GaN系LEDは照明用途としても広く用いられるようになりました。光の取り出し効率を高めるため、取り出し面に凹凸を設けることがありますが、この凹凸が深さ方向分析における深さ分解能の劣化を招きます。 テクスチャ凹...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】GaN系LED構造中不純物の深さ方向濃度分析

目的に応じた分析条件で測定します

GaN系LED構造のドーパント元素であるMgやSiの深さ方向濃度分布を複数の分析モードで評価した事例をご紹介します。 SIMS分析では目的に合わせて最適な分析モードを選択することで、より厳密な評価が可能になり...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】照明用発光素子の総合評価

LEDの解体から蛍光体・LEDチップなど各材料の分析まで行います

省エネルギー化のキーデバイス照明用LEDについて、市販品を解体し、各材料の組成分析・不具合箇所特定・物理解析・不純物分析など実施します。...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】GaN系デバイスの発光・発熱解析

GaN系デバイス耐圧評価、及び、表面発熱分布評価のご提案

GaN系のLEDと高周波デバイスについて、故障解析に有効な2つの手法の測定事例をご紹介します。 LED素子でロックイン発熱解析を行うことで、発光に伴う発熱の有無とそのタイミングを可視化することができるため、特異...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】UVセンサ　AlGaN中不純物濃度の高精度評価

様々なAl組成のAlGaN標準試料をラインアップ

SIMS分析において、より確かな濃度定量値を算出するには測定サンプルと組成の近い標準サンプルを用いることが不可欠です。 紫外LEDやUVセンサに用いられるAlGaNについて、Al含有量に応じたAlGaN標準試料を幅広く取り揃えたことで、より高精度にAlGaN中不純物濃度を求めることができるようになりました。 UVセンサのS...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】XRD・EBSDによるGaN結晶成長の評価

断面マッピングにより、GaNの結晶成長の様子を評価可能

窒化ガリウムGaNは、熱伝導率が大きい点や高耐圧といった特性のため、LEDやパワーデバイスなどの材料として用いられます。それら製品の製造工程では、デバイス特性に影響を与える結晶欠陥の無い、高品質なGaN結晶の作製が求められます。 本資料では、c面上に形成したGaN基板...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】XPSによるGaN膜の組成・結合状態評価

目的に合わせた測定条件で評価を行います

LEDやパワーデバイスに用いられるGaN膜について、XPSを用いて組成・結合状態を評価した例を紹介します。成膜条件や表面処理等により、組成や結合状態がどのように変わるのかを把握しておくことは、プロセス管理等に有効です。 評価の際は、目的に応じて使用するX線を適切に選択することが重要です。着目ごとの測定条件を併せてご紹介します。...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】SIMSによるGaN系LED構造の組成分析

GaN系LEDの主成分元素の組成を深さ方向に評価可能

える主成分レベルの元素の定量性は低いとされていますが、一次イオンにCs+を用いたMCs+(M:着目元素）検出モードを用いることで、主成分元素の深さ方向の組成分布を求めることが可能です。 GaN系LED構造におけるAl,Ga,Inについて、深さ方向の組成評価を行った例を示します。...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】エポキシ樹脂の構造解析

熱分解GC/MS法によるLED封止材の構造解析

性に優れ、機械的強度も高いため、電子機器の絶縁材料、接着剤、塗料、建築材料など種々の用途に用いられています。しかし溶剤溶解性が無いことから、構造決定のための分析手段は限られてしまいます。本事例ではLEDの封止材として使用されているエポキシ樹脂の熱分解GC/MS測定を行った事例を紹介します。主剤および硬化剤の構造を反映した熱分解生成物が得られ、本樹脂はビスフェノールA/酸無水物型のエポキシ樹脂と推...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】XAFSによるGaNのイオン注入ダメージ評価

照射欠陥やアニールによる結晶性の回復を確認することが可能です

窒化ガリウムGaNは、熱伝導率が大きい点や高耐圧といった特性のため、LEDやパワーデバイスなどの材料として用いられます。その製造工程では、結晶欠陥の無い高品質なGaN結晶の作製が求められるため、イオン注入などによるダメージやその回復度合いの確認は重要な評価項目となってい...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST