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PRヘリコンプラズマソースをイオン源として、ターゲット、基盤へのバイアス印…
ヘリコンプラズマソースをイオン源として、ターゲット、基盤へのバイアス印加により高品質かつフレキシブルな成膜をする装置です。 イオン源、ターゲット、基盤それぞれに対して独立した電流制御を行います。 複数のターゲットを搭載し、切り替えての多層成膜も簡単に行えます。同時にターゲット付近、基盤付近に独立したガス供給も行えるため、酸化膜・窒化膜をはじめとした様々な多層光学薄膜も成膜可能。新たな素材探索や成膜...
メーカー・取り扱い企業: ティー・ケイ・エス株式会社
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PR難しい材料、様々な基板形状、用途にも!非常に幅広い基板サイズに対応可能
当社では、研究・試作から量産まで対応可能な「オーダーメイド型 スパッタリング成膜装置(PVD)」を取り扱っております。 フレキシブルエレクトロニクス、光通信技術、薄膜太陽電池や バッテリー等の薄膜デバイスの研究開発から量産まで装飾や 表面保護のためのコーティングにも対応。 サンプルサイズ、成膜対象マテリアル、バッチプロセス等、お客様の 用途に応じて組み立てることが可能です。 ...
メーカー・取り扱い企業: プラズマ・サーモ・ジャパン株式会社
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SUSS MicroTec 両面位置精度測定器 DSM8Gen2
ウェハ表面/裏面のパターンの位置ズレを高精度で測定
DSM8/200 Gen2は2~8インチウェハに対応した両面位置測定装置です。 TIS(装置起因誤差)を除去する機能を備えており、MEMS、パワーデバイス、光デバイスといった分野の両面パターニング基盤において、高精度な測定を実現しています。...
メーカー・取り扱い企業: 兼松PWS株式会社
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Nova plusは、高速にダイをウエハ/サブストレート/ダイへのボン…
・アライメント精度:±2.5μm@3σ ・アライメント技術(特許) ・ボンディング時の接合方法 ・デュアルボンドヘッド搭載 ・光通信関係やシリコンフォトニクス関連での豊富な導入実績 ・MEMSセンサー、LiDAR、VCSEL etc 豊富な導入実績あり ・R&D向けや量産工場での導入経験豊富 【装置主要仕様】 ・アライメント精度:±2.5μm@3σ ・サイクルタイム:1.5...
メーカー・取り扱い企業: 兼松PWS株式会社
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SUSS MicroTec 手動マスクアライナMA/BAGen4
最大8インチ対応角基板まで対応可能 セミオートアライメント対応露光…
ズースマイクロテック MA/BA GEN4 は最大8インチ角基板まで対応可能なセミオートアライメント対応の露光機です。MEMS、光学部品の製造、化合物半導体などのR&D、少量生産用途に対して最適な装備を備えています。最適化されたアライメントマーク観察光学系と画像処理機能によりバラツキの少ないアライメントが行えます。...
メーカー・取り扱い企業: 兼松PWS株式会社
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ICA1205は、マルチビーム構造を採用したマルチレーザーダイシング装…
ーザー構造により、以下を実現 ・より細く切断が可能 ・切断時の温度を抑える ・基盤にかかる衝撃を抑える アプリケーション:RFIC、ディスクリート、Thin Wafer、LED、MEMS、 メモリー、パワーデバイス 〇その他ASM製取扱い装置 ・ワイヤーボンダー装置 ・2次元、3次元パッケージ外観検査装置 ・その他ダイボンダー装置(アライメント精度...
メーカー・取り扱い企業: 兼松PWS株式会社
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±0.3μm@3σと超高精度にダイをウエハ/ダイ/サブストレートにボン…
特徴】 ・アライメント精度:±0.3µ@3σ ・アライメント技術(特許) ・ボンディング時の接合方法 ・振動抑制機構の搭載 ・光通信関係やシリコンフォトニクス関連での豊富な導入実績 ・MEMSセンサー、LiDAR、VCSEL etc 豊富な導入実績あり ・R&D向けや量産工場での導入経験豊富 【装置主要仕様】 ・アライメント精度:±0.2µ@3σ ・サイクルタイム:20 t...
メーカー・取り扱い企業: 兼松PWS株式会社
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ASMPT社製フリップチップボンダー/ダイボンダーAFCPlus
AFC Plusは、高精度にダイをウエハ/サブストレート/ダイにボンデ…
た装置です。 【特徴】 ・アライメント精度:±1µm @ 3s ・アライメント技術(特許) ・ボンディング時の接合方法 ・光通信関係やシリコンフォトニクス関連での豊富な導入実績 ・MEMSセンサー、LiDAR、VCSEL etc 豊富な導入実績あり ・R&D向けや量産工場での導入経験豊富 【装置主要仕様】 ・アライメント精度:±0.2µ@3σ ・サイクルタイム:20 t...
メーカー・取り扱い企業: 兼松PWS株式会社
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