【論文誌進呈中】MOSFETとIGBTの違いをご存じですか？

PR近年の電源装置はスイッチング・ロスを低減できる「MOSFET方式」の採…

キセノンアークランプ用電源の回路構成における、「MOSFET方式」についてご紹介します。 スイッチング素子にはIGBT方式が多く採用されてきましたが、 こちらは高周波化が難しく、よって簡素化が難しいとされています。 当社では、大出力・簡素化の実現且つ高速スイッチングが可能な 「MOSFET方式」のご提案が可能となっております。 小電圧の入力で大電流を生み出すことができ、 また制御回路を簡素化す...

メーカー・取り扱い企業： パワーコントロ―ル社

SiCパワー半導体製品『CoolSiC MOSFET G2』

PRパワーシステムにおけるエネルギー変換効率を強化。次世代型の炭化ケイ素（…

SiCパワー半導体製品『CoolSiC MOSFET G2』は、次世代型のトレンチ技術をベースに 低損失化を実現したインフィニオンの最新世代となる第2世代SiC MOSFETです。 電力密度や蓄積電荷といったMOSFETの主要性能数値を、 品質と信頼性のレベルを損なわずに前世代より最大20％向上。 全体的なエネルギー効率を高めており、脱炭素化に一層寄与します。 太陽光発電インバー...

メーカー・取り扱い企業： インフィニオン テクノロジーズ ジャパン　株式会社

【IGBT,パワーMOSFET評価用】高電圧試験ボックス

高電圧試験環境での安全性を確保するために開発された高電圧試験ボックス！

パワーエレクトロニクスやパワー半導体素子の高電圧実験時に、感電から身を守るための適した試験環境を提供します。 この高電圧試験ボックスは、IGBTやパワーMOS FET、ダイオード、トランジスタなど、さまざまな半導体デバイスを対象に、 安全に高電圧実験を行うために設計されています。 本製品は、九州工業大学の大村先生の 「パワーデバイス評価実験において、学生の安全を最優先に考えた試験環境を整えたい」 ...

メーカー・取り扱い企業： 九州計測器株式会社