チェックしたものをまとめて:

  • PRシステムダウンを何としてでも回避したい!電源内に冗長化機能を内蔵。冗長…

    PULSは自社の AC/DCスイッチング電源、DC/DCスイッチング電源の「 CPシリーズ」に新たな独自の機能を提供します。 効率的なMOSFET技術に基づくデカップリング機能を内蔵した電源で、これらの電源を使用すれば、1 + 1及び n + 1 の冗長システムにおいて外付け追加の冗長化モジュールを用意する必要がありません。 【メリット】 ■冗長システム構築における複雑な工程とコストの削...(つづきを見る

  • PRCADbroは、15万円の価格で20種類以上の3DCADファイルや中間…

    CADbroは機能豊富かつ予算に優しいCADビューアソフトウェアです。CADデータを見ながらコミュニケーションが出来るように開発された製品です。3DCADデータの閲覧、測定、解りやすい3D注記とアドバンス分析機能を搭載されたCADbroにより仕事の流れを非常に効率的に行え製品の開発時間を大幅に短縮してコストも削減も計れます。 次回バージョンアップでは、CATIAの2Dデータ「.CATDraw...(つづきを見る

  • LEDバックライト駆動用 パワーMOSFETカタログあり

    LEDバックライト駆動に最適。 基板の薄型化に貢献する“面実装”高耐…

    ロームではLEDバックライト向けの昇圧コンバータ、ロードスイッチ回路に最適な MOSFETシリーズを開発、展開しました。 【LEDバックライト駆動用 パワーMOSFETの特長】 ・LEDバックライト向けの昇圧コンバータ、調光回路に最適。 ・業界最高クラスの低ON抵抗。 ・...(つづきを見る

  • 低オン抵抗・低Qgで大好評!「高速スイッチング・高耐圧MOSFETシリ…

    スイッチング電源のPFC回路やメインスイッチ回路向けに好評の「高速スイッチング・高耐圧MOSFETシリーズ」のラインアップを拡充。 面実装パッケージの「CPT3(D-PAK)」「LPT(D2-PAK)」や端子挿入パッケージの「TO-3PF」を新たにラインアップ。 【高速スイッチング・...(つづきを見る

  • カタログあり

    世界で初めてSiC-SBDとSiC-MOSFETを1パッケージ化。 …

    なインバータで使用されているSi-IGBTに比べて、動作時の損失を70%以上削減。低損失化を実現するとともに50kHz以上に高周波化することで、周辺部品の小型化にも貢献します。 【SiC-MOSFET SCH2080KEの特長】 ・SiC-MOSFETとSiC-SBDを1パッケージ内に同梱 ・立ち上がり電圧がなく優れた電流・電圧特性 ・順方向電圧を70%以上低減し、損失および部品点数を...(つづきを見る

  • 高耐圧 パワー MOSFET  ラインナップ 増加!  Nchシング…

    ニコセミコンダクター(台湾)はMOSFET専業メーカで、従来の低・中耐圧クラス【~400V】程度からさらに耐圧を増やした 700V の パワー MOSFET をリリース。今後は既存の高耐圧製品のラインナップを日本市場へ投入していく。 ...(つづきを見る

  • カタログあり

    高電圧 電力変換システム用!様々な電力交換システムに適しています。

    2000V N チャネルパワーMOSFETは、高電圧 電力変換システム用の高電圧パワーMOSFETです 低電圧素子による直列接続の必要性を排除し、オン抵抗の温度係数が正であるため並列動作させることができ、費用対効果の高い電源システムの...(つづきを見る

  • カタログあり

    MOSFETにおける3Dシミュレーション効果の解析ツール

    STI(shallow trench isolation)閉じ込めMOSにおいて、SiO2/Siインタフェース分離により、幅方向にドーパント拡散が起こる。HV(high voltage) MOSFETにとって、3D拡散(diffusion)と狭ゲート(narrow gate)サイドフィールドは閾値電圧Vthを幅を減らすかのように低い方へシフト。ナノMOSFETの典型的なプロセスフローでは、W...(つづきを見る

  • PrestoMOSカタログあり

    インバータの高効率化・実装面積の低減に貢献。 高速trr/高耐圧MO…

    により、高効率・低損失化、更には、電源基板の小型化に貢献します。また、面実装パッケージの「CPT3(D-PAK)」「LPT(D2-PAK)」を新たにラインアップ予定。 【高速trr/高耐圧MOSFET:PrestoMOSの特長】 ・低オン抵抗、低Qgに加えて内部ダイオードの高速trr化を実現。 ・内部ダイオードの高速trrによる、外付けFRD(ファストリカバリダイオード)の削減が可能。...(つづきを見る

  • SiCパワーMOSFETの活性層評価の製品画像ですカタログあり

    活性層の形状とドーパントを評価

    市販のSiCパワーMOS FET素子領域で拡散層分布を評価した事例をご紹介します。 SiC MOSFET製造プロセスでは、イオン注入と活性化熱処理、エピタキシャル層形成などによってチャネル形成します。活性層形成プロセスにおいて、TEM観察からデバイス構造を把握し、SCM測定からp型/n型の断面の拡...(つづきを見る

  • カタログあり

    ナノワイヤーMOSFETの非平衡グリーン関数計算による解析ツール

    ナノワイヤーMOSFETを解析するための物理モデルの特徴を紹介。シミュレーション効率を最大限に引き出すために円柱座標系を使用。チャネル領域にはNEGF(Non-Equilibrium Green's Function)...(つづきを見る

  • 【分析事例】トランジスタ(MOSFET)の拡散層分布評価の製品画像ですカタログあり

    SCMによる特定箇所の拡散層評価

    市販LSI 内MOSFETのSCM分析事例を紹介します。まず、特定のトランジスタの断面を機械研磨で露出します。この時、Si面はnm オーダーまで平坦に研磨されています。SCM像では層の分布が二次元的に確認できます。定量的...(つづきを見る

  • カタログあり

    MOSFETの基板電流解析ツール

    プロセスシミュレーターCSupremでNMOS(N-channel MOSFET)のモデリング例を紹介。CSupremデバイスシミュレータAPSYSによる特性解析を例示。また、鐘型曲線(Bell Bell-shaped curves)の基板電流(substrate curr...(つづきを見る

  • カタログあり

    ハイボルテージMOSFETの2/3次元デバイス解析ツール

    ハイボルテージ(High Voltage) MOSFETを題材に2次元/3次元シミュレーションを紹介。内容:プロセスシミュレーターCSupremとデバイスシミュレーターAPSYSのモデルを概観、プロセスシミュレーションについて解説、300V LDMO...(つづきを見る

  • カタログあり

    アタッチメントの取付けだけでDC24VリレーがDC450Vにアップグレ…

    『リレー用MOSFETアタッチメント』は、並列につなぐだけでDC24Vリレーを DC450Vにアップグレードできるアタッチメントです。 接点のアーク時間が劇的に短縮されるため長寿命。 リレー内部の温度を下げ...(つづきを見る

  • LVからHVまで幅広いラインナップを持つ台湾のMOSFETメーカー。

    台湾マザーボードマーケットにてシェア1位のMOSFETメーカー。低オン抵抗値品、小型パッケージ等の製品から、Super Junction MOSFETまで幅広いラインナップを持っています。...(つづきを見る

  • SiCパワーMOSFETのコンタクト電極評価の製品画像ですカタログあり

    コンタクト電極/SiC層の界面の相同定・元素分布評価

    市販のSiCパワーMOS FET素子の解析事例をご紹介します。 SiC材料では、SiだけでなくCを含めた系での材料制御が必須となり、従来のSi半導体の製造方法と違いがあります。コンタクト電極とSiC層のオーミック接合形成プロセスにおいて、TEMを用いたEDX/EELS分析および電子回折から、Cを含めた元素分布や結晶相を評価しました。...詳しいデータはカタログをご覧ください...(つづきを見る

  • MOSFET、IGBT、FRDチップの自社設計~製造を行う韓国・マグナ…

    SIGNAL向けファンドリービジネスを はじめ、DISPLAY用ドライバ-ビジネス、POWER SOLUTIONSビジネスの 3つの事業部にて事業を展開している半導体メーカーです。 MOSFET、IGBT、FRDチップは全て自社設計、自社製造です。 【主な製品】 ■LED driver IC ■DC-DC converter IC ■AC-DC converter IC ...(つづきを見る

  • カタログあり

    高出力・高利得・低ノイズなハイパワートランジスタ

    高出力、高利得、高効率、低ノイズを特徴とするハイパワートランジスター。Point9社のメタルゲートMOSFETはは他同等品と比較して3~ 4dBの高利得性能を誇ります。Point9社は高い品質基準を保つために、MOSFETの専売と自社生産に力を入れております。...(つづきを見る

  • 650V耐圧SJ-MOSFET内蔵 AC/DCコンバータカタログあり

    らくらく設計、安心サポート!MOSFET内蔵AC/DCコンバータ。評価…

    BM2PシリーズはACアダプタ、家電、オフィス機器など25WクラスまでのAC/DC電源をターゲットに開発。独自の低オン抵抗スーパージャンクション(SJ)MOSFETを内蔵することにより高効率を実現。  【ACDCコンバータIC特長】 ・自社スーパージャンクションMOSFET採用で大きく省エネ化! ・業界最高クラスの高効率を実現! ・待機時の電力...(つづきを見る

  • カタログあり

    イミュニティ特性良好で 高速スイッチング回路で高い信頼性に貢献!

    MGJシリーズは、IGBT/ SiC/ MOSFETゲート駆動回路用電源の新規設計又は既存ディスクリート設計の置き換え版として最適です。形状はSMT/ SIP/ DIPの3形状あります。 1.5kV又は3kVまでのDCリンク電圧を要する低~中電...(つづきを見る

  • カタログあり

    最新のトレンチDMOSテクノロジーを採用!シングルチャンネルMOSFE…

    ELM2H400SA-S/ELM2H401SA-Sは低入力容量、低電圧駆動、低ON抵抗という特性を備えた大電流MOS FETです。 パッケージは、SOT-723を採用しています。 株式会社エルムテクノロジー従来製品SOT-23と比較して面積比は1/4です。 【特徴】 ○低入力容量 ○低ON抵抗 ○低電圧駆動 詳しくはお問い合わせ、またはカタログをダウンロードしてください。.....(つづきを見る

  • 自らの製造、安い 自らのQC検査 安全 自らの販売 安心

    1. 高度な適用性インバータ( mosfet)技術、3人に1溶接機、 mma/tig/cut仕事ができる 2。適切な金属板切り出すことが簡単かつ迅速に 3. 適切な切削ステンレス鋼、銅、鉄とアルミなど。 4. 操作簡単と滑らかな切断面。 5. hf (高周波数)アーク始動。 6. 機械用用切断&溶接...アイテム/モデル ct-312 電源電圧( v) 230 周...(つづきを見る

  • 自らの製造、安い 自らのQC検査 安全 自らの販売 安心

    1. mosfet&インバータ技術 2.コンパクト、ポータブル、高効率、低消費、省エネ 3. 防静電、サーモスタット制御、冷却、キャリングストラップとハンドル 4.ホットスタート、アーク力、過負荷保護 5. 柔軟な使用のため溶接材料など:鋼鉄、チタン、銅、ニッケルと合金。...アイテム/モデル tig-250 電源電圧( v) 380 +-10% 周波数( hz) 50/60 定格入...(つづきを見る

  • BD7682FJ-LB

    SiC-MOSFETの性能を最大限に引き出し産業機器の省電力化、小型化…

    大電力(高電圧×大電流)を扱うインバータやサーボなどの産業機器で採用が進むSiC-MOSFET駆動用AC/DCコンバータ制御IC「BD7682FJ-LB」を開発。 SiC-MOSFET搭載AC/DCコンバータを容易に実現可能。省電力化、小型化が求められるAC/DCコンバータ市場に新たな...(つづきを見る

  • 自らの製造、安い 自らのQC検査 安全 自らの販売 安心 無料サンプ…

    1)インバータ技術mosfetスイッチ、コンパクトなデザインと省エネ。 2)使用空気プラズマアーク切断プロセス、高い切削速度。 3) dc出力。3で1多彩なため切断プロセス、tigとmma溶接プロセス、切断電流が正確に制御。 4)優れたhf (高周波数)アーク始動、滑らかな切断面、強い補償能力。 5)自動保護の過熱や過電流。...定格電源電圧(v) 230 供給周波数(hz) 50/60...(つづきを見る

  • 自らの製造、安い 自らのQC検査 安全 自らの販売 安心

    1. mosfet&インバータ技術 2.コンパクト、ポータブル、高効率、低消費、省エネ 3. 防静電、サーモスタット制御、冷却、キャリングストラップとハンドル 4.ホットスタート、アーク力、過負荷保護 5. extremely柔軟な使用のため溶接材料など:鋼鉄、チタン、銅、ニッケルと合金。...アイテム/モデル ws-200 電源電圧( v) 230 周波数( hz) 50/6...(つづきを見る

  • 自らの製造、安い 自らのQC検査 安全 自らの販売 安心

    1. インバータ技術mosfetスイッチ、ポータブルデザインと省エネ。 2. 単相、dc出力、溶接電流が正確に制御。 3簡単にアーク、深い浸透、強い補償能力と少しスプラッシュ。 4自動保護の抗スティック過熱や過電流。...tem/モデル MMA-140m 電源電圧( v) 230 周波数( hz) 50/60 定格入力容量( kva) 4.8 無負荷電圧( v) 56 ...(つづきを見る

  • 6~60V、三相スマート・ゲート・ドライバ『DRV832x』

    ミリのデバイスは、三相アプリケーション用の統合ゲート・ ドライバです。このデバイスには、3つのハーフ・ブリッジ・ゲート・ドライバがあり、 それぞれがハイサイドとローサイドのNチャネル・パワーMOSFETを駆動できます。 当製品は、内蔵のチャージ・ポンプを使用してハイサイドMOSFET用の、リニア・ レギュレータを使用してローサイドMOSFET用の、適切なゲート駆動電圧を生成します。 ...(つづきを見る

  • 自らの製造、安い 自らのQC検査 安全 自らの販売 安心 無料サンプ…

    1)インバータ技術mosfet/igbt、コンパクトなデザインと省エネ。 2)使用空気プラズマアーク切断プロセス、高い切削速度。 3) dc出力。切断電流が正確に制御。 4)優れたhf (高周波数)アーク始動、滑らかな切断面、強い補償能力。 5)自動保護の過熱や過電流。...定格電源電圧(v) 230 供給周波数(hz) 50/60 定格入力容量(kva) 4.8 無負荷電圧(v) ...(つづきを見る

  • カタログあり

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    1)インバータ技術mosfet/igbt、コンパクトなデザインと省エネ。 2)使用空気プラズマアーク切断プロセス、高い切削速度。 3) DC出力、切断電流が正確に制御。 4)優れたhf (高周波数)アーク始動、滑らかな切断面、強い補償能力。 5)自動保護の過熱や過電流。...定格電源電圧(v) 230 供給周波数(hz) 50/60 定格入力容量(kva) 4.8 無負荷電圧(v) ...(つづきを見る

  • 自らの製造、安い 自らのQC検査 安全 自らの販売 安心

    1. (mosfet)インバータ技術。 2。コンパクト、ポータブル、高効率、低消費、省エネ。 3. サーモスタット、冷却、キャリングストラップとハンドル。 4。ホットスタート、アーク力、過負荷保護。 5. 溶接のすべての種類の非鉄金属などの低炭素鋼、中炭素鋼や合金鋼、など。...アイテム/モデル MMA-200MS メイン電圧 単相230ボルト 周波数 50/60 hz 定格入...(つづきを見る

  • カタログあり

    自らの製造、安い 自らのQC検査 安全 自らの販売 安心

    1. 切断能力は 酸素切断より 2倍増加しています 2 . 適切な金属切り出すことが簡単、迅速です 3. 適切な切削ステンレスは鋼、銅、鉄とアルミなど。 4.操作簡単と切断面が滑らか 5. hf (高周波数)アーク始動。...アイテム cut-40 電源電圧( v) 380±15 % 周波数( hz) 50/60 定格入力容量( kva) 9 無負荷電圧( v) 2...(つづきを見る

  • カタログあり

    自らの製造、安い 自らのQC検査 安全 自らの販売 安心

    1. 切断能力は 酸素切断より 2倍早い 2 . 適切な金属切り出すことが簡単、迅速です 3. 適切な切削ステンレスは鋼、銅、鉄とアルミなど 4.操作簡単と切断面が滑らか 5. hf (高周波数)アーク始動...アイテム/モデル CT-416 電源電圧( v) 230 周波数( hz) 50/60 クールタイプ ファン デューティサイクル( %) 60 重量( k...(つづきを見る

  • カタログあり

    自らの製造、安い 自らのQC検査 安全 自らの販売 安心

    1. 切断能力は 酸素切断より 2倍早い 2 . 適切な金属切り出すことが簡単、迅速です 3. 適切な切削ステンレスは鋼、銅、鉄とアルミなど 4.操作簡単と切断面が滑らか 5. hf (高周波数)アーク始動...モデル CUT-70 電源電圧( v) 230 周波数( hz) 50/60 定格入力容量( kva) 10 無負荷電圧( v) 255 出力電流範囲( ...(つづきを見る

  • カタログあり

    少量のお見積もり依頼も大歓迎!お気軽にお問い合わせください。

    製品 ・整流器・ダイオード・トランジスター・MOSFET ・アナログパワーマネジメント・アナログホールIC ・アレー構成電源IC・ロードロップレギュレータ ・三端子レギュレータ アンプ ・オペアンプ・コンパレータ パワーマネジメントIC...(つづきを見る

  • カタログあり

    少量のお見積もり依頼も大歓迎!お気軽にお問い合わせください。

    製品 ・整流器・ダイオード・トランジスター・MOSFET ・アナログパワーマネジメント・アナログホールIC ・アレー構成電源IC・ロードロップレギュレータ ・三端子レギュレータ アンプ ・オペアンプ・コンパレータ パワーマネジメントIC...(つづきを見る

  • カタログあり

    SiCの特徴を生かしたパワーデバイスソリューションの総合カタログです。

    、高信頼性、トータルコスト低減を実現する事が可能な様々な製品が掲載されています。 【掲載製品】 ○CREE Z-REC(TM) SiC SBD ○CREE Z-FET(TM) SiC MOSFET ○CREE SiC POWER MODULES ○CREE Power Module Gate Drivers ○Discrete MOSFET評価ボード 詳しくはお問い合わせ、ま...(つづきを見る

  • IXYS半導体:IGBT、MOSFET、FRED、SCR、DIODE、絶縁モジュール、ドライバー、DCB基板、高電圧DIODEの製品画像です

    高速スイッチング素子、高速リカバリー整流素子

    1.スイッチング速度が+1秒台 2.整流速度が+1秒台 3.2500VまでのIGBT 4.絶縁放熱型パッケージ 5.45MHz台の高速ドライバー...インバータ制御、自動車電子制御、工作機械制御、産業機械制御、電車制御、通信機器制御...(つづきを見る

  • 降圧レギュレータ搭載60V、3相スマート・ゲート・ドライバ 『DRV8…

    『DRV8320R』は、3つのハーフブリッジ・ゲート・ドライバを備え、それぞれハイサイドとローサイドの Nチャネル・パワーMOSFETを駆動可能。 ハイサイドMOSFET用に内蔵チャージ・ポンプを、ローサイドMOSFET用にリニア・レギュレータを使用し、 適切なゲート駆動電圧を生成します。スマート・ゲート・ドライブ・ア...(つづきを見る

  • カタログあり

    従来のパワーリレーのイメージを覆す超小型化を実現した、大容量パワーリレ…

    当社の『大容量パワーリレー』は、近年ニーズが高まる電気自動車やハイブリッドカーのバッテリ駆動への対応と、リレーの大容量化・省エネ化を実現しています!MOSFETによるダイレクトドライブのため超小型で、板形状のため、狭い場所にもしっかりフィット。メカニカル接点の超小型パワーリレーもご用意しており、1個からご要望に合ったリレーをご提供致します。 【特...(つづきを見る

  • カタログあり

    自らの製造、安い 自らのQC検査 安全 自らの販売 安心

    1. 切断能力は 酸素切断より 2倍早い 2 . 適切な金属切り出すことが簡単、迅速です 3. 適切な切削ステンレスは鋼、銅、鉄とアルミなど 4.操作簡単と切断面が滑らか 5. hf (高周波数)アーク始動...アイテム/モデル cut40 電源電圧( v) 230 周波数( hz) 50/60 定格入力容量( kva) 4.8 無負荷電圧( v) 230 出力電...(つづきを見る

  • 60-V N チャネル FemtoFET MOSFET『CSD1854…

    54mΩ、60V Nチャネル FemtoFET MOSFETテクノロジ『CSD18541F5』は、 スペースに制約のある多くの産業用ロードスイッチ・アプリケーションで、 フットプリントを最小限にするよう設計され、最適化されています。 標準の小信...(つづきを見る

  • 自らの製造、安い 自らのQC検査 安全 自らの販売 安心 無料サンプ…

    1)インバータ技術mosfet/igbt、コンパクトなデザインと省エネ。 2)使用空気プラズマアーク切断プロセス、高い切削速度。 3) dc出力、切断電流が正確に制御。 4)優れたhf (高周波数)アーク始動、滑らかな切断面、強い補償能力。 5)自動保護の過熱や過電流。...定格電源電圧(v) 380 供給周波数(hz) 50/60 定格入力容量(kva) 9 無負荷電圧(v) 25...(つづきを見る

  • カタログあり

    最高98%の高効率を実現!非絶縁型降圧/昇降圧PoLレギュレータシリー…

    ル型 電源コンポーネントおよび電源システムを設計、製造、販売を 行っているバイコー社の製品です。 非絶縁型降圧レギュレータ「P13xxxシリーズ」は、ZVSコントロールIC、 パワーMOSFETを内蔵。最大6個までの並列同期運転機能を搭載しています。 昇降圧PoLレギュレータ「P137xxシリーズ」は、動作温度範囲が -40~+125℃と広範囲。入力低電圧/過電圧、出力過電圧、...(つづきを見る

  • カタログあり

    ひずみ持ったMOSFETの量子井戸の解析ツール

    s)をした移動拡散方程式(drift-diffusion equations)の自己無撞着解(self-consistent solution)が可能。様々な応力や結晶方向のひずみを持つシリコンMOSFETの特性が予測可能。...(つづきを見る

  • カタログあり

    高電圧 電力変換システム用!様々な電力交換システムに適しています。

    2000V N チャネルパワーMOSFETは、高電圧 電力変換システム用の高電圧パワーMOSFETです 低電圧素子による直列接続の必要性を排除し、オン抵抗の温度係数が正であるため並列動作させることができ、費用対効果の高い電源システムの...(つづきを見る

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