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    LV-SEMとEBIC法によるSiC MOSFETの拡散層の観察

    SiCパワーデバイスでも、特定箇所の断面作製、拡散層の形状観察、さらに…

    当社では、LV-SEMとEBIC法によるSiC MOSFETの拡散層の観察を 行っております。 FIBを用いた特定箇所の断面作製、LV-SEM/EBICによる拡散層の 形状観察、さらにTEMによる配線構造、結晶構造までのスルー解析が SiCパ...

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    SiCデバイスの裏面発光解析

    SiCデバイスの前加工→リーク箇所特定→物理解析/成分分析までスルー対…

    SiCは従来のSi半導体と比べ、エネルギーロスの少ない パワーデバイスであり注目を集めていますが、Si半導体とは 物性が異なるため、故障解析も新たな手法が必要となります。 SiC MOSFET裏面発光解析事例では、海外製SiC MOSFETをESDにより、 G-(D,S)間リークを作製、発光解析にて、リーク箇所を示す多数の 発光を検出。 発光箇所をTEM観察したところ、Si...

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  • 短絡耐量評価・解析レポート 製品画像

    短絡耐量評価・解析レポート

    短絡耐量性を測定し、故障メカニズムを明らかにします!

    株式会社エルテックは『短絡耐量評価・解析レポート』を販売しています。 短絡故障の瞬間に爆発する他のSiC MOSFETと比較して、 INFINEON CoolSiC MOSFETは爆発することなくソフトに故障します。 このレポートでは、短絡耐量性を測定し、故障メカニズムを明らかにしています。 【特...

    メーカー・取り扱い企業: 株式会社エルテック

  • 樹脂材料(半導体 LED用途)の分析 製品画像

    樹脂材料(半導体 LED用途)の分析

    樹脂材料を分析し、製品性能に与える特性を評価することが可能!

    株式会社アイテスでは、樹脂材料(半導体 LED用途)の分析を行っております。 MOSFET、ICといった半導体製品、LEDパッケージには、エポキシ樹脂や シリコーン樹脂といった 樹脂材料が多く使用されています。 これらの特性は製品の性能に大きく寄与します。当社ではこれらの ...

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