半導体『StrongIRFET2 パワーMOSFET』

定評のあるStrongIRFET MOSFETを補完！より高性能な製品…

『StrongIRFET2 パワーMOSFET』は、幅広いアプリケーションに対応する インフィニオンのMOSFET技術です。 低周波および高周波の両方のスイッチング周波数に好適。 当製品は、定評のあるStrongIRFET M...

メーカー・取り扱い企業： 旭テック株式会社 大阪本社 / 東京支店 / 名古屋営業所

OptiMOS6 パワーMOSFET 40Vノーマルレベル

不要なターンオンに対する堅牢性をさらに高めることができる半導体です！

『OptiMOS6 パワーMOSFET 40Vノーマルレベル』は、ノイズの多い環境でも 誤作動を起こさないノーマルゲート駆動の半導体です。 QGD/QGS比を小さくすることで、ゲート電圧スパイクのピークを抑え、 不要なター...

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半導体『OptiMOS5 25Vおよび30VパワーMOSFET』

高い電力密度とエネルギー効率を実現！ベンチマークソリューションを提供し…

『OptiMOS5 25Vおよび30VパワーMOSFET』は、2つのパーツを1つのOリング アプリケーションで交換できる半導体です。 当製品によりインフィニオンは、待機時およびフル稼働時の両方で高い 電力密度とエネルギー効率を実現し、ベンチ...

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『高耐圧スーパージャンクションMOSFET』

600V 高耐圧スーパージャンクションMOSFET

Infineon Technologies社の『CoolMOS CSFD』は、高耐圧スーパージャンクションMOSFETに、高速ボディダイオードを搭載しています。 低いRDS(ON) x Qg, Eossにより低いFOM性能指数を実現。 優れた逆回復ダイオードdv/dtとdif/dt耐量などの特長をもって...

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モジュール『Easy 1B, 2B』

高効率なため運用コストも削減可能。高い電力密度をもつパワーモジュール

Infineon Technologies社の『Easy 1B, 2B』は、SiC MOSFETを搭載した パワーモジュールです。 低浮遊インダクタンスの標準となったEasyパワーモジュールの特長と、 インフィニオンの1200V CoolSiC MOSFETチップの特長を組み合わ...

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モジュール『F3L11MR12W2M1_B74』

CoolSiC トレンチMOSFET技術を搭載！優れたゲート酸化膜信頼…

モジュールを並列接続した場合、ソーラーシステムでは150kW、 蓄電システムではモジュールあたり75kWの電力を得ることが可能。 さらに、クラス最高レベルのCoolSiC トレンチMOSFET技術を搭載し、 優れたゲート酸化膜信頼性を実現しています。 【特長】 ■CoolSiC トレンチMOSFETテクノロジー ■3レベルのANPCトポロジー ■1200VのスイッチでD...

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半導体『TOLTパッケージのOptiMOS5 80V/100V』

狭いVGS(th)レンジ！エクスポーズドパッドに特殊な仕上げをし、優れ…

た熱伝導性を確保。 高出力性能を備えた電子制御ユニットが、以前にも増してパワーステージの 上面冷却で設計されているため、インフィニオンはこの新しい要件を サポートする専用パッケージで、MOSFETラインアップを補完しました。 【特長】 ■上面冷却に特化したTOLTパッケージ ■最小のRDS(on)は80Vで1.1mΩ、100Vで1.5mΩまで低下 ■低いパッケージ抵抗と浮遊イ...

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EiceDRIVER X3 Compact(1ED31xx)

コンパクト且つ設計が容易！40Vの絶対最大出力電源電圧のゲートドライバ…

且つ設計が容易。 以前発売されたゲートドライバファミリには、DSO-8 150ミルナローボディ パッケージが加わりました。 【特長】 ■IGBT(IGBT7含む)、SiC、Si、MOSFET用 ■出力電流14A、伝播遅延マッチング7ns ■90nsの伝播遅延、入力フィルタで30ns ■40Vの絶対最大出力電源電圧 ■ソース出力とシンク出力の分離またはアクティブミラークランプ...

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GaNデバイス ACアダプタのパワー向上とサイズダウンを実現

大容量ACアダプタの小型化に。45WのACアダプタと比較し約40％のパ…

『TP65H300G4LSG』はトランスフォーム社の第4世代GaNパワーデバイスです。 汎用のMOSゲートドライバで駆動でき、Si-MOSFETと同様に使用可能。 スイッチングロスが少なく、高周波の電源機器の小型化に適しており、 65Wの小型ACアダプタの開発で採用実績があります。 【仕様】 ■パッケージ：8×8 PQFN ...

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GaNパワーデバイス『TP65H300G4LSG』

大容量ACアダプタの小型化に。45WのACアダプタと比較し約40％のパ…

『TP65H300G4LSG』はトランスフォーム社の第4世代GaNパワーデバイスです。 汎用のMOSゲートドライバで駆動でき、Si-MOSFETと同様に使用可能。 スイッチングロスが少なく、高周波の電源機器の小型化に適しており、 65Wの小型ACアダプタの開発で採用実績があります。 【仕様】 ■パッケージ：8×8 PQFN ...

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