SDGs貢献と循環型社会の実現へ！　リサイクル樹脂材料

PR環境配慮型製品の開発にお役立ていただけるプラスチック材料各種をはじめと…

我が国は資源小国であり他国に資源を依存しています。また、人類80億人時代にたった1度の使用で物を廃棄することは資源効率が不十分であると思います。 そうした考えのもと、当社ではリサイクル材料を各種開発・販売しております。これらのリサイクル材料等を活用した製品を設計・開発していただくことで、循環型社会の実現やSDGsの達成に貢献することが可能です。 【リサイクル材料のご紹介】 ・エコマー...

メーカー・取り扱い企業： 緑川化成工業株式会社 本社

【事例】GCIBを用いたSiO2中アルカリ金属の深さ方向濃度分布

SiO2膜の不純物の評価

アルカリ金属であるLi,Na,Kは半導体における各種故障原因の要の元素です。これらは測定時に膜中を移動してしまう可動イオンと言われており、正確な分布を得ることが困難とされてきました。 今回、スパッタイオン源にGCIB(Arクラスター)を用いたTOF-SIMSの深さ方向分析を行うことにより、常温下の測定でもアルカリ金属の移動を酸素スパッタガンに比べ抑えられることがわかりました。この測定を行うことで...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】SiO2中のアルカリ金属の深さ方向分布評価

試料冷却による高精度なアルカリ金属の分布評価

SiO2中のアルカリ金属の分布を一般的な分析条件で測定すると、測定に起因する電界などの影響により、深さ方向濃度分布に変化が生じることが知られています。 MSTではSIMS測定時に試料を冷却することでアルカリ金属の濃度分布変化を抑制し、より高精度に濃度分布を評価いたします。...詳しいデータはカタログをご覧ください...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】C60,GCIBを用いたアルカリ金属の深さ濃度分布

SiO2膜の不純物の評価

アルカリ金属であるLi,Na,Kは半導体における各種故障原因の要の元素です。これらは測定時に膜中を移動してしまう可動イオンと言われており、正確な分布を得ることが困難とされてきました。 今回、スパッタイオン源にC60（フラーレン）とGCIB(Arクラスター)を用いたTOF-SIMSの深さ方向分析を行うことにより、常温下の測定でもアルカリ金属の移動が抑えられることがわかりました。この測定を行うことで...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

技術情報誌 202101-02 電気化学的特性評価と解体分析

技術情報誌The TRC Newsは、研究開発、生産トラブルの解決、品…

【要旨】 リチウムイオン電池（LIB）のフルセルを用いた非破壊の電気化学的特性評価から劣化要因を推測、さらに電池を解体して化学分析を実施し、電極劣化状態を定性、かつ定量的な解析に取り組み、当社主催の「第5回蓄電池ユーザーズミーティング」（2019年6月）にて、黒鉛/SiO複合負極の劣化解析手法を提案した。本稿では、高容量次世代材料として期待される黒鉛/SiO複合負極を使用してセルを試作し、サイク...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社東レリサーチセンター

技術情報誌 201901-02 ナノメートルスケール局所構造解析

技術情報誌The TRC Newsは、研究開発、生産トラブルの解決、品…

【要旨】 金属チップ先端などに局在化する近接場光を利用した分光分析技術はナノメートル領域の化学構造の解析を可能にする手法として強く期待されている。チップ増強ラマン分光法や近接場ラマン分光法はその代表的な手法であり、原理解明や応用に関する様々な研究が行われてきた。本稿ではそれらの材料分析への適用例を示し、材料解析に対する実用性について言及する。 【目次】 １．はじめに ２．TERSによるCN...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社東レリサーチセンター

【分析事例】二酸化ケイ素の構造解析

非晶質（ガラス）二酸化ケイ素（SiO2）のラマン散乱分光法による構造解…

二酸化ケイ素（SiO2）は半導体における絶縁膜・FPDの基板材料・光学材料・医療機器から装身具に至るまで幅広く用いられていますが、非晶質であるガラスとして構造解析を行うことは非常に困難です。ガラス中でSiO2が環状に結合することに着目し、ラマン測定を行いました。（図1） 単結晶石英ではガラス状態のスペクトルとは著しく異なり、長距離秩序によるフォノンバンドが観測されます。（図2, 図3）...詳しい...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

SiCデバイスの裏面発光解析

SiCデバイスの前加工→リーク箇所特定→物理解析/成分分析までスルー対…

当社では、『SiCデバイスの裏⾯発光解析』を行っております。 SiCは従来のSi半導体と比べ、エネルギーロスの少ない パワーデバイスであり注目を集めていますが、Si半導体とは 物性が異なるため、故障解析も新たな手法が必要となります。 SiC MOSFET裏面発光解析事例では、海外製SiC MOSFETをESDにより、 G-（D,S）間リークを作製、発光解析にて、リーク箇所を示す多...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社アイテス

【分析事例】HF処理前後における骨の状態評価

ラマン分析を用いた薬液処理前後の状態評価

HF（フッ化水素）は、SiO2のウェットエッチング処理等で広く用いられており、半導体製造プロセスにおいて非常に重要な役割を果たします。しかし、一方で皮膚に触れてしまうと浸透し、骨を侵してしまうため非常に危険な薬品であり取り扱いには注意が必要です。 このHFによる骨の侵食は、アパタイトとして骨中に存在するCaとHFが反応することでCaF2が生成してしまうことによるものです。この反応の変化をラマン分...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

受託成膜・受託分析

各種成膜・表面処理・塗布加工や、受託測定のことなら当社へお任せください

アイゲート株式会社は『受託成膜・受託分析』を承っております。 「受託成膜」では、Si、ガラス、フィルムなどの真空成膜加工が可能なほか、 エッチングや表面処理、塗布加工にも対応。 また「受託分析」では、高性能水蒸気・ガス透過率測定装置を使用した 受託測定を致します。 【受託分析詳細】 <水蒸気・ガス透過率測定> ■測定装置：DELTAPERM ■測定範囲：5×10-5g/...

メーカー・取り扱い企業： アイゲート株式会社 本社

【分析事例】Si表面のH終端の解析

処理の違いによるSi表面のSiHや状態の定性・相対比較

Si表面についてHF処理後、オゾン処理後の状態を比較しました。 正イオンスペクトルではSiのピーク強度が異なりました。HF処理後のSi強度が弱いのはSiが金属系のためで、一方、UV-オゾン洗浄後やAs ReceivedのSi強度が強いのはSiが酸化物系のためです。 負イオンスペクトルからは、HF処理後ではSiF,SiH,Six系、UV-オゾン洗浄後やAs ReceivedではSiO2系など表...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】ウエハ最表面の微量元素分析における前処理法

ICP-MS：誘導結合プラズマ質量分析法

SiO2膜成膜後の過程でウエハ表面に付着した金属汚染を確認する場合、分析の前処理としてSiO2膜を酸に溶解し、溶液の分析を行う方法が従来より用いられています。この方法では、最表面の金属汚染とSiO2膜中の金属汚染を併せた分析結果となり、最表面の金属汚染のみの分析には不向きでした。 MSTでは、前処理でSiO2膜を溶解せずに最表面に付着した金属元素のみを溶解することにより、ウエハ最表面の金属汚染元...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST