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    SiCデバイスの裏面発光解析

    SiCデバイスの前加工→リーク箇所特定→物理解析/成分分析までスルー対…

    FET裏面発光解析事例では、海外製SiC MOSFETをESDにより、 G-（D,S）間リークを作製、発光解析にて、リーク箇所を示す多数の 発光を検出。 発光箇所をTEM観察したところ、SiO2膜の破壊、SiC結晶にダメージが 認められました。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。...

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    メーカー・取り扱い企業： 株式会社アイテス

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