SiCパワー半導体製品『CoolSiC MOSFET G2』

PRパワーシステムにおけるエネルギー変換効率を強化。次世代型の炭化ケイ素（…

SiCパワー半導体製品『CoolSiC MOSFET G2』は、次世代型のトレンチ技術をベースに 低損失化を実現したインフィニオンの最新世代となる第2世代SiC MOSFETです。 電力密度や蓄積電荷といったMOSFETの主要性能数値を、 品質と信頼性のレベルを損なわずに前世代より最大20％向上。 全体的なエネルギー効率を高めており、脱炭素化に一層寄与します。 太陽光発電インバー...

メーカー・取り扱い企業： インフィニオン テクノロジーズ ジャパン　株式会社

【サーキットブレーカー】CBXM-200シリーズ

PRシンプルな構造で海外などの過酷な環境に好適！

『CBXM-200シリーズ』は、バイメタルを利用した熱動式の サーキットブレーカーです。 直接電流を流すことにより、過電流が流れたときに回路を遮断させ、 ボタンを押すことによって回路がつながり再度電流を流せます。 大型で頑丈に出来ていますので、振動の多い所や環境変化の厳しいところ での使用にも耐えられます。 【特長】 ■高耐久 ■温度差に強い ■大電流対応 ■シンプ...

メーカー・取り扱い企業： 電波精器株式会社

真空炉『Mini-BENCH-prism 超高温実験炉』

最高使用温度2000℃ セミオート制御 超高温実験炉（カーボン炉、…

◉最高使用温度 Max2000℃ ◉カスタマイズ自在なヒーター構造： - 円筒状ヒーター：るつぼ内サンプル焼成（固形物、粉体、粒形、ペレット形状サンプル用） - 面状ヒーター：Φ1"〜Φ6"ウエハー、小片チップ焼成用 ◉PLCセミオートコントロール タッチパネル画面で温度調節計以外の全ての操作を行います。 煩わしいバルブ開閉・ポンプ起動操作が不要、焼成作業前の「真空/パージ」サイクルと...

メーカー・取り扱い企業： テルモセラ・ジャパン株式会社

真空炉『Mini-BENCH 超高温卓上型実験炉』

卓上小型サイズ実験炉・省スペース 最高使用温度2000℃！ 還元雰囲…

◉ 卓上サイズ 省スペース：328(W) x 220(D) x 250(H)mm（*2inch用チャンバー参考値） ◉ カスタマイズ自在なヒーター構造： - 円筒状ヒーター：るつぼ内サンプル焼成（固形物、粉体、粒形、ペレット形状サンプル用） - 面状ヒーター：Φ1"〜Φ6"ウエハー、小片チップ焼成用 ◉ 昇温時間最速約15分（1500℃）、降温1500℃→100℃まで約40分（真空、および...

メーカー・取り扱い企業： テルモセラ・ジャパン株式会社

アニール炉『Mini-BENCH-prism 超高温実験炉』

最高使用温度2000℃ セミオート制御 超高温実験炉（カーボン炉、…

◉最高使用温度 Max2000℃ ◉カスタマイズ自在なヒーター構造： - 円筒状ヒーター：るつぼ内サンプル焼成（固形物、粉体、粒形、ペレット形状サンプル用） - 面状ヒーター：Φ1"〜Φ6"ウエハー、小片チップ焼成用 ◉PLCセミオートコントロール タッチパネル画面で温度調節計以外の全ての操作を行います。 煩わしいバルブ開閉・ポンプ起動操作が不要、焼成作業前の「真空/パージ」サイクルと...

メーカー・取り扱い企業： テルモセラ・ジャパン株式会社