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PR産業安全技術協会(TIIS)検定合格品でゾーン1(第一類危険箇所)とゾ…
防爆スポットクーラーは、危険場所のうちゾーン1(第一類危険箇)とゾーン2(第二類危険箇所)で使えます。 電源は三相200V、単相100Vの2種類。 冷媒回路は内圧防爆構造、制御回路は耐圧防爆構造、ユニットの装置はすべて防爆構造。 装置下部にドレンタンクを装備。 オプションにて電源コードの長さの変更可能(標準3m)本体の移動や固定に便利なキャスター・ストッパー付きです。 【特徴】 ○ゾーン1(第一...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社大同工業所 楠根工場
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PRUSBタイプAコネクタ経由で電力供給!最大8Mbit/sのCAN FD…
『Kvaser Leaf v3』は、CANおよびCAN FDデータをモニタリングおよび 送受信するためにPCをCANバスネットワークに接続する簡単で低コストの製品です。 洗練された人間工学に基づいたデザインのハウジングは、日常使用に十分な 堅牢性を備えていると同時に、スペースに制約のあるアプリケーションでも使用可能。 1秒あたり最大20,000のメッセージを処理でき、各メッセージに...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社Renas
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Φ4対応真空・プロセスガス高速アニール加熱システムRTP-100
GaNの結晶成長をはじめ、急速・均一な熱処理を必要とする幅広いアプリケ…
開発に好適な、 卓上型真空プロセス高速加熱炉です。 Φ4インチ対応、専用サセプタにより小片サンプルのプロセスも可能です。 最大到達温度1200℃で多彩なガスパージ環境に対応。 GaNやSiCなどの新材料の結晶成長やペースト材料の焼結など、 多目的にお使い頂けます。 【特長】 ■窒素ガス、酸素ガス、フォーミングガス(水素+窒素)パージの他、 高濃度水素ガスパージに...
メーカー・取り扱い企業: 日精株式会社 本社
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Φ6対応真空・プロセスガス高速アニール加熱システムRTP-150
GaNの結晶成長をはじめ、急速・均一な熱処理を必要とする幅広いアプリケ…
『RTP-150』は、業界最小クラス、研究開発及び試作開発に好適な、 卓上型真空プロセス高速加熱炉です。 最大到達温度1000℃で多彩なガスパージ環境に対応。 GaNやSiCなどの新材料の結晶成長やペースト材料の焼結など、 多目的にお使い頂けます。 【特長】 ■窒素ガス、酸素ガス、フォーミングガス(水素+窒素)パージの他、 高濃度水素ガスパージに...
メーカー・取り扱い企業: 日精株式会社 本社
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Φ12対応 高速アニール加熱システム VPO-1000-300
GaNの結晶成長をはじめ、急速・均一な熱処理を必要とする幅広いアプリケ…
卓上型真空プロセス高速加熱炉です。 Φ12インチ・Φ6インチ・4インチ対応、専用サセプタにより小片サンプルの プロセスも可能。 最大到達温度1000℃で多彩なガスパージ環境に対応。GaNやSiCなどの 新材料の結晶成長やペースト材料の焼結など、多目的にお使い頂けます。 【特長】 ■窒素ガス、酸素ガス、フォーミングガス(水素+窒素)パージの他、 高濃度水素ガスパージに...
メーカー・取り扱い企業: 日精株式会社 本社
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