• 『はんだ不濡れ事例集 Vol.2』 製品画像

    『はんだ不濡れ事例集 Vol.2』

    PRはんだ不濡れ・はんだはじきのトラブル事例を多数収録。原因・解決策を分か…

    はんだ付け不良の大きな原因のひとつは「はんだ不濡れ」です。 部品電極や基板パッドに溶融したはんだがなじまず、 正常に接合されない状態のことを言います。 この不良にフォーカスした事例集の第2弾を制作いたしました。 発生原因や対策など事例を交えて掲載した、 プリント基板の実装・はんだ付けに関わる方にとって必読の一冊です。 ※事例集は「PDFダウンロード」からすぐにご覧いただけます。...

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    メーカー・取り扱い企業: 株式会社弘輝(KOKI)

  • 高出力IR光源 HISpower 製品画像

    高出力IR光源 HISpower

    TO-8パッケージの高出力赤外線源

    ング、赤外分光法で使用可能なハイパワーで高効率の赤外線源です。 広い面積の放射エリアと広帯域の放射率により、中赤外における非常に高い放射パワーが特徴です。 ハーメチックハウジング技術により、はんだ付けされたサファイア、CaF2、BaF2ウィンドウは過酷な環境下での使用も可能です。 ハーメチックシールにより、パッケージ内に特殊な不活性ガスを充填可能。省エネルギー化を実現しました。 他のCAN...

    メーカー・取り扱い企業: オプトシリウス株式会社

  • Infrasolid社 ガスフィルターセル 製品画像

    Infrasolid社 ガスフィルターセル

    干渉ガスの遮断やキャリブレーションに最適

    、特定の濃度のリファレンスガスを充填することで、特定の吸収帯にレーザー波長を合わせるなど、ガス分析システムの校正にも使用可能です。 ハーメチックシールにより、長期安定性を実現しました。 はんだ付けされたCaF2ウィンドウにより高い透過率を達成しています。...

    メーカー・取り扱い企業: オプトシリウス株式会社

  • パワートランジスタ『CGD65B240SH2』 製品画像

    パワートランジスタ『CGD65B240SH2』

    H2シリーズ ICeGaNで高度なNL3回路を搭載!無負荷状態でのデバ…

    GaNオンシリコンパワートランジスタです。 当製品はICeGaNゲート技術により、事実上すべてのゲートドライバー とコントローラーチップが利用可能。デバイスは、大きな銅領域に 直接はんだ付けできます。 グランドプレーンを強化し、熱性能を向上させ、熱設計を簡素化します。 【特長】 ■簡単設計 ■高信頼性 ■650V-7.0AeモードGaNパワースイッチ ※英語...

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    メーカー・取り扱い企業: SUPREME COMPONENTS INTERNATIONAL

  • パワートランジスタ『CGD65B130SH2』 製品画像

    パワートランジスタ『CGD65B130SH2』

    事実上すべてのゲートドライバーとコントローラーチップが利用可能!

    ントモード GaNオンシリコンパワートランジスタです。 GaNの特性により、高電流、高耐圧を実現し、広範囲の電圧と 高いスイッチング周波数に対応。 デバイスは、大きな銅領域に直接はんだ付けできます。 グランドプレーンを強化し、熱性能を向上させ、熱設計を簡素化します。 【特長】 ■簡単設計 ■高信頼性 ■650V-12AeモードGaNパワースイッチ ※英語版カタ...

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    メーカー・取り扱い企業: SUPREME COMPONENTS INTERNATIONAL

  • パワートランジスタ『CGD65A130S2』 製品画像

    パワートランジスタ『CGD65A130S2』

    互換性を実現するICeGaNゲート技術!ゲートドライバーとコントローラ…

    パワートランジスタです。 電流検出機能を内蔵することにより別個の電流検出抵抗が不要。 外付けがないのでセンス抵抗が必要な場合は、デバイスを直接接続可能。 グランドの広い銅領域にはんだ付けされているため、平面、 熱性能の向上、熱設計を簡素化し、高周波をサポートする DFN 8x8 SMDパッケージです。 【特長】 ■簡単設計 ■高信頼性 ■650V-12Aeモード...

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    メーカー・取り扱い企業: SUPREME COMPONENTS INTERNATIONAL

  • パワートランジスタ『CGD65B130S2』 製品画像

    パワートランジスタ『CGD65B130S2』

    高周波をサポートするDFN 5x6 SMDパッケージ!平面、熱性能の向…

    幅広い電子機器のスイッチング周波数に対して、互換性を実現する ICeGaNゲート技術には、事実上すべてのゲートドライバーと コントローラーチップを搭載。 グランドの広い銅領域にはんだ付けされているため、 平面、熱性能の向上、熱設計を簡素化します。 【特長】 ■簡単設計 ■高信頼性 ■650V-12AeモードGaNパワースイッチ ※英語版カタログをダウンロード...

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    メーカー・取り扱い企業: SUPREME COMPONENTS INTERNATIONAL

  • パワートランジスタ『CGD65B200S2』 製品画像

    パワートランジスタ『CGD65B200S2』

    幅広い電子機器のスイッチング周波数に対して、互換性を実現!

    65B200S2』は、エンハンスメント モードのGaNオンシリコン パワートランジスタです。 外付けがないのでセンス抵抗が必要な場合は、デバイスを直接接続可能。 グランドの広い銅領域にはんだ付けされているため、平面、熱性能の向上、 熱設計を簡素化します。 高周波をサポートするDFN 5x6 SMDパッケージです。 【特長】 ■簡単設計 ■高信頼性 ■650V-8.5...

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    メーカー・取り扱い企業: SUPREME COMPONENTS INTERNATIONAL

  • パワートランジスタ『CGD65A130SH2』 製品画像

    パワートランジスタ『CGD65A130SH2』

    無負荷状態でのデバイス損失がゼロに近くなる!高電流、高耐圧を実現

    術により、事実上すべてのゲートドライバーと コントローラーチップが利用可能。グランドプレーンを強化し、 熱性能を向上させ、 熱設計を簡素化します。 また、デバイスは、大きな銅領域に直接はんだ付けできます。 【特長】 ■簡単設計 ■高信頼性 ■650V-12AeモードGaNパワースイッチ ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくは、お気軽にお問い合わせ下...

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    メーカー・取り扱い企業: SUPREME COMPONENTS INTERNATIONAL

  • 小型で高出力のIR光源 Infrasolid社HIS smd 製品画像

    小型で高出力のIR光源 Infrasolid社HIS smd

    2umから20umまでの幅広い波長範囲の小型IR光源

    波長範囲:2-20 um ウィンドウ(はんだ付け):無し、Si-ARC、サファイア、ZnSe 放射エリア:0.32mm2, 1mm2, 1.8mm2 最大パワー(DC):175mW, 290mW, 330mW 最大電圧:1.25V, 1...

    メーカー・取り扱い企業: オプトシリウス株式会社

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