高温イオン注入・高温アニール受託サービス【SiC、GaN等】

SiC等のデバイス作製に適した高温イオン注入や、ドーパント活性化のため…

SiC（シリコンカーバイド）、GaN（窒化ガリウム、ガリウムナイトライド）等の化合物半導体では、デバイス作製に適した高温イオン注入やドーパント活性化のための高温アニールが必要とされます。弊社では、高温イオン注入や高温アニールのリクエストにお応えします。 また、アニール時の温度が高温のため、アニール前のキャップ膜による表面保護が必要になります。弊社では高温ア...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社イオンテクノセンター

成膜・熱処理装置ラインナップ

半導体などの工程加工に適した各種成膜、酸化膜形成、アニール処理に適した…

SiCのアニール前処理として最適なカーボン成膜をPBIIで、アニール処理をRTAで、アニール前後処理を弊社で行うことができます。...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社イオンテクノセンター

ガラス分析用ガラス器具『テンパックス板』

すぐれ耐熱性と耐熱衝撃性！

【仕様】 [粘性的特性] ■作業点…1270℃ ■軟化点…820℃ ■アニール点…560℃ ■歪点…518℃ ※詳しくはカタログをご覧頂くか、お気軽にお問い合わせ下さい。...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社クライミング

光導波路・ウェハ加工ファンドリーサービス

光導波路ウェハ受託製造及び各種ウェハ受託加工サービス！世界トップクラス…

【主な保有技術】 ■成膜技術：　スパッタ、常圧CVD、蒸着、火炎加水分解堆積(FHD)、高温アニール ■フォトリソ技術：　縮小ステッパー露光、非接触等倍露光、コーターデベロッパー ■微細加工技術：　ガラスRIE、メタルRIE、ガラス・Si-Deepエッチング、リフトオフ ■ウェハ後工程技術...

メーカー・取り扱い企業： NTTデバイスオプテック株式会社

『無応力コート』

優れた耐候性能！片面の多層膜コートでもソリが発生しにくい成膜方法を実現

もソリが 発生しにくい成膜方法を実現いたしました。 【特長】 ■片面の多層膜コートでもソリが発生しにくい成膜方法を実現 ■優れた耐候性能 ■耐UV試験(10000mJ/cm2照射)、アニール試験(250℃2H)達成 ■抜群の平坦度 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。...

メーカー・取り扱い企業： 京浜光膜工業株式会社