脱墨・脱積層 - プラスチック・リサイクルの革新技術 -

PRKEYCYCLE DEINKING

脱墨技術 - KEYCYCLE DEINKING - は、フィルム表面に印刷されたインクを完全に除去することが可能です。この技術は世界でも類を見ないものであり、この技術を応用してフィルムやシート表面に塗工された物質の除去にも活用され、金属箔やMLCC離型フィルムの脱積層（シリコンやセラミックの除去）も可能です。 工程は、特殊なソルベントフリーの洗浄液に破砕した対象物を投入し、一定時間攪拌し、...

メーカー・取り扱い企業： 双日マシナリー 株式会社 環境・生活産業システム本部

『ヒーターなど電熱製品』　京都電熱

PR特殊仕様、小ロットOK。長年培った知識・ノウハウを活かしコストダウンや…

当社では、各種ヒーターをはじめ、熱風発生機、熱風乾燥機、熱電対コネクタ、 温度調整器、各種断熱材など様々な電熱製品を設計・製作しています。 特殊仕様や小ロットにも対応OK。経験豊富なスタッフが コストダウンや分割納品など幅広い要望にお応えいたします。 ★取り扱い製品を一挙に紹介した「総合カタログ」を進呈中。 　“PDFダウンロード”よりすぐにご覧いただけます。 【ラインアッ...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社京都電熱

レポート　Intel 22nm Haswell eDRAM

Intel(R) eDRAM の詳細にわたる構造解析レポートです

ICの中での最高のパフォーマンスを持つバージョンはGT3eです。 【特徴】 ■GT3e：メタル9層、22nm TriGate トランジスタテクノロジで埋込型DRAMも構成されている ■シリコンソース・ドレインがNMOSトランジスタに使われ、SiGe が PMOS トランジスタに使われている 詳しくはお問い合わせ、またはカタログをダウンロードしてください。...

メーカー・取り扱い企業： テックインサイツジャパン株式会社（TechInsights）

レポート　ValleyView Atom Z3740 Soc

Intel Atom 23740 プロセッサーの詳細な構造解析レポート…

【特徴】 ■23740は9層メタル、デュアル・ゲートダイエレクトリック、22nm Socプロセスで製造されている ■デバイス：最小90nmピッチのHKMG FinFETトランジスタ ■シリコン拡散層部分：NMOSトランジスタに使われ、SiGeがPMOSトランジスタに使われる 詳しくはお問い合わせ、またはカタログをダウンロードしてください。...

メーカー・取り扱い企業： テックインサイツジャパン株式会社（TechInsights）

メモリー構造解析レポート 「SK Hynix 16 nm」

フラッシュメモリーの 詳細なメモリー構造解析レポート

m ノード MLC NAND フラッシュメモリー) の詳細構造解析です。 本デバイスは 3 層メタル構造プロセス (第 1、2 金属層: W、第 3 金属層:Al)、ポリサイド製制御ゲート、ポリシリコン製の浮遊ゲートを使用して製造されています。メモリーアレイは、32nm のビット線ピッチおよび 38nm のワード線ピッチを特徴としています。 エアギャップが採用されており、隣接セル間のクロストー...

メーカー・取り扱い企業： テックインサイツジャパン株式会社（TechInsights）