【パワーデバイス】大電流用ソケット

PR様々なカスタム設計が可能！ご要望に応じて試験治具の設計提案も承ります

『大電流用ソケット』は、IGBT、電流センサ等のパワーデバイスに対応するテストソケットです。 デバイスの放熱性向上用のためのクランプ固定式やネジ止め式など様々な カスタム設計が可能。低抵抗な材料を用いて100A以上の大電流に対して 製作できます。 大電流の需要が高まっているので、パワーエレクトロニクス分野へ力を入れています。 【特長】 ■IGBT、電流センサ等のパワーデバイスに...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社ＳＤＫ

高難燃・高熱伝導樹脂シート

PR高圧電源ケーブルやバッテリーモジュールの延焼抑止に「高難燃・高熱伝導樹…

新開発製品の「高難燃・高熱伝導樹脂シート」は、UL94規格「5VAグレード」の高い難燃性の不燃シートです また、絶縁性を維持しながら高熱伝導性（4.5W/m・K）も備えている熱伝導樹脂シートとしても利用できます。 【特徴】 　・高難燃性：UL94規格「5VAグレード」 　・高熱伝導性：4.5W/m・K 　・ハロゲン系難燃剤を含んでいないので、燃焼時の有毒な「塩素系ガスの発生無し」 　・サンプル提...

メーカー・取り扱い企業： 共立エレックス株式会社

パワーサイクル試験（パワーモジュールの信頼性評価）

パワーサイクル試験前後や試験途中における各種測定、観察、解析も一括で実…

チップの自己発熱と冷却を、短時間で繰り返す熱ストレスへの耐久性を 評価するために、「パワーサイクル試験」の重要性が増しています。 当社では、試験前後や試験途中における各種測定、観察、解析も一括で 実施しています。 また試験サービスだけではなく、試験装置の開発・販売も 行...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社クオルテック

パワーデバイスの故障解析

ダイオード、MOS-FET、IGBT等のパワーデバイスの不良箇所特定・…

あらゆるサイズ・形状のダイオード・MOS FET・IGBT等の パワーデバイスに対し最適な前処理を行い 裏面IR-OBIRCH解析や裏面発光解析により不良箇所を特定し観察いたします。 ■解析の前処理－裏面研磨－ 　各種サンプル形態に対応します。 　Siチ...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社アイテス

パワーサイクル試験と特性評価

パワーサイクル試験装置を使用したパワーサイクル試験の受託！故障解析・分…

株式会社アイテスでは、シーメンス製（メンター製）のパワーサイクル 試験装置を使用した、パワーサイクル試験の受託を行っています。 試験に必要な各種治具の作成から対応する事も可能です。 また、パワーデバイスの各種観察・測定にも対応しています。...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社アイテス

ハイパワー恒温恒湿槽での環境試験

ハイパワー恒温恒湿槽を2台導入！車載用部品等の温度サイクル試験・温湿度…

株式会社アイテスでは、『ハイパワー恒温恒湿槽での環境試験』を 承っております。 最大15℃/分（-45⇔±155℃）の定速温度変化が可能。 温度勾配をコントロールしての温度サイクル試験が実施できます。 また、温度制...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社アイテス

パワーデバイスのHAST試験

パワーデバイスに対して高温･高湿度環境下で最大1000Vの印加が可能！…

株式会社アイテスでは、『パワーデバイスのHAST試験』を承っております。 【特長】 ■最大1000V印加での不飽和蒸気加圧試験が可能 ■高温高湿下での通電により、金属配線の腐食やマイグレーション等の評価を実施 ■試...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社アイテス

パワー半導体の解析サービス

故障箇所→拡散層評価を含めた物理解析/化学分析までスルー対応いたします…

株式会社アイテスでは、パワー半導体の解析サービスを承っております。 当社は日本IBM野洲事業所の品質保証部門から1993年に分離独立して以来、 独自の分析・解析技術を培ってきました。 Si半導体だけでなく、話題...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社アイテス

電動車両のパワートレイン性能評価

自動車およびその周辺分野を含めた様々なニーズにお応えし、委託試験・研究…

電動車両のパワートレインに関わる以下の様な性能評価が可能です． ●電気自動車上でのモータの評価 　・外部の充放電装置から電力を供給することで、バッテリ電圧の影響を受けずに、様々な電力供給条件での電動パワー...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人日本自動車研究所

モジュール試作と熱抵抗評価

ダイアタッチやTIM材などの評価に好適！試作から評価まで対応致します

株式会社アイテスでは、『モジュール試作と熱抵抗評価』を承っております。 パワーデバイス及びパワーデバイスで使用する材料の評価において、実際に デバイスを組み立てての熱抵抗測定は、実力の把握に有効な方法です。 試作から評価まで対応致します。 ご興味がございましたら、...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社アイテス

SiCパワートランジスタリーク箇所のSlice&view故障解析

SEM像の3D化でリークパスを確認

で断面観察を行うことにより、リーク箇所を逃さず画像として捉えることが可能です。SEM画像を3D化することでリークパスを確認することができます。 測定法：Slice＆View・EMS 製品分野：パワーデバイス 分析目的：故障解析・不良解析・製品調査 詳しくは資料をダウンロード、またはお問い合わせください。...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

パワーサイクル試験

自社開発の通電試験制御ユニットにより、価格をおさえたパワーサイクル試験…

パワー半導体モジュールの信頼性テスト、パワーサイクル試験を受託いたします。 弊社では、「通電試験制御ユニット」を自社開発し、汎用電源を自社開発制御ユニットでコントロールすることで比較的安価なパワーサイクル試験を実現しました。 パワーサイクル試験を低コストで行いたい、試験にかけられる予算があまり確保できないというお客様、ぜひご相談ください。 ...

メーカー・取り扱い企業： 大分デバイステクノロジー株式会社

【分析事例】SiCパワートランジスタリーク箇所の成分分析

Slice＆Viewで特定したゲート破壊箇所で拡大観察やEDX分析が可…

られる場所では、SiやNiの偏析が確認されました。リークによる破壊に伴い、SiやNiなどが一部偏析しているものと考えられます。 測定法：Slice＆View・SEM-EDX・EMS 製品分野：パワーデバイス 分析目的：故障解析・不良解析・製品調査 詳しくは資料をダウンロード、またはお問い合わせください。...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】PL・TEMによるSiCパワーデバイスの結晶欠陥評価

PLマッピングで検出した結晶欠陥の高分解能TEM観察

ッピングでは、発光箇所から結晶欠陥位置の特定が可能です。 更に同一箇所を高分解能STEM観察（HAADF-STEM像）を行うことで積層欠陥を捉えることができます。 本事例では、市販のSiCパワーデバイスについてPLマッピングとSTEMを用いて調査を行いました。 PLマッピングにより積層欠陥位置を特定後、欠陥端部分についてμサンプリングを行い、断面STEM観察を実施しました。...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】SiCパワーMOSFETのコンタクト電極評価

コンタクト電極/SiC層の界面の相同定・元素分布評価

市販のSiCパワーMOS FET素子の解析事例をご紹介します。 SiC材料では、SiだけでなくCを含めた系での材料制御が必須となり、従来のSi半導体の製造方法と違いがあります。コンタクト電極とSiC層のオーミック...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【製品の設計開発時に】磁場分布測定・解析をいたします

3軸ホールプローブを使用して同一座標点での測定を実現！詳細な3次元磁場…

有限会社パワーテックでは、磁場分布測定および磁場シミュレーション による受託解析を行っています。 磁場分布測定では3軸ホールプローブを使用して同一座標点での測定を 実現していますので、詳細な3次元磁場...

メーカー・取り扱い企業： 有限会社パワーテック

【分析事例】パワートランジスタ（DMOSFET）の拡散層評価

ゲート・ソース層・ボディ層の位置関係がわかります

市販パワートランジスタ(DMOSFET) について、ポリSi ゲートとn型ソース層およびp型ボディ層の形状・位置関係を調べました。 AFM像と重ねることでゲートとの位置関係も知ることができます。...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

分析事例トレンチ型Si-MOSFETのIDSSリーク箇所複合解析

デバイスの不良箇所特定から要因解析までワンストップでご提供

パワーデバイスは高電圧・大電流のスイッチとして電力/省エネの観点で注目されています。パワーデバイスでは、高電圧がかかるゆえの配線の不良や電気的な不良が生じます。また製品の信頼性向上のためには、不良要因の特定および解析が必須となります。本資料では不良箇所の特定をEMS(エミッション顕微鏡法)を用いて行い、不良要因解析をSCM(走査型静電容量顕微鏡法)とSEM（走査型顕微鏡法）で評価した事例をご紹介します。...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

パワーモジュール部品の抵抗値・発熱温度値測定サービス

製品測定時に発生しうる不具合を未然に防ぐために！

通電容量が大きくなるほど接触抵抗値による発熱リスクが高まります。 サンケイエンジニアリングでは、大電流通電中の発熱温度や抵抗値を測定する通電実験サービスをご提供しています。 モジュール部品の抵抗値を正確に把握し、接触抵抗値を低く安定させるコンタクトプローブを選ぶことで、測定中の不具合の発生を減らせます。 【サービス利用のメリット】 ■発生しうる不具合を予想できる ■最適なコンタク...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社サンケイエンジニアリング 本社

【分析事例】パワーデバイスのキャリア濃度分布評価

ドーパントの活性化率に関する評価が可能

SRA（Spreading Resistance Analysis）はサンプルを斜め研磨し、その研磨面に2探針を接触させ、広がり抵抗を測定する手法です（図1）。 キャリア濃度分布を評価することで、ドーパントの活性化状況についての知見を得ることが可能です。 一例として、パッケージ開封後のダイオードチップ表面中央部と外周部(図2)についてSRAを行った事例をご紹介します。...詳しいデータはカタロ...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

LV-SEMとEBIC法によるSiC MOSFETの拡散層の観察

SiCパワーデバイスでも、特定箇所の断面作製、拡散層の形状観察、さらに…

ETの拡散層の観察を 行っております。 FIBを用いた特定箇所の断面作製、LV-SEM/EBICによる拡散層の 形状観察、さらにTEMによる配線構造、結晶構造までのスルー解析が SiCパワーデバイスでも対応できます。 「LV-SEM拡散層観察」では、PN接合の内蔵電位に影響を受けた 二次電子（SE2）をInlens検出器で検出。 FIB断面でのSEM観察で拡散層の形状が...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社アイテス

【分析事例】GaN基板の表面形状分析

AFMによるステップ-テラス構造の可視化

ワイドギャップ半導体である窒化ガリウム(GaN)は、パワーデバイスや通信・光デバイスなどの幅広い分野で用いられています。デバイスを作製するうえで、ウエハ表面の形状と粗さはデバイス性能に大きく影響します。GaNウエハを成長させる際、支持基板との格子不整合な...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】ABF-STEM観察によるGaNの極性評価

Csコレクタ付STEMにより原子レベルでの観察が可能です

パワーデバイス・光デバイスとして実用化されているGaNは六方晶ウルツ鉱構造をとり、c軸方向に結晶学的な非対称性（Ga極性とN極性）が存在します。Ga極性とN極性ではエピタキシャル膜の成長プロセスが異なるほか、結晶の表面物性・化学反応性も異なります。 本資料では、GaNの極性を環状明視野(ABF)-STEM観察により評価しました。その結果、Gaサイト・Nサイトの位置を特定することができ、視覚的にGa極性...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】SiC基板表面および内部の不純物濃度測定

ICP-MS, GDMSにより基板表面と内部とを切り分けて分析

導体材料に含まれる不純物は、リーク電流の発生やデバイスの早期故障等、製品の品質に影響する場合があります。従って、材料に含まれる不純物量を把握することは、製品の品質向上において重要です。本資料では、パワーデバイス材料として注目されているSiC基板について、基板表面に付着した不純物をICP-MS、基板中の不純物をGDMSで分析した事例をご紹介します。 測定法：ICP-MS・GDMS 製品分野：パ...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】深紫外LED中Mgの深さ方向濃度分析

様々なAl組成のAlGaN中不純物の定量が可能です

SIMS分析で不純物濃度を求めるためには、分析試料と同じ組成の標準試料を使うことが必要です。紫外LEDやパワーデバイスに使われているAlGaNについて、様々なAl組成のAlGaN標準試料を取りそろえることで、MSTではより精度の高い不純物の定量が可能です。 市販深紫外LEDを解体後、SIMS分析を行い、...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

技術情報誌 202001-02 酸化ガリウムの結晶構造解析

技術情報誌The TRC Newsは、研究開発、生産トラブルの解決、品…

【要旨】 酸化ガリウム（Ga2O3）は次世代パワー半導体材料として注目を集めており、近年研究が盛んになってきている。半導体デバイスの信頼性、特性改善にはプロセス技術の最適化が必要であり、その評価方法が重要となる。本稿ではエピタキシャル膜の品質評価...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社東レリサーチセンター

技術情報誌 201901-01 Ga2O3膜の分析評価技術

技術情報誌The TRC Newsは、研究開発、生産トラブルの解決、品…

【要旨】 SiCやGaNより大きなバンドギャップを持つ酸化ガリウム（Ga2O3）は新たなパワーデバイス材料として注目されている。デバイス応用に向けた薄膜成長技術の発展とともに、Ga2O3薄膜の分析評価技術の重要性は益々高まると考えられる。本稿では、サファイア基板上に作製したGa2O3膜の結...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社東レリサーチセンター

SEM前方散乱電子によるGaN欠陥観察

GaNなどのパワー半導体の転位やステップ(微小な段差)、微小方位差が観…

GaNなどのパワー半導体において、原子レベルの欠陥は性能の劣化に影響を及ぼします。EBSD検出器を用いた前方散乱電子の評価により、転位に加えてステップ(微小な段差)や微小方位差の観察が可能となります。 ...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社大同分析リサーチ

『X線・超音波を用いた非破壊分析の基礎と事例』※希望者全員に進呈

非破壊分析の手法（超音波顕微鏡法・X線CT法）の基礎的な解説や、代表的…

【受託サービス分析対象】 ◎LSI・メモリ　◎パワーデバイス　◎光デバイス ◎電子部品　◎太陽電池　◎二次電池 ◎燃料電池　◎照明　◎ディスプレイ ◎製造装置・部品　◎酸化物半導体 ◎バイオテクノロジ　◎医薬品　◎化粧品 ◎日用品　◎食品...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

SiCデバイスの裏面発光解析

SiCデバイスの前加工→リーク箇所特定→物理解析/成分分析までスルー対…

当社では、『SiCデバイスの裏⾯発光解析』を行っております。 SiCは従来のSi半導体と比べ、エネルギーロスの少ない パワーデバイスであり注目を集めていますが、Si半導体とは 物性が異なるため、故障解析も新たな手法が必要となります。 SiC MOSFET裏面発光解析事例では、海外製SiC MOSFETをESDに...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社アイテス

第一原理計算によるワイドギャップ半導体GaNにおける欠陥準位解析

点欠陥の形成エネルギー、電荷、光学遷移など様々な物性情報が得られます

ワイドギャップ半導体である窒化ガリウム（GaN）は主にパワーデバイスの分野で用いられ、近年では急速充電器や5G通信基地局用途としての需要が高まっています。高信頼性を有するGaNの開発にあたっては、結晶中の欠陥量の低減や欠陥がもたらす電気/光学特性などへの影...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【レポート】太陽光発電マーケット2023

太陽光発電業界動向情報・市場分析の決定版！

「太陽光発電マーケット」は、国内外の太陽電池モジュール、パワーコンディショナ、定置用リチウムイオン蓄電システムなどの太陽光発電システム関連の生産量、導入量や出荷量、価格動向および見通し、ならびに技術開発、関連産業、市場動向などの定点観測情報に加えて、日本にお...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社資源総合システム