『瞬時電圧低下補償装置　SB/VBシリーズ』

PR0.05秒 その一瞬が、大きなリスクに。

雷や雪の日には、「瞬時電圧低下（瞬低）」が発生することがあります。 瞬低の大多数は0.05秒～1秒程度のわずかな時間。 しかし、生産設備を停止させるなどの大きなリスクにつながりかねません。 『瞬時電圧低下補償装置　SB/VBシリーズ』は、 小型・軽量・省メンテを実現した、瞬低対策に役立つ装置です。 【特長】 ■過電流耐量が大きく、変圧器突入電流・電動機始動電流にも耐える ■無瞬断の切り換えがス...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社指月電機製作所

GGB 繊維強化複合材ベアリング (FRC)

PRグリース不要・メンテナンス不要・低摩耗・高負荷・耐薬品性・耐腐食性　エ…

1899年にアメリカで設立されたGGB (ジージービー) は、ポリマーと非金属摩擦技術に特化した滑り軸受けメーカーです。エポキシ樹脂とガラス繊維からなる繊維強化複合材ベアリング (FRC)は、充填剤入りPTFE 繊維によって摺動面の摩耗を最小限にします。 <当製品が選ばれる理由> 1. 従来の金属ブッシュとの置換えが可能 2. 9つの製品群からなるFRC シリーズは、お客様のニーズに...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社木村洋行

低耐圧MOSFET『OptiMOS PD』

低ゲート、低出力、低逆回復電荷！優れた温度特性でUSB-PDや急速充電…

『OptiMOS PD』は、MOSFETの新たな製品ラインアップです。 USB-PDや急速充電器の設計に好適。短いリードタイムと 迅速な見積もり回答でお客様をサポートします。 低ゲート、低出力、低逆回復電荷で優れた温度特性を持ち、 2種類の小型標準パッケージを用意しております。 【特長】 ■ロジックレベルの可用性 ■低いオン抵抗RDS（on） ■低ゲート、低出...

メーカー・取り扱い企業： インフィニオン テクノロジーズ ジャパン　株式会社

低オン抵抗領域の1200V CoolSiC MOSFET

容易な設計および実装！ゲートドライバー技術で最高クラスのパフォーマンス…

TO247パッケージの『CoolSiC 1200V SiC MOSFET』に新たに登場した 「低オン抵抗領域7mΩ/14mΩ/20mΩ」は、最適化された先端のトレンチ 半導体プロセスに基づいて構築され、性能と信頼性を両立した製品です。 放熱性能15％向上し、単一デバイスで最高レベルの出...

メーカー・取り扱い企業： インフィニオン テクノロジーズ ジャパン　株式会社

AC/DC LEDドライバー『ICL88xxファミリー』

ライティング機能を搭載！バーストモードとジッター機能を備えたフル機能バ…

『ICL88xxファミリー』は、LED照明アプリケーション向け設計されており、 要求される性能をコスト効率よく満たすことができるAC/DC LEDドライバーです。 全負荷時および低負荷時の力率改善と低全高調波歪みという点で、高水準の 性能を実現。包括的な一連の保護機能とボトムアップ設計により、設計は容易で、 必要な外付け部品の数も最小限で済みます。 当製品は、二次側...

メーカー・取り扱い企業： インフィニオン テクノロジーズ ジャパン　株式会社

逆導通IGBT『600 V RC-D2』

低スイッチング損失！手ごろな価格でプラグアンドプレイソリューションを提…

SOT-223パッケージ搭載600V TRENCHSTOP『600 V RC-D2』をご紹介します。 ハードスイッチング低電力ドライブアプリケーション向けの第2世代 TRENCHSTOP RC技術は、幅広い低電力ドライブアプリケーション用に 手ごろな価格でプラグアンドプレイソリューションを提供。 向上した耐湿...

メーカー・取り扱い企業： インフィニオン テクノロジーズ ジャパン　株式会社

MOSFETゲートドライバー『2ED2410-EM』

高速スイッチオフ/オンが可能！車載用12V/24Vスマートアナログハイ…

護を含むスマートなハイサイドNチャンネルMOSFET ゲートドライバーです。 新しい自動車電源アーキテクチャ向けに設計。 また、昇圧コンバータを内蔵しているため、電源電圧が3Vまで 低下した場合でも外付けMOSFETを連続的にオンさせ、 動作させることが可能です。 【特長】 ■電源電圧の範囲を拡張：3V～58V ■2つのハイサイドゲートドライバ出力で、高速スイッチオフ...

メーカー・取り扱い企業： インフィニオン テクノロジーズ ジャパン　株式会社

トランスファーモールド『IPM IM818-LCC』

1200VのIPMクラスでは最小クラスのパッケージサイズに高電力密度と…

OP IGBT4を、最適化された1200V 6チャネル SOIゲートドライバと共に集積化することで信頼性の向上、 優れた保護、最適化されたPCBサイズとシステムコストを実現。 全チャネルの低電圧ロックアウト、保護時の全スイッチオフ、 上下短絡防止、過電流保護、温度モニターなどの優れた保護機能を 提供します。 【特長】 ■優れた保護のために堅牢性を強化したゲートドライバ技術 ...

メーカー・取り扱い企業： インフィニオン テクノロジーズ ジャパン　株式会社

擬似スタティックランダムアクセスメモリ『HYPERRAM』

-40℃～＋105℃の拡張動作温度範囲を提供！セルフリフレッシュ型ダイ…

『HYPERRAM』は、スクラッチパッドやバッファリング目的で 拡張メモリを必要とする高性能組み込みシステム向けの高速、低ピン数、 低消費電力の擬似スタティックランダムアクセスメモリです。 当製品は、HYPERBUSインターフェイスの拡張版をサポート。 また、16ビットI/Oによって、DDRモードで最大8...

メーカー・取り扱い企業： インフィニオン テクノロジーズ ジャパン　株式会社

リニア電圧レギュレータ『TLS820D2EL VSE』

きわめて低いドロップアウト電圧！1つのデバイスで、5V、3.3Vの両電…

『TLS820D2EL VSE』は、高性能、超低ドロップアウト電圧、 低静止電流を実現したOPTIREG リニア電圧レギュレーターです。 入力電圧範囲は3V～40V、静止電流はわずか20μAと低いため、 バッテリーに常時接続されている電...

メーカー・取り扱い企業： インフィニオン テクノロジーズ ジャパン　株式会社

CIPOS(TM)Micro IPM IM241シリーズ

低損失および低EMI動作を実現する高速/低速バージョン！NTCによる温…

【主な利点】 ■より高い電力容量 ■低損失および低EMIの両方に対応するアプリケーション向けに最適化されたソリューション ■保護機能と絶縁電圧の強化により、システムの耐久性を向上 ■設計が容易 ■耐湿性の向上 ※詳しくはPD...

メーカー・取り扱い企業： インフィニオン テクノロジーズ ジャパン　株式会社

EiceDRIVER 1EDBファミリー

ハードウェアベースの保護機能で安全な動作領域を確保！シングルチャネル絶…

グアプリケーションに好適。 また、システムの省電力化に対応するため、コモンモード過渡耐性（CMTI）は 300V/nsを超えており、出力ステージのクランプ速度は20nsと高速で、出力段の 低電圧誤動作防止機能（UVLO）は、4V、8V、12V、15Vから選択できます。 【特長】 ■3 kVrmsのガルバニック絶縁 ■低インピーダンス、ソース出力とシンク出力が可能 ■伝搬遅延...

メーカー・取り扱い企業： インフィニオン テクノロジーズ ジャパン　株式会社

LNA『BGA9x1MN9ファミリー』

5GおよびLTEアプリケーション向け！電圧範囲1.65?1.95Vで動…

当社では、5GおよびLTEアプリケーション向けLNA 『BGA9x1MN9ファミリー』を取り扱っております。 「BGA9C1MN9」は、2μAの超低バイパス電流と1.2Vの 動作電圧に対応し、消費電力を低減しています。 全温度範囲で1.1V～2.0Vの電源電圧で動作。 9ピンの小型TSNP-9パッケージ（1.1×1.1mm）を採用...

メーカー・取り扱い企業： インフィニオン テクノロジーズ ジャパン　株式会社

ESD227-U1-W01005

システムの信頼性を改善！単方向、5.5V、1.4pF、01005、Ro…

『ESD227-U1-W01005』は、低クランプ電圧、低容量、 単方向ESD/過渡電流保護ダイオードです。 高い保護機能により、エンジニアはより高価値の設計部分に集中可能。 また、小さいパッケージで超高速ESDを保護します。...

メーカー・取り扱い企業： インフィニオン テクノロジーズ ジャパン　株式会社

ゲートドライバーIC『1ED44171N01B』

独自のラッチアップ耐性をもつCMOS技術！、堅牢なモノリシック構造を実…

購買戦略を 単一サプライヤーで実現します。 【特長】 ■最大25Vの広いVCC電源電圧範囲 ■フォールト出力およびイネーブル機能用1端子 ■プログラマブルなフォールトクリアタイム ■低電圧誤作動防止機能は、標準値のオン/オフ＝11.9V/11.4V ■3kV ESD HBM ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。...

メーカー・取り扱い企業： インフィニオン テクノロジーズ ジャパン　株式会社

パワーMOSFET『OptiMOS-TOLGパッケージ』

TOLｘファミリーに新たに加わったパッケージ！高い性能とシステム全体の…

ッケージです。 TOLGは、TO-Leadlessとフットプリント互換性があり、さらにガルウィング リードを採用することで高い温度サイクル耐量を実現。 TOLGの主な利点は、高効率、低EMI、高電力密度で、高い性能と システム全体の効率化が可能です。 【特長】 ■最高クラスのテクノロジー ■高い電流定格 ■リンギング及び電圧オーバーシュート ■D2PAK 7ピン ...

メーカー・取り扱い企業： インフィニオン テクノロジーズ ジャパン　株式会社

ハイブリッド・フライバック・コントローラ『XDPS2201』

単一の補助トランス巻線と共振キャップ出力により、広い出力電圧範囲をサポ…

【その他の特長】 ■すべてのACライン入力および負荷条件において、電圧および電流のスイッチングが 　ゼロとなり、低スイッチング損失を実現 ■国際的な効率規制基準を満たす93%以上の高い効率と低い待機電力 ■超高電力密度 ■高集積コントローラーによる低BOMコストと部品数 ■広い出力電圧範囲に対応するシン...

メーカー・取り扱い企業： インフィニオン テクノロジーズ ジャパン　株式会社

保護付きハイサイドスイッチ『PROFET +212V-ESP』

最大32Aの電流を駆動！モノリシックチップで低オン抵抗の製品をラインア…

ESP』は、先端の診断機能と保護機能を搭載した 保護付きハイサイドスイッチです。 モノリシック チップ内に先端の診断/保護機能、優れたエネルギー効率、 先端の電流センス精度（KILIS）、低いクランキング電圧対応を備えています。 今回発売するTSDSO-24パッケージの「BTS700xx-1ESP」は、低オン抵抗RDS（ON）領域の 製品群を拡充し、最大32Aの電流を駆動するこ...

メーカー・取り扱い企業： インフィニオン テクノロジーズ ジャパン　株式会社

パワーMOSFET『OptiMOS-TOLTパッケージ』

ヒートシンクへの熱抵抗の最小化！プリント基板を介して伝わる熱量は5％以…

ed top-side cooling (TOLT)パッケージをポートフォリオに 導入することで、高性能パッケージの提供を拡大可能。 TOLTパッケージは、TOLLパッケージと同様の大電流・低背の利点に加え、 好適な熱性能を実現するトップサイドクーリングの利点を備えています。 【特長】 ■低 RDS(on) ■高電流定格 ■上面冷却 ■ネガティブスタンドオフ ※詳し...

メーカー・取り扱い企業： インフィニオン テクノロジーズ ジャパン　株式会社

MOTIX BTN9970LV (NovalithIC+)

大電流PMOS、NMOS、ドライバーICを集積！設計と製造の工数を最小…

、PCB面積とBOMを削減できるほか、 マイクロコントローラとの接続が容易です。 【特長】 ■大電流PMOS、NMOS、ドライバーICを1つの小型パッケージに集積 ■保護・診断機能 ■低い電流パス抵抗値 ■高い電流制限値 ■診断、電流検出、保護機能の統合によるシステムの信頼性向上 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。...

メーカー・取り扱い企業： インフィニオン テクノロジーズ ジャパン　株式会社

MOTIX BTN9990LV

ハーフブリッジ、フルブリッジ(2x)構成に対応！コストの最適化を実現

OF-7パッケージに搭載 ■AEC-Q100/Q006認証(グレード1) ■パス抵抗 typ.5.3mΩ@25℃(最大9.6mΩ@150℃) ■電源電圧範囲8V～18V(最大40Vまで) ■低暗電流(最大3.3μA@85℃) ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。...

メーカー・取り扱い企業： インフィニオン テクノロジーズ ジャパン　株式会社

OptiMOS 6 ISC012N04LM6 40V

ハロゲンフリーで同期型アプリケーションに最適化！産業機器向けのパワーM…

必要性を減らし、システムコストの削減にも つながります。 インフィニオンの先端の薄型ウェハー技術で、大幅な性能向上が可能です。 【特長】 ■Nチャネル：エンハンスメントモード ■超低オン抵抗 RDS(on) ■優れた熱抵抗 ■175℃定格 ■100%アバランシェ試験済み ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。...

メーカー・取り扱い企業： インフィニオン テクノロジーズ ジャパン　株式会社

リファレンスボード『REF_FRIDGE_D111T_MOS』

冷蔵庫のコンプレッサー用に設計された、すぐに使用できる三相インバータ！

040や600V CoolMOSを搭載した 　高集積ソリューション ■スクリプトエンジンと6チャンネルを搭載したすぐに使える 　モーションコントローラ ■600V CoolMOS PFD7:低Qrr、ESD保護を備えた、コンパクトな 　SOT-223面実装デバイス（SMD）パッケージの最適化技術 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。...

メーカー・取り扱い企業： インフィニオン テクノロジーズ ジャパン　株式会社

リファレンスデザイン『REF_ICL8800_LED_43W』

プラグアンドプレイソリューションとして設計！2次側のDC／DCボードと…

フするのに好適なトポロジー ■スケーラビリティと多くの機能を備えた2ステージトポロジー ■高い光質 ■コストパフォーマンスに優れたボトムアップ設計 ■多くのアプリケーションに対応する柔軟性と低BOM ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。...

メーカー・取り扱い企業： インフィニオン テクノロジーズ ジャパン　株式会社

BGSX22G6U10 RF CMOSスイッチ

RoHSおよびWEEE対応パッケージ！一般的なアプリケーションではデカ…

RF CMOSスイッチ』は、GSM、WCDMA、LTEおよび 5Gアプリケーション向けに特化して設計されています。 このDPDTは、最大7.125GHzの高周波数においても挿入損失を非常に低く抑え、 高調波の低減、RFポート間の高い絶縁を実現。 また、高速スイッチングが可能なため、5G-SRSアプリケーションにも 対応します。 【特長】 ■最大39dBmの高い直線性 ...

メーカー・取り扱い企業： インフィニオン テクノロジーズ ジャパン　株式会社

SiCパワー半導体製品『CoolSiC MOSFET G2』

パワーシステムにおけるエネルギー変換効率を強化。次世代型の炭化ケイ素（…

SiCパワー半導体製品『CoolSiC MOSFET G2』は、次世代型のトレンチ技術をベースに 低損失化を実現したインフィニオンの最新世代となる第2世代SiC MOSFETです。 電力密度や蓄積電荷といったMOSFETの主要性能数値を、 品質と信頼性のレベルを損なわずに前世代より最大20...

メーカー・取り扱い企業： インフィニオン テクノロジーズ ジャパン　株式会社

MOSFET『650V CoolMOS CFD7』

パワー密度の向上が可能！ThinPAK 8x8に封止されたスーパージャ…

【その他の特長】 ■超高速ボディダイオード＆超低Qrr ■絶縁破壊電圧650V ■最高クラスのRDS(on)とパッケージの組み合わせ ■著しく低減されたスイッチング損失 ■RDS(on)の温度依存性が低い ※詳しくはPDF資料をご覧...

メーカー・取り扱い企業： インフィニオン テクノロジーズ ジャパン　株式会社

NチャネルMOSFETゲートドライバー『2ED4820-EM』

車載用電源分配アプリケーション向け！外付けMOSFET、負荷、および電…

【その他の特長】 ■設定変更が可能な過電流/短絡保護 ■設定変更が可能なドレイン-ソース間の過電圧保護機能 ■ゲート低電圧保護(VGS) ■グラウンドロス検出 ■AEC-Q100認定およびISO 26262対応 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。...

メーカー・取り扱い企業： インフィニオン テクノロジーズ ジャパン　株式会社

スーパージャンクションMOSFET『IPW65R018CFD7』

太陽光発電システム向けソリューション等に好適！パワー密度の向上が可能

効率を向上。 サーバー、テレコム、EV充電ステーションなどの産業用アプリケーションの 共振トポロジーに好適で、大幅な効率向上を実現しています。 【特長】 ■超高速ボディダイオード＆超低Qrr ■650V絶縁破壊電圧 ■スイッチングロスを大幅に削減 ■RDS（on）の温度依存性が低い ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。...

メーカー・取り扱い企業： インフィニオン テクノロジーズ ジャパン　株式会社

マルチハーフブリッジIC『TLE941xxES』

電力消費の最適化によるBOMコストの削減！モータ負荷に応じたECUの変…

DCモータを駆動するよう設計されています。 さらに、 TLE94112ESを搭載した使いやすいDCモータ制御用HATを使用して、 簡単に評価できるようになっています。 【特長】 ■超低消費電力のスリープモード ■ヒステリシス付き3.3V/5V互換入力 ■すべての出力に過負荷および短絡保護機能を搭載 ■独立した出力診断機能（過電流、開放負荷） ■ハイサイド、ローサイドともに...

メーカー・取り扱い企業： インフィニオン テクノロジーズ ジャパン　株式会社

62mmパワーモジュール『FF600R12KT4』

4つのベースプレート取り付け穴は、コスト効率の良い迅速かつ容易なモジュ…

【その他の特長】 ■62mmの標準パッケージで高い電力密度を実現 ■20nHの低浮遊インダクタンスと左右対称の内部構造 ■IGBT3と比較して、寿命が2倍に向上 ■パワーサイクル性能がIGBT3と比較して4倍向上 ■沿面距離とクリアランス距離を最適化した設計 ※詳し...

メーカー・取り扱い企業： インフィニオン テクノロジーズ ジャパン　株式会社

パワーMOSFET『CoolMOS P7』

ThinPAK 5x6パッケージに搭載！幅の広い製品ラインアップから適…

700Vおよび800Vの『CoolMOS P7』パワーMOSFET製品ファミリーは、 フライバックベースの低消費電力SMPSアプリケーション向けに 開発されています。 保護用ツェナーダイオード内蔵。磁性体サイズ及びBOMコストの削減が 可能なほか、HBMクラス2レベルの高いESD耐久性を実現して...

メーカー・取り扱い企業： インフィニオン テクノロジーズ ジャパン　株式会社