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マニュアル操作により化合物半導体ウエハ(GaAs,InP,GaP)を非…
◎特徴 1.450℃の高温ウエハの非接触搬送が可能である。 2.化合物半導体ウエハ(GaAs,InP,GaP)の下記の切り欠きウエハの非接触搬送が可能である。 ・Φ2~4in ウエハ ・Φ2~4inx1/4ウエハ ・Φ2~4inx1/2ウエハ ...
メーカー・取り扱い企業: 有限会社ソーラーリサーチ研究所 大阪事業所
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Agnitron社 研究開発(R&D)~量産用 MOCVD装置
Agnitron社にて独自開発された、高性能、高スループット先端化合物…
Agnitron社のAgilisシリーズは、先端化合物半導体エピ成長を可能にする構成オプションを備えた柔軟なプラットフォームです。研究開発用(R&D用)の小型チャンバではシングル又はデュアルチャンバ構成選択可能、量産機用の大型チャンバではシングルチャンバ...
メーカー・取り扱い企業: 伯東株式会社 本社
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RIBER社EZ-CURVE 真空装置In-situ反りモニター
各種真空装置内でのウエハ応力、反り、曲率、異方性等をリアルタイム、高精…
、1964年に設立された分子線エピタキシャル成長装置(MBE装置)およびコンポーネント(MBEセル・蒸着源)を製造・販売する世界シェアNo.1のサプライヤーです。主にGaAsやInP、GaN等の化合物半導体材料の成膜用途として累計約800台の装置を世に送り出してきました。現在、世界の主要大学や公的研究機関、デバイスメーカー、エピファウンドリー各社がRIBER社のMBE装置を運用しており、データ通信...
メーカー・取り扱い企業: 伯東株式会社 本社
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電子・半導体業界用!1枚のウェハー製造用ヒーターモジュール
従来のシリコンデバイス用途のみならず、シリコン系パワーデバイス(IGBT)の熱処理用途や化合物半導体(GaN、SiC)のアニール処理、エピ成長装置としてご検討下さい。 ...
メーカー・取り扱い企業: アレイマジャパン株式会社 カンタルカンパニー
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パッシベーション用MBE装置は、レーザーファセットパッシベーション等の…
4年に設立された分子線エピタキシャル成長装置(MBE装置)およびコンポーネント(MBEセル・蒸着源)を製造・販売する世界シェアNo.1のサプライヤーです。これまで主にGaAsやInP、GaN等の化合物半導体材料の成膜用途として累計約800台の装置を世に送り出してきました。現在、世界の主要大学や公的研究機関、デバイスメーカー、エピファウンドリー各社がRIBER社のMBE装置を運用しており、データ通信...
メーカー・取り扱い企業: 伯東株式会社 本社
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ヨーロッパ発の技術から生まれた汎用性の高い装置!実験~量産に幅広く対応…
当社は汎用性の高いエッチング装置や、低温低圧条件でも緻密に成膜できる堆積式の成膜装置を取り揃えております。 【ドライエッチング機種(一例)】 Pishowシリーズ: ■シリコン、金属、化合物半導体など、様々な材料に対応可能 ■幅広い温度の工程に対応可能 ■エッチングの速度と均一性を精密制御 ■BOSOH工程に対応可能 【成膜機種(一例)】 Shale Cシリーズ: ■IC...
メーカー・取り扱い企業: 日星産業株式会社
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デバイス量産へ、優れたプロセス品質、信頼性、高スループットを提供!
<標準基板サイズとタイプ> 〇100~200 mmウエハ最大50枚/バッチ 〇高アスペクト比サンプル(最大1:2500) 〇基板材料:Si、ガラス、化合物半導体各種 <処理温度と容量> 〇~300℃ 〇最大1000ウエハ/24時間@膜厚15 nm Al2O3 <一般的なプロセス> 〇1桁秒~のサイクルタイム可能なバッチプロセス 〇Al2O3...
メーカー・取り扱い企業: PICOSUN JAPAN株式会社
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ヨーロッパ 発の技術から生まれた汎用性の高い装置!実験~量産に幅広く対…
・ドライエッチング機種 Pishowシリーズ: シリコン、金属、化合物半導体など、様々な材料に対応可能; 幅広く温度の工程に対応可能; エッチングの速度と均一性を精密制御; BOSOH工程に対応可能 ・成膜機種 Shale Cシリーズ: ICP CVD(...
メーカー・取り扱い企業: 日星産業株式会社
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