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PR少量ウェーハに対応!研究・テスト用途に便利なウェーハ販売サービス! ハ…
【取扱商品】 *CZ・FZ・拡散ウェーハ・SiC・SOI・EPI・GaAs・SiGe・GaSb・サファイア・ゲルマニウムなど様々な半導体用ウェーハを扱っております。 *プライム・テスト・モニター用ベアウェーハ(高精度ウェーハ・パーティクルチェック用・COP対策品等) *SOIウェーハ:高抵抗デバイス層、基板も対応可、ウェーハを支給していただきSOIウェーハへ加工することも可能です。 ...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社エナテック 東京本社
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PR各種業界から注目されているカーボン(CFRP:炭素繊維強化プラスチック…
【CFRP(炭素繊維強化プラスチック)使用する主なメリット】 ■軽量で比強度に優れているため、製造ラインの省力化を実現。エネルギーコスト低減によりCO2排出量の削減も可能。 ■振動減衰性に優れ、搬送装置において高速化かつ高精度により生産性が向上する。 ■熱膨張率が低く、高温下でも機能的特性の低下が少ない。 ■X線透過性に優れているため、少ない照射量・被曝量で鮮明な画像が撮影可能。 生産性が30%...
メーカー・取り扱い企業: TIPcomposite株式会社
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『高性能ADASの低コスト化に貢献する半導体ソリューション』
ホワイトペーパー進呈中。ADASのコストを抑え、信頼性・安全性・付加価…
インフィニオン テクノロジーズは、 半導体製品・ソリューションを多数ご提供しています。 普及が進むADAS(先進運転支援システム)の機能性や価値を高める上で 生じる課題と、それを解決するアイデアをご紹介した資料をただいま進呈中です...
メーカー・取り扱い企業: インフィニオン テクノロジーズ ジャパン 株式会社
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SiCパワー半導体製品『CoolSiC MOSFET G2』
パワーシステムにおけるエネルギー変換効率を強化。次世代型の炭化ケイ素(…
SiCパワー半導体製品『CoolSiC MOSFET G2』は、次世代型のトレンチ技術をベースに 低損失化を実現したインフィニオンの最新世代となる第2世代SiC MOSFETです。 電力密度や蓄積電荷といっ...
メーカー・取り扱い企業: インフィニオン テクノロジーズ ジャパン 株式会社
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容易な設計および実装!ゲートドライバー技術で最高クラスのパフォーマンス…
TO247パッケージの『CoolSiC 1200V SiC MOSFET』に新たに登場した 「低オン抵抗領域7mΩ/14mΩ/20mΩ」は、最適化された先端のトレンチ 半導体プロセスに基づいて構築され、性能と信頼性を両立した製品です。 放熱性能15%向上し、単一デバイスで最高レベルの出力密度を実現。 実績済みの強化パッケージによる堅牢性で高信頼性を提供しま...
メーカー・取り扱い企業: インフィニオン テクノロジーズ ジャパン 株式会社
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温度に依存しないターンオフスイッチング損失!自動車業界の高い要求条件に…
ミリ品は、信頼性、品質、性能に関する自動車業界の 高い要求条件に合わせて設計されています。 電力密度の向上、高周波化を実現し、冷却処理を減らすことが可能です。 【特長】 ■革新的な半導体素材:シリコンカーバイド(SiC) ■きわめて低いスイッチング損失 ■閾値なしの定常特性 ■IGBT互換の駆動電圧(15Vでターンオン) ■0Vターンオフゲート電圧 ■ベンチマークゲート...
メーカー・取り扱い企業: インフィニオン テクノロジーズ ジャパン 株式会社
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高耐圧製品ラインアップを拡充!対象アプリケーションに併せて好適設計
当製品は、IGBTパワー半導体を使用した大電力システムの現在 から将来までのさまざまな要件を満たすよう設計されています。 外気に対する堅牢性、幅広いクランプ力を実現。 この新しいプレスパックIGBTは、フリーホイ...
メーカー・取り扱い企業: インフィニオン テクノロジーズ ジャパン 株式会社
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コンパクトなデザイン!車載用SiC-MOSFET 1200V Hybr…
スケー ルが容易で、 インバータの設計において、最大250kWの高出力化、航続距離の延長、 バッテリー の小型化、システムサイズとコストの最適化を実現します。 【電気的特長】 ■新しい半導体材料 - 炭化ケイ素(SiC) ■ブロッキング電圧1200V ■低いRDS(on) ■低いスイッチング損失 ■低いOgとCrss ■T vj op=150°C ※詳しくはPDF資料...
メーカー・取り扱い企業: インフィニオン テクノロジーズ ジャパン 株式会社
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