特長的な基板にも対応可能な！3D局所加熱のIHはんだ付け装置

PR大きな熱量の出力も可能なため幅広い基板に"1台"で…

『S-WAVE301H』は、大きな熱量を要するプリント基板を スポット加熱する製品です。 バスパー、パワー半導体、4層基板、高多層基板、厚銅基板、 セラミック基板、金属ベース基板といった特長的な基板にも対応可能。 低消費電力、高い加熱効率などの特長はそのままです。 ご用命の際は、当社へお気軽にお問い合わせください。 【特長】 ■低消費電力、高い加熱効率 ■大きな熱量を要...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社富山技販

厚銅バスバー基板・コイル基板【銅厚3.0mmまで実績あり】

PR大電流用途で使用されるバスバー・コイルを基板化することで高い絶縁性と工…

重電や自動車業界で大電流用途として使用されているバスバー・コイルを基板化しました。 基板化したことで以下の効果が見込めます。 ・IGBTやSiCといったパワーデバイスの基板実装 ・基板実装後に装置への取付が可能→組立時の工数削減と誤配線の防止 ・基板化、配線の簡易化による省スペース化→装置全体の小型化 ・一般的に厚銅基板というと銅箔厚が200μ(0.2mm)以上の基板を指しますが...

メーカー・取り扱い企業： 共栄電資株式会社

パワーデバイス（SiC）をチップ化

ドライプロセスの為、水を一切使用せず環境に優しい。カーフロスゼロで生産…

バイト(SiC)、窒化ガリウム（GaN）、アルミナ(Al2O3)　、サファイア(Sapphire)、窒化ケイ素（Si3N4）、シリコン(Si)などの基材に、金属膜やシリコーン樹脂が積層されたデバイス基板を精密に切断加工（個片化）する技術です。　 MDI独自技術であるSnB「スクライブ＆ブレーク」によって、カーフロスゼロ・高速・高品質・完全ドライ加工を実現します。製品取数の増加、タクトタイムの...

メーカー・取り扱い企業： 三星ダイヤモンド工業株式会社

高周波デバイス（GaNonSiC、GaAs）をチップ化

ドライプロセスの為、水を一切使用せず環境に優しい。カーフロスゼロで生産…

バイト(SiC)、窒化ガリウム（GaN）、アルミナ(Al2O3)　、サファイア(Sapphire)、窒化ケイ素（Si3N4）、シリコン(Si)などの基材に、金属膜やシリコーン樹脂が積層されたデバイス基板を精密に切断加工（個片化）する技術です。　 MDI独自技術であるSnB「スクライブ＆ブレーク」によって、カーフロスゼロ・高速・高品質・完全ドライ加工を実現します。製品取数の増加、タクトタイムの...

メーカー・取り扱い企業： 三星ダイヤモンド工業株式会社

ガラスカッティングツール　ぺネット／Penett

ブレーク工程を簡素化できるスクライビングホイール！ 外周部の溝加工によ…

● ブレーク工程の簡素化またはブレーク工程を無くすことが可能 ● 脆性材料用（シリコン、光学ガラス等）の各種バリエーションに対応 ● 保護フィルム上（10～50μｍ）や各種膜付き基板でも安定した切断が可能...

メーカー・取り扱い企業： 三星ダイヤモンド工業株式会社

カーフロスゼロで高速切断！ドライ加工のスクライブ＆ブレイク工法

水を使わないスクライブ＆ブレイク工法！ガラスやセラミックなどの硬脆性材…

＆ブレイク工法」は、ガラス(Glass)、アルミナ(Al2O3)、シリコンカーバイト(SiC)、サファイア(Sapphire)、シリコン(Si)などを基材に金属膜やシリコーン樹脂が積層されたデバイス基板を切断加工（個片化）する技術です。　 独自の技術である「スクライブ＆ブレイク」によって、カーフロスゼロ・高速・高品質・完全ドライ加工を実現します。製品取数の増加、タクトタイムの短縮が生産性の向...

メーカー・取り扱い企業： 三星ダイヤモンド工業株式会社